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公开(公告)号：CN101086963A
公开(公告)日：2007-12-12
申请号：CN200710110258.7
申请日：2007-06-08
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L21/205 , H01L23/00 , H01L33/00 , H01S5/00 , H01S5/323 , H01S5/343 , C30B25/02 , C30B29/40
CPC classification number: C30B29/406 , C30B25/00 , C30B25/183
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓晶体的生长方法，包括：在地衬底(U)上，部分形成抑制氮化镓晶体外延生长的掩模(M)的步骤；和在掺杂碳的同时，在形成了掩模(M)的地衬底(U)上外延生长氮化镓晶体的步骤。在外延生长中，第一晶体区从掩模(M)外围朝着内部生长。在所述第一晶体区中c轴方向相对于地衬底(U)中没有形成掩模(M)的区域上生长的第二晶体区反转。
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公开(公告)号：CN101805928A
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN201010121696.5
申请日：2007-06-08
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/40
CPC classification number: C30B29/406 , C30B25/00 , C30B25/183
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓晶体衬底，该氮化镓晶体衬底包括：第一晶体区，该第一晶体区具有晶体缺陷聚集区(H)，以及第二晶体区，该第二晶体区具有低晶体缺陷区部分(Z)和C面生长区部分(Y)。C面生长区部分(Y)的碳浓度与晶体缺陷聚集区(H)的碳浓度之比为101-105，并且C面生长区部分(Y)的碳浓度与低晶体缺陷区部分(Z)的碳浓度之比为101-105。并且，该C面生长区部分(Y)的碳浓度是1016-1020cm-3。
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公开(公告)号：CN101723581A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200910262163.6
申请日：2004-01-16
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C03B37/012 , C03B37/018
CPC classification number: C03C13/00 , C03B37/01211 , C03B37/01228 , C03B37/01248 , C03B2201/075 , C03B2201/12 , C03B2201/20 , C03B2201/31 , C03C13/04
Abstract: 一种借助压缩工艺生产一个光纤预制件的方法，它能够形成一个光纤，其中由于OH团吸收引起的传输损失的增加能够减少，以及使用此方法生产的一种光纤预制件和一种光纤。此方法包括减少玻璃管内含氢原子物质的数量，密封玻璃管的一端，以及压缩玻璃管以获得一个实心体。此方法的一个方面包括加热玻璃管至550℃或更低，密封玻璃管的一端，以及压缩玻璃管以获得一个实心体。用此方法生产的预制件具有一个特点，在压缩时由界面部分形成的它的部分具有OH团的浓度为100wt.ppb或更低。用拉伸预制件生产的光纤具有一个特点，在波长1.38μm其OH团起源的传输损失小于0.5dB/km。
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公开(公告)号：CN102315103B
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201110308166.6
申请日：2006-12-26
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01L21/02617 , C23C16/303 , C23C16/4405 , C23C16/4488 , C30B23/02 , C30B25/02 , C30B29/403
Abstract: 一种第III族氮化物晶体物质的制造方法包括以下步骤：通过向反应室(110)中引入HCl气体(1)而清洁反应室(110)的内部，以及第III族氮化物晶体物质在清洁的反应室(110)中气相沉积。一种第III族氮化物晶体物质的制造装置包括：将HCl气体(1)引入到反应室(110)中的结构，和由HVPE生长第III族氮化物晶体物质(11)的结构。因此，提供一种第III族氮化物晶体物质的制造方法以及在该制造方法中采用的制造装置，其中所述的制造方法包括有效地清洁在晶体生长的过程中粘附在反应室内部的沉积物的方法。
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公开(公告)号：CN1992168B8
公开(公告)日：2012-03-07
申请号：CN200610172517.4
申请日：2006-12-26
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L21/205 , C30B25/02 , C30B33/00 , H01S5/323
Abstract: 一种第III族氮化物晶体物质的制造方法包括以下步骤：通过向反应室(110)中引入HCl气体(1)而清洁反应室(110)的内部，以及第III族氮化物晶体物质在清洁的反应室(110)中气相沉积。一种第III族氮化物晶体物质的制造装置包括：将HCl气体(1)引入到反应室(110)中的结构，和由HVPE生长第III族氮化物晶体物质(11)的结构。因此，提供一种第III族氮化物晶体物质的制造方法以及在该制造方法中采用的制造装置，其中所述的制造方法包括有效地清洁在晶体生长的过程中粘附在反应室内部的沉积物的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104022013B
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201410220580.5
