公开(公告)号：CN1795542A

公开(公告)日：2006-06-28

申请号：CN200480014337.2

申请日：2004-07-15

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 松井康之 ,  大槻诚

IPC: H01L21/304

CPC classification number: B28D1/041 ,  B28D5/04 ,  C30B33/00

Abstract: 本发明的制造单晶半导体块方法的特征在于，从较大直径的单晶半导体块(1a)中切割出用户所需的多个较小直径的单晶半导体块(2a)。这种方法的第二个优点在于，即使大直径单晶半导体块包含缺陷部分时，仍能够从缺陷区域之外的其它部分切割出一些小直径单晶半导体块使用。

公开(公告)号：CN1723547A

公开(公告)日：2006-01-18

申请号：CN200480001848.0

申请日：2004-06-10

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 大槻诚 ,  西川雅之 ,  松井康之

IPC: H01L21/304 ,  B23K26/40

CPC classification number: C30B33/00 ,  B23K26/40 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/50 ,  B28D1/221 ,  B28D5/00 ,  C30B29/40 ,  C30B29/406 ,  H01L21/304

Abstract: 一种制造单晶半导体晶片的方法，其特征在于，具有预期消费者所需要的较小直径的多个单晶半导体晶片(2a－2d)由具有较大直径的单晶半导体晶片(1a－1d)切割而成。该方法具有两个优点：即使直径大的单晶半导体晶片局部具有缺陷，也可以由除具有缺陷的区域以外的部分切割出一些小直径的单晶半导体晶片以进行发送进入市场。