公开(公告)号：CN106531624B

公开(公告)日：2019-07-26

申请号：CN201610237027.1

申请日：2016-04-15

Applicant: 东芝存储器株式会社

Inventor： 藤井美香 ,  东和幸 ,  津村一道 ,  白野贵士

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/306 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/304 ,  H01L21/265 ,  H01L21/6835 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834

Abstract: 本发明的实施方式提供一种通过抑制研削步骤中的元件基板及支撑基板的翘曲增加，来抑制研削步骤后的元件基板及支撑基板的翘曲，从而能够正常进行以后的步骤的半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置的制造方法包含设置步骤、贴合步骤、及薄化步骤的3个步骤。设置步骤是将缓和利用研削而薄化的元件基板内的翘曲的缓和层设置在支撑基板。贴合步骤是将元件基板贴合在设置有缓和层的支撑基板。薄化步骤是将由支撑基板支撑的元件基板研削并薄化。

公开(公告)号：CN105273643B

公开(公告)日：2019-07-09

申请号：CN201510315612.4

申请日：2015-06-10

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 安田浩之 ,  菅生道博

IPC: C09J7/10 ,  C09J7/30 ,  C09J183/10 ,  H01L21/68

CPC classification number: C09J183/14 ,  C08G77/442 ,  C09J5/04 ,  C09J5/06 ,  C09J7/00 ,  C09J7/10 ,  C09J125/08 ,  C09J153/005 ,  C09J153/025 ,  C09J183/10 ,  C09J2201/134 ,  C09J2203/326 ,  C09J2425/00 ,  C09J2453/003 ,  C09J2483/00 ,  H01L21/187 ,  H01L21/304 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381 ,  Y02P20/582 ,  Y10T428/2848 ,  Y10T428/287 ,  Y10T428/2874 ,  Y10T428/2878

Abstract: 本发明的目的是提供一种晶片加工用暂时粘着材料、晶片加工体及使用这些的薄型晶片的制造方法，晶片加工用暂时粘着材料能够较容易将具有电路的晶片与支撑基板暂时粘着，且对于硅通孔形成步骤、晶片背面配线步骤的步骤适应性较高，且还易于剥离，能够提高薄型晶片的生产性。本发明提供一种晶片加工用暂时粘着材料，用于将晶片与支撑基板暂时性地粘着，晶片的表面具有电路且背面需要加工，其具备第一暂时粘着层及第二暂时粘着层；第一暂时粘着层以能够剥离的方式粘着于晶片的表面，且是由热塑性硅酮改性苯乙烯类弹性体层(A)组成；第二暂时粘着层是层压于第一暂时粘着层，并且以能够剥离的方式粘着于支撑基板，且是由热固化性聚合物层(B)组成。

公开(公告)号：CN106796874B

公开(公告)日：2019-06-28

申请号：CN201480082590.5

申请日：2014-10-10

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 中田和成 ,  松村民雄 ,  寺崎芳明

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/304 ,  B24B7/228 ,  B24B27/0023 ,  B24B49/12 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/6836 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834

Abstract: 作为第1磨削工序，由第1磨石(17)对晶片(1)的背面的外周部进行磨削而在外周部形成破碎层(19)。然后，作为第2磨削工序，将形成了破碎层(19)的外周部作为肋部(20)保留，并且由第1磨石(17)对晶片(1)的背面的中央部进行磨削而形成凹部(21)。然后，作为第3磨削工序，使用与第1磨石(17)相比磨粒粒径小的第2磨石(22)对凹部(21)的底面进行磨削而将晶片(1)薄化。

公开(公告)号：CN104821284B

公开(公告)日：2019-06-21

申请号：CN201510045475.7

申请日：2015-01-29

Applicant: FEI ,  公司

Inventor： A.巴克斯鲍姆 ,  M.施密特

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/66 ,  G01N1/28

CPC classification number: H01L22/14 ,  B26D3/282 ,  B28D5/04 ,  G01N1/286 ,  G01N2001/2873 ,  G03F1/72 ,  G03F1/84 ,  G03F7/70608 ,  G03F7/7065 ,  H01L21/304 ,  Y10T156/1967

Abstract: 提供了一种方法和设备，用于在表面层剥离中使用以进行样品工件的错误隔离和缺陷局部化。更具体地，提供了一种方法和设备，用于以快速、受控和准确的方式从样品机械地剥除一个或多个层。可编程致动器包括具有切割边缘的层剥离探针尖端，该切割边缘被定形为快速和准确地从样品剥除材料层。层剥离探针尖端的切割面被配置使得每个剥除步骤剥除具有线性尺度的材料区域，该线性尺度基本上等于层剥离探针尖端切割面的线性尺度。表面层剥离可以在真空腔室内部发生以使得样品的目标区域可以在原位利用FIB/SEM成像来观测。

公开(公告)号：CN109791884A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201780057738.3

申请日：2017-06-08

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 铃木达大 ,  德利宪太郎 ,  西村高志 ,  结城嘉晓 ,  玉置康人 ,  宫路信行 ,  平下友美 ,  内田博章 ,  奥谷洋介

