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    发光组合物
    1.
    发明授权
    发光组合物 有权

    公开(公告)号：CN108368144B

    公开(公告)日：2022-01-07

    申请号：CN201680073250.5

    申请日：2016-12-14

    Applicant: 剑桥显示技术有限公司 ,  住友化学株式会社

    Inventor： N·伊斯兰姆 ,  大内一荣 ,  M·汉弗莱斯

    IPC: C07F15/00 ,  C09K11/00 ,  C08G61/00 ,  H01L51/00

    Abstract: 发光化合物。一种组合物，其包含峰值波长为至少650nm的发光化合物和包含式(I)基团的材料：其中Ar1、Ar2和Ar3在每次出现时独立地选自C6‑20芳族基团以及C和N环原子的6‑20元杂芳族基团，并且Ar1、Ar2和Ar3中的至少一个是C和N环原子的6‑20元杂芳族基团；x、y和z各自独立地为至少1；n、m和p各自独立地为0或正整数；并且R1、R2和R3在每次出现时独立地为取代基或至聚合物链的单键，其中式(I)的基团具有不超过3个至聚合物链的单键。该组合物可用于红外有机发光器件的发光层中。

    发光元件
    2.
    发明公开
    发光元件 有权

    公开(公告)号：CN108292709A

    公开(公告)日：2018-07-17

    申请号：CN201680071249.9

    申请日：2016-12-02

    Applicant: 住友化学株式会社

    Inventor： 佐佐田敏明 ,  浅田浩平 ,  横家星一郎 ,  大内一荣

    IPC: H01L51/50 ,  C09K11/06 ,  H05B33/12 ,  C07F15/00

    Abstract: 一种发光元件，其具有阳极、阴极、设置于阳极与阴极之间的第一发光层、以及设置于阳极与阴极之间的第二发光层，第一发光层含有式(1)所示的金属络合物。[式中，M1表示铱原子等。n1表示1以上的整数，n2表示0以上的整数，n1+n2为2或3。环R1A表示由氮原子、E1、E11A、E12A及碳原子构成的三唑环。环R2表示芳香族烃环等。E1、E2、E11A及E12A表示氮原子等。R11A及R12A表示芳基等。R13A表示芳基等。A1－G1－A2表示阴离子性的二齿配体。A1及A2表示氮原子等。G1表示单键等。]

    金属络合物及使用了其的发光元件
    3.
    发明公开
    金属络合物及使用了其的发光元件 有权

    公开(公告)号：CN106471007A

    公开(公告)日：2017-03-01

    申请号：CN201580036254.1

    申请日：2015-07-02

    Applicant: 住友化学株式会社

    Inventor： 安倍太一 ,  浅田浩平 ,  大内一荣

    IPC: C07F15/00 ,  C09K11/06 ,  H01L51/50

    Abstract: 本发明提供一种发光稳定性优异的金属络合物，其为式(1)所示的金属络合物。[式中，M表示铱原子等。n1表示1～3的整数。n2表示0～2的整数。E2～E4表示氮原子或碳原子。其中，选自E2～E4中的2个为氮原子，剩余1个为碳原子。R1表示芳基等。R2和R3表示氢原子、烷基、芳基等。环B表示三唑环。环A表示芳香烃环等。A1-G1-A2表示阴离子性的2齿配体]。

    高分子化合物的制备方法
    6.
    发明公开
    高分子化合物的制备方法 无效

    公开(公告)号：CN1922236A

    公开(公告)日：2007-02-28

    申请号：CN200580003834.7

    申请日：2005-02-02

    Applicant: 住友化学株式会社

    Inventor： 小野寺彻 ,  大内一荣 ,  佐佐木繁

    IPC: C08G61/00 ,  H01B1/06 ,  H01M8/02

    Abstract: 本发明提供一种高分子化合物的制备方法，是右式(1)所示的单体在缩合剂共存下聚合的均聚物的制备方法、或者上式(1)所示的单体和式(2)所示的单体在缩合剂共存下共聚形成式(3)所示共聚物的制备方法，且上述缩合剂和上述单体在45℃以上的温度下混合，(1)式中，X1、X2分别独立地表示缩合时的离去基团，Ar1表示作为取代基至少具有磺酸或其盐或者通过连接基团连接的磺酸或其盐的二价芳基； (2)式中，X3、X4分别独立地表示缩合时的离去基团，Ar2表示取代或未取代的二价芳基；(3)式中，Ar1、Ar2表示与上述相同的含义，q表示正数，r表示0或正数，q和r之和在300以上。

