公开(公告)号：CN102349178B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201080011025.1

申请日：2010-03-10

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 久世智 ,  牧寺雅巳 ,  山本武继

IPC: H01M4/505 ,  H01M2/16 ,  H01M4/485 ,  H01M4/525 ,  H01M10/054

CPC classification number: H01M4/50 ,  C01G45/1228 ,  C01G49/0018 ,  C01G49/0027 ,  C01G49/0036 ,  C01G51/006 ,  C01G51/42 ,  C01G53/42 ,  C01G53/50 ,  C01P2002/52 ,  C01P2002/54 ,  C01P2002/72 ,  C01P2004/32 ,  C01P2004/54 ,  C01P2006/16 ,  C01P2006/40 ,  C01P2006/80 ,  H01M2/16 ,  H01M2/1686 ,  H01M4/483 ,  H01M4/485 ,  H01M4/505 ,  H01M4/525 ,  H01M10/054 ,  H01M10/0565 ,  H01M10/0568 ,  H01M10/0569 ,  H01M10/36 ,  H01M2004/028 ,  H01M2200/10 ,  H01M2300/002 ,  H01M2300/0025 ,  H01M2300/0088 ,  Y02E60/122

Abstract: 一种复合金属氧化物，包含Na、M1以及M2(其中，M1表示选自Mg、Ca、Sr以及Ba中的一种以上的元素，M2表示选自Mn、Fe、Co以及Ni中的一种以上的元素)，Na∶M1∶M2的摩尔比为a∶b∶1(其中，a为0.5以上且小于1的范围内的值，b为超过0且0.5以下的范围内的值，并且a+b为超过0.5且1以下的范围内的值)。含有上述复合金属氧化物的电极活性物质。含有上述电极活性物质的电极。具有上述电极作为正极的钠二次电池。

公开(公告)号：CN101939864B

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN200980104110.X

申请日：2009-02-03

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 牧寺雅巳 ,  山本武继

IPC: H01M4/50 ,  H01M2/16 ,  H01M4/52 ,  H01M10/40

CPC classification number: H01M2/1653 ,  H01M4/505 ,  H01M4/525 ,  H01M10/056 ,  Y10T428/2982

Abstract: 本发明提供筛分必要性得到抑制，并且可适用于二次电池，特别是钠二次电池的正极活性物质及其原料的正极活性物质用粉末。本发明的正极活性物质用粉末是包含含Mn粒子的正极活性物质用粉末，构成该粉末的粒子的体积标准累积粒度分布中，累积50％时由微小粒子侧观察的粒径(D50)在0.1μm～10μm的范围，构成该粉末的粒子中，90体积％以上的粒子在D50的0.3倍～3倍范围。本发明的正极活性物质是包含含Mn粒子的正极活性物质用粉末，构成该粉末的粒子中，90体积％以上的粒子在0.6μm～6μm的范围。为将上述正极活性物质用粉末和钠化合物的混合物烧成而成的粉末状正极活性物质，所用本发明的钠二次电池用正极具有上述正极活性物质。

公开(公告)号：CN103367115A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201310193940.2

申请日：2008-12-26

Applicant: 住友化学株式会社 ,  国立大学法人东京大学

Inventor： 高田朋幸 ,  山中贞则 ,  秦雅彦 ,  山本武继 ,  和田一实

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/8258

CPC classification number: H01L21/8258 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/8252 ,  H01L29/66318

Abstract: 本发明使用廉价且散热性优异的Si基板，得到质量良好的GaAs系的结晶薄膜。本发明提供一种半导体基板，其具有：Si基板以及形成于基板上的、用于阻挡结晶生长的阻挡层，所述阻挡层具有：覆盖基板的一部分的覆盖区域和位于覆盖区域内部且不覆盖基板的开口区域，所述半导体基板还具有：在开口区域结晶生长的Ge层和在Ge层上结晶生长的功能层。在该半导体基板中，Ge层可以通过以结晶缺陷能够移动的温度及时间实施退火而形成。

公开(公告)号：CN102349187A

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN201080011337.2

申请日：2010-03-08

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 佐藤敬 ,  山本武继

IPC: H01M12/06 ,  H01M12/08

CPC classification number: H01M12/08 ,  H01M2/1653 ,  H01M12/06 ,  Y02E60/128

Abstract: 本发明提供具有充分的放电性能、能够耐受长期使用的空气电池。一种空气电池，其具有电极和聚合物膜，该聚合物膜配置在电极的空气引入侧，该聚合物膜为具有1个以上的芳香族基团的炔属烃的聚合物膜。

公开(公告)号：CN102089906A

公开(公告)日：2011-06-08

申请号：CN200980126721.4

申请日：2009-07-07

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 坂井舞子 ,  今成裕一郎 ,  山本武继

IPC: H01M4/58 ,  H01M2/16 ,  H01M4/02

CPC classification number: H01M4/5825 ,  C01B25/45 ,  H01M2/1653 ,  H01M2/1686 ,  H01M4/136 ,  H01M4/1397 ,  H01M10/052 ,  Y02T10/7011

Abstract: 本发明提供非水电解质二次电池。该非水电解质二次电池包括正极和负极，所述正极含有可以进行碱金属离子的掺杂、脱掺杂的以式AxMyPO4表示的正极活性物质，其中，A为1种以上碱金属元素，M为1种以上过渡金属元素，x超过0且为1.5以下，y为0.8～1.2，正极活性物质如下得到，使P源、A源、M源和水接触形成含有AxMyPO4的液态物，接着从液态物蒸发水，由此得到正极活性物质。

