公开(公告)号：CN101960576B

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN200980107379.3

申请日：2009-03-18

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 佐泽洋幸 ,  西川直宏 ,  栗田靖之 ,  秦雅彦

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/337 ,  H01L29/12 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3171 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66462 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种半导体装置，是以常断路型式使GaN系场效晶体管动作，并且增加通道电流密度。该半导体装置具有：含氮的3-5族化合物半导体的通道层、向所述通道层供给电子，并在其与所述通道层相对向的面的相反面具有沟部的电子供给层、形成在所述电子供给层的所述沟部的p型半导体层，以及与所述p型半导体层接触而形成，或者在与所述p型半导体层之间隔着中间层而形成的控制电极。

公开(公告)号：CN101971307A

公开(公告)日：2011-02-09

申请号：CN200980108716.0

申请日：2009-03-18

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 佐泽洋幸 ,  西川直宏 ,  栗田靖之 ,  秦雅彦

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/28 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/78

Abstract: 提供一种半导体装置，是以常断路形式使GaN系场效晶体管动作，并且增加通道电流密度。提供一种半导体装置，其具有：含氮的3-5族化合物半导体的通道层、对所述通道层供给电子的电子供给层、形成在与所述电子供给层的所述通道层相对向的面的相反面的含有氮的3-5族化合物真性或n形的半导体层、以及与所述半导体层接触而形成的，或者在与所述半导体层之间隔着中间层而形成的控制电极。

公开(公告)号：CN101960576A

公开(公告)日：2011-01-26

申请号：CN200980107379.3

申请日：2009-03-18

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 佐泽洋幸 ,  西川直宏 ,  栗田靖之 ,  秦雅彦

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/337 ,  H01L29/12 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3171 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66462 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种半导体装置，是以常断路型式使GaN系场效晶体管动作，并且增加通道电流密度。该半导体装置具有：含氮的3-5族化合物半导体的通道层、向所述通道层供给电子，并在其与所述通道层相对向的面的相反面具有沟部的电子供给层、形成在所述电子供给层的所述沟部的p型半导体层，以及与所述p型半导体层接触而形成，或者在与所述p型半导体层之间隔着中间层而形成的控制电极。