公开(公告)号：CN102714144A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201180005900.X

申请日：2011-01-13

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 秦雅彦 ,  佐泽洋幸

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/0262 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639

Abstract: 本发明提供一种半导体基板，包括：表面为硅结晶的衬底基板、形成于硅结晶上的部分区域的SixGe1-xC(0≤x＜1)外延结晶、形成于SixGe1-xC(0≤x＜1)外延结晶上的III族氮化物半导体结晶。作为一例，该半导体基板还还包括形成于所述硅结晶上、具有露出所述硅结晶的开口且阻碍结晶生长的阻碍体，所述SixGe1-xC(0≤x＜1)外延结晶形成于开口内部。

公开(公告)号：CN101611479B

公开(公告)日：2012-05-02

申请号：CN200880004951.9

申请日：2008-02-07

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 西川直宏 ,  佐泽洋幸 ,  秦雅彦

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7783

Abstract: 本发明提供一种氮化镓系外延结晶、其制造方法及场效应晶体管。氮化镓系外延结晶包含衬底基板和(a)～(e)层，并且为了电连接第一缓冲层与p传导型半导体结晶层，将包含氮化镓系结晶的连接层配置在非氮化镓系的绝缘层的开口部，所述(a)～(e)层为：(a)栅极层；(b)包括与栅极层的衬底基板侧界面相接的通道层的高纯度的第一缓冲层；(c)配置在第一缓冲层的衬底基板侧的第二缓冲层；(d)配置在第二缓冲层的衬底基板侧且其一部分具有开口部的非氮化镓系的绝缘层；以及，(e)配置在绝缘层的衬底基板侧的p传导型半导体结晶层。

公开(公告)号：CN101779273B

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：CN200880025590.6

申请日：2008-07-17

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 佐泽洋幸 ,  本多祥晃

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/0891 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/66462 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  H01L33/40

Abstract: 提供一种半导体器件、半导体器件制造方法、高载流子迁移率晶体管和发光器件。所述半导体器件配置有含N和Ga的半导体层、与所述半导体层欧姆连接的导电层、其中存在于所述半导体层与所述导电层之间的界面处的具有所分布金属的金属分布区，和其中所述金属的原子通过进入所述半导体层中而存在的金属侵入区。

公开(公告)号：CN101779273A

公开(公告)日：2010-07-14

申请号：CN200880025590.6

申请日：2008-07-17

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 佐泽洋幸 ,  本多祥晃

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/0891 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/66462 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  H01L33/40

Abstract: 提供一种半导体器件、半导体器件制造方法、高载流子迁移率晶体管和发光器件。所述半导体器件配置有含N和Ga的半导体层、与所述半导体层欧姆连接的导电层、其中存在于所述半导体层与所述导电层之间的界面处的具有所分布金属的金属分布区，和其中所述金属的原子通过进入所述半导体层中而存在的金属侵入区。

公开(公告)号：CN101405850A

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200780009564.X

申请日：2007-03-16

Applicant: 住友化学株式会社 ,  独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 佐泽洋幸 ,  清水三聪 ,  八木修一 ,  奥村元

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7783 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/517

Abstract: 本发明公开了一种具有良好电流滞后特征的氮化镓基的场效应晶体管，其中可以减少正向栅泄漏。在具有栅绝缘膜(108)的氮化镓－基场效应晶体管(100)中，构成栅绝缘膜(108)的材料的一部分或全部是相对介电常数为9－22的介电材料，并且与栅绝缘膜(108)接触的半导体晶体层A(104)和半导体晶体层B(103)构成异质结，所述半导体晶体层B(103)在所述半导体晶体层A(104)附近并且比半导体晶体层A(104)具有更大的电子亲合势。优选至少部分地在构成所述栅绝缘膜(108)的材料中包含铪氧化物诸如HfO2、HfAlO、HfAlON或HfSiO。

