光检测元件
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112514098A

    公开(公告)日:2021-03-16

    申请号:CN201980050045.0

    申请日:2019-07-26

    Abstract: 一种以简易的构成在规定波长区域具有高灵敏度的光检测元件。光检测元件具备阳极、阴极、和设置于阳极与阴极之间的包含p型半导体材料和n型半导体材料的有源层,有源层的厚度最小为800nm,有源层中包含的p型半导体材料与n型半导体材料的重量比(p/n比)最大为99/1,在阴极侧与有源层相接的面的功函数低于n型半导体材料的LUMO的能级的绝对值。

    光检测元件
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN112514098B

    公开(公告)日:2024-10-01

    申请号:CN201980050045.0

    申请日:2019-07-26

    Abstract: 一种以简易的构成在规定波长区域具有高灵敏度的光检测元件。光检测元件具备阳极、阴极、和设置于阳极与阴极之间的包含p型半导体材料和n型半导体材料的有源层,有源层的厚度最小为800nm,有源层中包含的p型半导体材料与n型半导体材料的重量比(p/n比)最大为99/1,在阴极侧与有源层相接的面的功函数低于n型半导体材料的LUMO的能级的绝对值。

    光电转换元件
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111819700B

    公开(公告)日:2024-04-30

    申请号:CN201980017341.0

    申请日:2019-03-22

    Abstract: 本发明提高光电转换元件(10)的比探测率。一种光电转换元件,其包含:一对电极(12、16);设置于一对电极间的活性层(14);以及设置于活性层与所述一对电极中的至少一个电极之间的中间层(13、15),中间层的与活性层接合的面的表面粗糙度的绝对值为大于0.22nm且小于1.90nm的值,活性层的厚度为350nm以上且800nm以下。

    光检测元件
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112514100A

    公开(公告)日:2021-03-16

    申请号:CN201980050374.5

    申请日:2019-07-26

    Abstract: 一种暗电流降低、且外量子效率提高的光检测元件。光检测元件包含:阳极;阴极;和设置于该阳极与该阴极之间且包含p型半导体材料和n型半导体材料的有源层,有源层的厚度为800nm以上,与有源层的阴极侧表面相接的面的功函数减去n型半导体材料的LUMO的绝对值而得到的值为0.0~0.5eV。此外,上述n型半导体材料具有2.0eV~10.0eV的LUMO的绝对值。

    有机薄膜太阳能电池模块的制造方法

    公开(公告)号:CN102598339A

    公开(公告)日:2012-07-18

    申请号:CN201080048728.1

    申请日:2010-10-26

    Inventor: 清家崇广

    Abstract: 本发明提供一种无需损害功能就可进行层分离的有机薄膜太阳能电池模块。有机薄膜太阳能电池模块的制造方法是在基板上配置有多个有机光电转换元件的有机薄膜太阳能电池模块(100)的制造方法,所述有机光电转换元件具有由第1电极(22)和第2电极(24)构成的一对电极、以及夹持在上述一对电极之间的1层有机薄膜或者夹持在上述一对电极之间的包含1层以上有机薄膜的层叠结构;其中,所述制造方法包括切断工序,所述切断工序是在未加热下,使用刀刃结构体将1层有机薄膜或者包含1层以上有机薄膜的层叠结构(50A)切断,从而形成贯通所述1层有机薄膜或者所述包含1层以上有机薄膜的层叠结构而使在其正下方设置的层的表面露出的槽部的工序。

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