高分子发光元件
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102473855A

    公开(公告)日:2012-05-23

    申请号:CN201080033649.3

    申请日:2010-07-07

    Inventor: 山内掌吾

    Abstract: 本发明的课题在于提供一种亮度半衰寿命长的高分子发光元件。本发明课题的解决手段为:阴极自发光层侧依次具有第1阴极层及第2阴极层,该第1阴极层包含选自由氟化钠、氟化钾、氟化铷及氟化铯构成的组中的1种以上金属化合物,该第2阴极层包含选自由碱土金属及铝构成的组中的1种以上金属,阳极与发光层间的功能层包含具有式(1)所示的重复单元的高分子化合物的高分子发光元件,(式中,Ar1、Ar2、Ar3及Ar4表示亚芳基或2价杂环基,Ar5、Ar6及Ar7表示芳基或1价杂环基,n及m表示0或1。n为0的情况下,Ar1中包含的碳原子与Ar3中包含的碳原子可以直接键合,或者,也可以介由氧原子或硫原子键合)。

    有机发光元件的制造方法

    公开(公告)号:CN101690399B

    公开(公告)日:2012-12-05

    申请号:CN200880023750.3

    申请日:2008-07-09

    Abstract: 本发明提供一种有机发光元件的制造方法,其中,所述有机发光元件是依次具有阳极、包含电子接受性有机化合物的层、包含有机化合物的空穴输送层、包含高分子化合物的发光层和阴极,且该包含电子接受性有机化合物的层与该阳极和该空穴输送层接触的有机发光元件,在所述制造方法中,使用含有该电子接受性有机化合物和有机溶剂的组合物制作膜,并使该膜熔化而形成该包含电子接受性有机化合物的层。

    有机发光元件的制造方法

    公开(公告)号:CN101690399A

    公开(公告)日:2010-03-31

    申请号:CN200880023750.3

    申请日:2008-07-09

    Abstract: 本发明提供一种有机发光元件的制造方法,其中,所述有机发光元件是依次具有阳极、包含电子接受性有机化合物的层、包含有机化合物的空穴输送层、包含高分子化合物的发光层和阴极,且该包含电子接受性有机化合物的层与该阳极和该空穴输送层接触的有机发光元件,在所述制造方法中,使用含有该电子接受性有机化合物和有机溶剂的组合物制作膜,并使该膜熔化而形成该包含电子接受性有机化合物的层。

    层压结构体
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102017219B

    公开(公告)日:2013-03-27

    申请号:CN200980116295.6

    申请日:2009-03-05

    Abstract: 层压结构体,该层压结构体具有第一电极和第二电极,在该第一电极与该第二电极之间具有发光层或电荷分离层,在该发光层或电荷分离层与该第一电极之间具有包含共轭高分子化合物的层,该共轭高分子化合物具有选自式(1)所示的重复单元中的重复单元,(1)(式中,Ar1表示二价芳基,R1表示含有式(2)所示的基团的取代基,该Ar1可以具有R1以外的取代基,n1表示1以上的整数)-(R2)c1-(Q1)n2-Y1(M1)a1(Z1)b1(2)(式中,R2表示可以具有取代基的二价芳基,Q1表示可以具有取代基的二价有机基团,Y1表示碳阳离子、铵阳离子、膦酰基阳离子或磺酰基阳离子,M1表示F-、Cl-、Br-、I-、OH-、RaSO3-、RaCOO-、ClO-、ClO2-、ClO3-、ClO4-、SCN-、CN-、NO3-、SO42-、HSO4-、PO43-、HPO42-、H2PO4-、BF4-或PF6-,Z1表示金属离子或可以具有取代基的铵离子,c1表示0或1,n2表示0以上的整数,其中,c1为0时n2为0,a1表示1以上的整数,b1表示0以上的整数,选择a1和b1以使式(2)所示的取代基的电荷为0,Ra表示可以具有取代基的碳原子数为1~30的烷基或可以具有取代基的碳原子数为6~50的芳基)。-(R2)c1-(Q1)n2-Y1(M1)m1(Z1)b1 (2)

    层压结构体
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102017219A

    公开(公告)日:2011-04-13

    申请号:CN200980116295.6

    申请日:2009-03-05

    Abstract: 层压结构体,该层压结构体具有第一电极和第二电极,在该第一电极与该第二电极之间具有发光层或电荷分离层,在该发光层或电荷分离层与该第一电极之间具有包含共轭高分子化合物的层,该共轭高分子化合物具有选自式(1)所示的重复单元中的重复单元,(1)(式中,Ar1表示二价芳基,R1表示含有式(2)所示的基团的取代基,该Ar1可以具有R1以外的取代基,n1表示1以上的整数)-(R2)c1-(Q1)n2-Y1(M1)a1(Z1)b1(2)(式中,R2表示可以具有取代基的二价芳基,Q1表示可以具有取代基的二价有机基团,Y1表示碳阳离子、铵阳离子、膦酰基阳离子或磺酰基阳离子,M1表示F-、Cl-、Br-、I-、OH-、RaSO3-、RaCOO-、ClO-、ClO2-、ClO3-、ClO4-、SCN-、CN-、NO3-、SO42-、HSO4-、PO43-、HPO42-、H2PO4-、BF4-或PF6-,Z1表示金属离子或可以具有取代基的铵离子,c1表示0或1,n2表示0以上的整数,其中,c1为0时n2为0,a1表示1以上的整数,b1表示0以上的整数,选择a1和b1以使式(2)所示的取代基的电荷为0,Ra表示可以具有取代基的碳原子数为1~30的烷基或可以具有取代基的碳原子数为6~50的芳基)。-(R2)c1-(Q1)n2-Y1(M1)m1(Z1)b1 (2)。

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