公开(公告)号：CN116134037A

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN202180061226.0

申请日：2021-07-20

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 阿部柾律 ,  荒木贵史 ,  西美树 ,  吉川荣二

IPC: C07D495/22

Abstract: 本发明提供一种下述式(I)所表示的新的半导体材料。A1‑B1‑A1(I)(式(I)中，A1表示吸电子性基团，B1表示包含由单键连结而构成π共轭系的2个以上的结构单元的2价基团，该2个以上的结构单元中的至少一个为下述式(II)所表示的第1结构单元，并且该第1结构单元以外的剩余的第2结构单元为包含不饱和键的2价基团、亚芳基或杂亚芳基)。(式(II)中，Ar1、Ar2、Y和R如说明书中所定义。)

公开(公告)号：CN112771685B

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN201980064003.2

申请日：2019-09-26

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： G·费拉拉 ,  西美树

IPC: H10K30/85 ,  H10F39/12 ,  H10K39/32 ,  H10K85/20 ,  H10K30/60 ,  H10K101/40

Abstract: 本发明降低暗电流比。光电转换元件(10)包含：阳极(16)；阴极(12)；设置于该阳极和阴极间的有源层(14)；以及设置于有源层和阴极间的至少一层电子传输层(13)，电子传输层包含绝缘性材料和半导体材料，电子传输层的功函数与阴极的功函数之差为0.88eV以上。此外，该光电转换元件中，上述有源层包含p型半导体材料和n型半导体材料，上述电子传输层的功函数Wf1和上述n型半导体材料的LUMO的能级(LUMO)满足下述式(2)：|LUMO|－Wf1≥0.06eV(2)。

公开(公告)号：CN115804266A

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN202180048840.3

申请日：2021-07-09

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 西美树

IPC: H10K85/10 ,  H10K71/00 ,  H10K30/50 ,  H10K30/60 ,  H10K85/60

Abstract: 本发明旨在抑制因加热处理所致的外部量子效率的降低。一种光电转换元件，其是包含阳极(12)、阴极(16)、以及设置于该阳极与该阴极之间的活性层(14)的光电转换元件(10)，其中，活性层包含至少一种p型半导体材料和至少2种n型半导体材料，至少一种p型半导体材料为具有下述式(I)所表示的结构单元的高分子化合物(式(I)中，Ar1、Ar2和Z如说明书中所定义)，至少2种n型半导体材料包含1种以上的非富勒烯化合物。[化1]

公开(公告)号：CN115804259A

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN202180048331.0

申请日：2021-07-09

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 寺内万由子 ,  岸田明子 ,  有村孝 ,  西美树

IPC: H10K30/30 ,  H10K30/35

Abstract: 本发明旨在提高光电转换元件的耐热性。一种光电转换元件，其是包含阳极(12)、阴极(16)、以及设置于阳极与阴极之间的活性层(14)的光电转换元件(10)，其中，活性层包含至少一种p型半导体材料和至少2种n型半导体材料，至少一种p型半导体材料的分散能量汉森溶解度参数(δD(P))与至少2种n型半导体材料的第1分散能量汉森溶解度参数δD(Ni)和第2分散能量汉森溶解度参数δD(Nii)满足下述条件(i)和(ii)。条件(i)：2.1MPa0.5＜|δD(P)‑δD(Ni)|+|δD(Ni)‑δD(Nii)|＜4.0MPa0.5；条件(ii)：0.8MPa0.5＜|δD(P)‑δD(Ni)|且0.2MPa0.5＜|δD(Ni)‑δD(Nii)|。

公开(公告)号：CN114514621A

公开(公告)日：2022-05-17

申请号：CN202080067923.2

申请日：2020-09-08

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 西美树 ,  荒木贵史 ,  G·费拉拉

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/46 ,  C07D519/00 ,  H01L27/30

Abstract: 本发明提高耐热性。一种光电转换元件，其为包含阳极(12)、阴极(16)、和设置于该阳极与该阴极之间的有源层(14)的光电转换元件(10)，其中，有源层包含n型半导体材料和p型半导体材料，n型半导体材料为下述式(I)所示的化合物，p型半导体材料为包含下述式(II)所示的结构单元的高分子化合物。(式(I)中，R1和R2如说明书中所定义。)(式(II)中，Ar1、Ar2和Z如说明书中所定义。)

公开(公告)号：CN112771685A

公开(公告)日：2021-05-07

申请号：CN201980064003.2

申请日：2019-09-26

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： G·费拉拉 ,  西美树

IPC: H01L51/46 ,  H01L27/146 ,  H01L27/30 ,  H01L51/42 ,  H01L51/44

Abstract: 本发明降低暗电流比。光电转换元件(10)包含：阳极(16)；阴极(12)；设置于该阳极和阴极间的有源层(14)；以及设置于有源层和阴极间的至少一层电子传输层(13)，电子传输层包含绝缘性材料和半导体材料，电子传输层的功函数与阴极的功函数之差为0.88eV以上。此外，该光电转换元件中，上述有源层包含p型半导体材料和n型半导体材料，上述电子传输层的功函数Wf1和上述n型半导体材料的LUMO的能级(LUMO)满足下述式(2)：|LUMO|－Wf1≥0.06eV(2)。