    芳族聚合物的制备方法
    9.
    发明授权
    芳族聚合物的制备方法 失效

    公开(公告)号：CN101160345B

    公开(公告)日：2013-01-16

    申请号：CN200680012492.X

    申请日：2006-02-15

    Applicant: 住友化学株式会社

    Inventor： 横泽勉 ,  大内一荣 ,  洼田裕大 ,  东村秀之

    IPC: C08G85/00 ,  C08G61/12

    CPC classification number: C08G61/02 ,  C08G61/10 ,  C08G61/12

    Abstract: 本发明涉及芳族聚合物的制备方法，其特征在于：在含有下式(II)所示膦化合物的钯络合物存在下，使下式(I)所示芳族化合物进行缩聚。(I)(式(I)中，Ar是含芳环的双官能性有机基团，X是卤素原子、硝基或-SO3Q所示基团(Q表示可被取代的烃基)，Y为氧原子、硫原子等，n为0或1，M为氢原子、-B(OQ1)2等，(Q1为氢原子或烃基))；P(R1)3(II)(式(II)中，R1为下式(III)所示基团或下式(IV)所示基团，三个R1可以相同也可以不同，但三个R1中的至少一个为下式(III)所示基团)；-C(R2)3(III)(式(III)中，R2为氢原子或可被取代的烃基)；(IV)(式(IV)中，R3～R7各自独立，表示氢原子、可被取代的烃基等)。

    芳香族化合物聚合物的制备方法
    10.
    发明授权
    芳香族化合物聚合物的制备方法 失效

    公开(公告)号：CN101001900B

    公开(公告)日：2011-04-20

    申请号：CN200580027181.6

    申请日：2005-06-24

    Applicant: 住友化学株式会社

    Inventor： 东村秀之 ,  福岛大介 ,  大内一荣

    IPC: C08G61/10 ,  C07C49/92 ,  C07F9/00

    CPC classification number: C08G61/12 ,  C07C49/92 ,  C07F9/005 ,  C08G61/02 ,  C08G61/10

    Abstract: 一种芳香族化合物聚合物的制备方法，该方法是使具有2个以上与芳香环直接键合的氢原子的1种以上的芳香族化合物，在氧化剂的存在下进行氧化聚合的芳香族化合物聚合物的制备方法，其特征在于，在该方法中，使用一种由过渡金属配位化合物或者由过渡金属配位化合物与活化剂制备的催化剂作为催化剂，该催化剂由下述式(A)定义的参数P为0.50以上，且由下述式(B)定义的参数Eo为0.50[V]以上，P＝Af/Ai (A)(式中，Ai表示对于含有上述催化剂的溶液，在从200nm以上至800nm以下的紫外至近红外的波段得到的吸收光谱中，最长波长侧的吸收带的吸收极大处的吸光度；Af表示当向该溶液中添加相对于该催化剂中所含有的金属的摩尔数为3当量的水而形成的溶液时，在上述波段得到的吸收光谱中，与Ai相同波长处的吸光度)Eo＝(Epa+Epc)/2[V] (B)(式中，Epa表示在将含有上述催化剂的测定溶液用循环伏安测量法进行测定时，按照二茂铁/二茂合铁离子的氧化还原电位基准，在0.50[V]以上电位的条件下，来自该催化剂所含有的过渡金属的氧化还原电位的氧化侧的峰值电位；Epc表示在进行同样测定时与Epa相对应的还原侧的峰值电位)。

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