申请日：2007-06-14
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/673 , H01L21/20 , H01L33/00
CPC classification number: H01L33/0075 , C30B29/406 , C30B33/00
Abstract: 本发明涉及GaN衬底储存方法。提供一种可以用于制造有利性能的半导体器件的储存GaN衬底的方法。在GaN衬底储存方法中，GaN衬底(1)储存在具有18vol.％或以下的氧浓度和/或12g/m3或以下的水蒸汽浓度的气氛中。在由储存方法储存的GaN衬底上的第一主面的表面粗糙度Ra和第二主面的表面粗糙度Ra分别不大于20nm和不大于20μm。另外，实施该GaN衬底以使得主面与上为0.05°到2°，以及在 方向上为0°到1°。(0001)面形成偏轴角，该偏轴角在 方向
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公开(公告)号：CN102315103A
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN201110308166.6
申请日：2006-12-26
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01L21/02617 , C23C16/303 , C23C16/4405 , C23C16/4488 , C30B23/02 , C30B25/02 , C30B29/403
Abstract: 一种第III族氮化物晶体物质的制造方法包括以下步骤：通过向反应室(110)中引入HCl气体(1)而清洁反应室(110)的内部，以及第III族氮化物晶体物质在清洁的反应室(110)中气相沉积。一种第III族氮化物晶体物质的制造装置包括：将HCl气体(1)引入到反应室(110)中的结构，和由HVPE生长第III族氮化物晶体物质(11)的结构。因此，提供一种第III族氮化物晶体物质的制造方法以及在该制造方法中采用的制造装置，其中所述的制造方法包括有效地清洁在晶体生长的过程中粘附在反应室内部的沉积物的方法。
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公开(公告)号：CN1479698A
公开(公告)日：2004-03-03
申请号：CN01820196.2
申请日：2001-12-07
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C03B37/012 , G02B6/00
CPC classification number: G02B6/03627 , C03B37/01248 , C03B37/0126 , C03B2201/12 , C03B2201/31 , C03B2203/22 , C03B2203/36 , G02B6/02004 , G02B6/02238 , G02B6/02261 , G02B6/03611
Abstract: 一种制造通过降低心部的偏心度和非圆率具有大的直径的光纤预型件的方法，并提供一种即使是大直径，仍然具有小的非圆率以及复杂折射率轮廓的光纤预型件，并提供可以用于色散补偿的光纤。本发明涉及一种插棒坍缩工艺，其中，经由对中夹具将一个玻璃棒固定到一个玻璃管(或者一个附加在端部上的毛坯管)中。通过对中夹具的固定在一端或两端进行，对中夹具为圆筒状，具有一个或多个缩径部，也可以没有缩径部。在固定在一端时，加热和结合工艺优选地从对向端开始进行。利用具有折射率分布的玻璃棒和玻璃管，可以实现复杂的轮廓。
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公开(公告)号：CN104022013A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201410220580.5
申请日：2007-06-14
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/673 , H01L21/20 , H01L33/00
CPC classification number: H01L33/0075 , C30B29/406 , C30B33/00
Abstract: 本发明涉及GaN衬底储存方法。提供一种可以用于制造有利性能的半导体器件的储存GaN衬底的方法。在GaN衬底储存方法中，GaN衬底(1)储存在具有18vol.％或以下的氧浓度和/或12g/m3或以下的水蒸汽浓度的气氛中。在由储存方法储存的GaN衬底上的第一主面的表面粗糙度Ra和第二主面的表面粗糙度Ra分别不大于20nm和不大于20μm。另外，实施该GaN衬底以使得主面与(0001)面形成偏轴角，该偏轴角在方向上为0.05°到2°，以及在方向上为0°到1°。
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公开(公告)号：CN101723581B
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN200910262163.6
申请日：2004-01-16
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C03B37/012 , C03B37/018
CPC classification number: C03C13/00 , C03B37/01211 , C03B37/01228 , C03B37/01248 , C03B2201/075 , C03B2201/12 , C03B2201/20 , C03B2201/31 , C03C13/04
Abstract: 一种借助压缩工艺生产一个光纤预制件的方法，它能够形成一个光纤，其中由于OH团吸收引起的传输损失的增加能够减少，以及使用此方法生产的一种光纤预制件和一种光纤。此方法包括减少玻璃管内含氢原子物质的数量，密封玻璃管的一端，以及压缩玻璃管以获得一个实心体。此方法的一个方面包括加热玻璃管至550℃或更低，密封玻璃管的一端，以及压缩玻璃管以获得一个实心体。用此方法生产的预制件具有一个特点，在压缩时由界面部分形成的它的部分具有OH团的浓度为100wt.ppb或更低。用拉伸预制件生产的光纤具有一个特点，在波长1.38μm其OH团起源的传输损失小于0.5dB/km。
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