公开(公告)号：CN102089239A

公开(公告)日：2011-06-08

申请号：CN200980126722.9

申请日：2009-07-07

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 坂井舞子 ,  今成裕一郎 ,  山本武继

IPC: C01B25/45 ,  H01M2/16 ,  H01M4/58 ,  H01M10/36

CPC classification number: C01B25/45 ,  H01M2/1653 ,  H01M2/1686 ,  H01M4/5825 ,  H01M10/054

Abstract: 本发明提供过渡金属磷酸盐、其制备方法、正极以及钠二次电池。过渡金属磷酸盐含有钠(Na)、磷(P)和过渡金属元素，BET比表面积为1m2/g～50m2/g。过渡金属磷酸盐的制备方法包括步骤(1)和(2)。(1)是使磷(P)源、钠(Na)源、M源(M为1种以上过渡金属元素)和水接触得到液态物的步骤，(2)是从液态物分离水，得到过渡金属磷酸盐的步骤。

公开(公告)号：CN101897000A

公开(公告)日：2010-11-24

申请号：CN200880119998.X

申请日：2008-12-26

Applicant: 住友化学株式会社 ,  国立大学法人东京大学

Inventor： 高田朋幸 ,  山中贞则 ,  秦雅彦 ,  山本武继 ,  和田一实

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/331 ,  H01L29/737

CPC classification number: H01L21/8258 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/66318 ,  H01L29/737 ,  H01L29/7786

Abstract: 本发明使用廉价而且散热性优良的Si基板，获得质量良好的GaAs系的结晶薄膜。本发明提供具有Si基板；在基板上结晶生长，且形成为孤立的岛状的Ge层；以及在Ge层上结晶生长的功能层的半导体基板。所述Ge层形成为岛状，所述岛状的大小不超过进行退火时在所述退火的温度及时间内结晶缺陷所移动的距离的2倍。所述Ge层形成为岛状，所述岛状的大小满足进行退火时在所述退火的温度下所述Ge层与所述Si基板之间的热膨胀系数的差异所产生的应力不会导致剥离发生的条件。

公开(公告)号：CN102473985B

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201080036572.5

申请日：2010-08-12

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 佐藤敬 ,  山本武继

IPC: H01M12/06

CPC classification number: H01M12/06

Abstract: 本发明提供一种空气电池，其为具有电极和聚合物膜的空气电池，该聚合物膜配置于电极的进气侧，该聚合物膜是含有下式(1)所示重复单元的聚合物的膜，其中，R1表示氢原子、卤代基、取代或非取代烷基、取代或非取代芳香族烃基、取代或非取代芳香族杂环基、三烷基甲硅烷基或三烷基甲锗烷基，R2在各种情况下独立地用下式(2)表示，m为1以上5以下的整数，R2存在多个时，这些R2可相互相同也可不同；其中，X在各种情况下独立地为一价基团，多个X可相互相同也可不同，至少1个X为含有卤原子的一价基团，p为0以上10以下的整数。

公开(公告)号：CN101896997B

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN200880119896.8

申请日：2008-12-26

Applicant: 住友化学株式会社 ,  国立大学法人东京大学

Inventor： 高田朋幸 ,  山中贞则 ,  秦雅彦 ,  山本武继 ,  和田一实

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/331 ,  H01L21/338 ,  H01L29/26 ,  H01L29/737 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L21/8258 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/8252 ,  H01L29/66318

Abstract: 本发明使用廉价且散热性优异的Si基板，得到质量良好的GaAs系的结晶薄膜。本发明提供一种半导体基板，其具有：Si基板以及形成于基板上的、用于阻挡结晶生长的阻挡层，所述阻挡层具有：覆盖基板的一部分的覆盖区域和位于覆盖区域内部且不覆盖基板的开口区域，所述半导体基板还具有：在开口区域结晶生长的Ge层和在Ge层上结晶生长的功能层。在该半导体基板中，Ge层可以通过以结晶缺陷能够移动的温度及时间实施退火而形成。

公开(公告)号：CN102113153B

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：CN200980130201.0

申请日：2009-07-29

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 山本武继 ,  中岛秀明 ,  犬饲洋志 ,  大森滋和 ,  村上力 ,  中路大辅 ,  吉田秀和 ,  坂井舞子

IPC: H01M4/58 ,  H01M2/16 ,  H01M10/40

CPC classification number: H01M4/136 ,  H01M4/58 ,  H01M4/587 ,  H01M10/0569 ,  Y10T29/49108

Abstract: 本发明提供钠二次电池。钠二次电池含有第1电极和具碳材料的第2电极，碳材料满足选自要件1、要件2、要件3和要件4的一个以上。要件1：由拉曼分光测定得到的R值(＝ID/IG)为1.07以上3以下。要件2：由X射线小角度散射测定得到的A值为-0.5以上0以下，且σA值为0以上0.010以下。要件3：对于具有将85重量份碳材料和15重量份聚偏1，1-二氟乙烯混合得到的电极混合剂的电极，钠离子的掺杂且去掺杂后的电极中的碳材料实质上不存在10nm以上的微孔。要件4：由差示热分析测定得到的Q1值为800焦耳/g以下。