公开(公告)号：CN101611471B

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：CN200880004854.X

申请日：2008-02-12

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 秦雅彦 ,  佐泽洋幸 ,  西川直宏

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/338 ,  H01L29/207 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7783 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/207 ,  H01L29/66462

Abstract: 本发明提供一种场效应晶体管用外延基板，场效应晶体管用外延基板在衬底基板和工作层之间设有含有Ga的氮化物系III-V族半导体外延结晶，氮化物系III-V族半导体外延结晶含有(i)、(ii)及(iii)。(i)第一缓冲层，其含有Ga或Al，并且包括添加了元素周期表中处于与Ga同一周期且原子序号小的补偿杂质元素的高电阻结晶层；(ii)第二缓冲层，其层叠于第一缓冲层的工作层侧，并含有Ga或Al；(iii)高纯度外延结晶层，其设于高电阻结晶层和工作层之间，并不含有或含有能够维持耗尽状态的程度的微量受主杂质。

公开(公告)号：CN102460740A

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN201080026000.9

申请日：2010-06-17

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 秦雅彦 ,  佐泽洋幸 ,  山中贞则

IPC: H01L33/02 ,  H01L33/28 ,  H01S5/323

CPC classification number: H01L27/15 ,  B41J2/45 ,  H01L27/156

Abstract: 本发明提供一种发光装置，具备包含硅的基底基板、与基底基板接触而形成的多个种晶体、与分别对应的种晶体晶格匹配或者准晶格匹配的多个3-5族化合物半导体，其中，在多个3-5族化合物半导体中的至少一个中形成有根据供给的电流来发光的发光元件，在形成了多个3-5族化合物半导体中的发光元件的3-5族化合物半导体以外的至少一个的3-5族化合物半导体中形成有限制供给至所述发光元件的电流的电流限制元件。

公开(公告)号：CN101960576B

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN200980107379.3

申请日：2009-03-18

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 佐泽洋幸 ,  西川直宏 ,  栗田靖之 ,  秦雅彦

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/337 ,  H01L29/12 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3171 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66462 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种半导体装置，是以常断路型式使GaN系场效晶体管动作，并且增加通道电流密度。该半导体装置具有：含氮的3-5族化合物半导体的通道层、向所述通道层供给电子，并在其与所述通道层相对向的面的相反面具有沟部的电子供给层、形成在所述电子供给层的所述沟部的p型半导体层，以及与所述p型半导体层接触而形成，或者在与所述p型半导体层之间隔着中间层而形成的控制电极。

公开(公告)号：CN102598215A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201080050273.7

申请日：2010-11-25

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 佐泽洋幸

IPC: H01L21/20

CPC classification number: G03F9/7084 ,  G03F9/708 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02441 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02642

Abstract: 本发明提供半导体基板的制造方法，包括如下步骤：在基底基板上形成校准标记的步骤；形成校准标记的步骤之后，在基底基板上的包含校准标记的区域形成阻挡结晶生长的阻挡层的步骤；根据显示应该形成以校准标记的位置为基准的开口位置，在阻挡层中的未设置校准标记的区域，形成用于露出基板的开口的步骤，以及在开口内使半导体结晶生长的步骤。

公开(公告)号：CN102498241A

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN201080040868.4

申请日：2010-09-16

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 佐泽洋幸

IPC: C30B29/38 ,  H01L21/205 ,  H01L33/02

CPC classification number: H01L21/0262 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/40 ,  C30B29/48 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02441 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/187 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0079 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供化合物半导体结晶的制造方法，其具有：在表面为硅结晶的基底基板上形成包含Cx1Siy1Gez1Sn1-x1-y1-z1(0≤x＜1，0≤y1≤1，0≤z1≤1，且0＜x1+y1+z1≤1)的牺牲层的牺牲层形成工序、在牺牲层上形成与牺牲层晶格匹配或准晶格匹配的化合物半导体结晶的结晶形成工序，通过对牺牲层蚀刻，从基底基板剥离化合物半导体结晶的结晶剥离工序。