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/304

Abstract: 本发明的目的在于提供抑制衬底的污染的技术。衬底处理装置具备：衬底保持部，其水平地保持衬底；处理液供给部，其向被保持于衬底保持部的衬底供给处理液；和受液部，其围绕衬底保持部的周围，并接收从衬底飞散的处理液。另外，受液部的内周面具有在被保持于衬底保持部的衬底侧露出的多个槽，多个槽各自的延伸方向包含铅垂方向的分量。因此，处理液的液滴易于在槽内合流并因自重而落下。

公开(公告)号：CN109397036A

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201810845872.6

申请日：2018-07-27

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 中西正行 ,  石井游 ,  伊藤贤也 ,  内山圭介 ,  柏木诚

IPC: B24B21/06 ,  B24B21/18 ,  B24B21/20 ,  B24B1/04 ,  B24B27/033 ,  B24B57/02 ,  H01L21/304 ,  H01L21/687

CPC classification number: B24B55/12 ,  B24B7/228 ,  B24B21/004 ,  B24B21/08 ,  B24B41/067 ,  B24B47/12 ,  B24D11/02 ,  B24B21/06 ,  B24B1/04 ,  B24B21/18 ,  B24B21/20 ,  B24B27/033 ,  B24B57/02 ,  H01L21/304 ,  H01L21/687

Abstract: 提供一种在基板的背面朝下的状态下能够有效地研磨包含基板的背面的最外部的背面整体的方法和装置。另外，提供一种在基板的背面朝下的状态下有效地处理包含基板的背面的最外部的背面整体的方法。本方法如下，在基板(W)的背面朝下的状态下，一边使多个辊(11)与基板(W)的周缘部接触，一边使多个辊(11)以各自的轴心为中心旋转，从而使基板(W)旋转，一边向基板(W)的背面供给液体，并且使配置于基板(W)的下侧的研磨带(31)与基板(W)的背面接触，一边使研磨带(31)相对于基板(W)进行相对运动，来研磨基板(W)的背面整体。

公开(公告)号：CN109021833A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201810596550.2

申请日：2018-06-11

Applicant: 三星电子株式会社 ,  凯斯科技股份有限公司

Inventor： 朴承浩 ,  孔铉九 ,  金正训 ,  李相美 ,  李愚仁 ,  全喜淑 ,  金相均 ,  崔浩 ,  朴钟爀 ,  尹一永

IPC: C09G1/02 ,  H01L21/304 ,  H01L21/302

CPC classification number: C09G1/02 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/3212 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10823 ,  H01L27/10876 ,  H01L21/302 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3043

Abstract: 本揭露提供一种用于抛光金属层的浆料组合物及一种使用所述浆料组合物制作半导体装置的方法。用于抛光金属层的浆料组合物包括：包含金属氧化物的抛光颗粒；包含过氧化氢的氧化剂；以及包含选自由磷酸酯、亚磷酸酯、次磷酸酯、偏磷酸酯及其盐组成的群组的至少一者的第一抛光调节剂，其中以100重量％的所述用于抛光金属层的浆料组合物计，氧化剂的含量是0.01重量％到0.09重量％。本揭露的浆料组合物可提供高抛光速率。

公开(公告)号：CN108962820A

公开(公告)日：2018-12-07

申请号：CN201810469524.3

申请日：2018-05-16

Applicant: 半导体元件工业有限责任公司

Inventor： 戈登·M·格里芙尼亚 ,  厚·宁·陈

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L21/304 ,  H01L21/324 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L2221/68327 ,  H01L21/3043

Abstract: 本发明提供了一种处理衬底的方法，包括提供衬底，所述衬底具有作为所述衬底的一部分形成并且通过空间彼此分离的管芯，其中所述衬底具有相对的第一主表面和第二主表面，并且其中材料层形成在所述第二主表面的顶上。所述方法包括将所述衬底放置到载体衬底上，以及通过所述空间移除所述衬底的部分以在邻接管芯之间形成间隙。所述间隙至少部分地穿过所述衬底朝向所述第二主表面延伸。所述方法包括将所述材料层暴露于降低的温度，同时所述衬底沿第一方向在板结构和支撑结构之间被约束，其中所述暴露步骤沿第二方向扩展所述邻接管芯之间的间隙以分离所述材料层的至少部分。所述方法提供了可靠且有效的方式来分批分离至少所述材料层。

公开(公告)号：CN108929633A

公开(公告)日：2018-12-04

申请号：CN201810516084.2

申请日：2018-05-25

Applicant: 富士胶片平面解决方案有限公司

Inventor： 梁燕南 ,  温立清 ,  胡斌 ,  李孝相 ,  张书维 ,  蔡林松 ,  林大为

IPC: C09G1/02 ,  H01L21/304

CPC classification number: C09G1/02 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明涉及用于钴应用的化学机械抛光浆料。一种对包含钴的表面或基材进行抛光的浆料。所述浆料进一步包含各自具有磷酸根基团、长链烷基或二者的阴离子和/或阳离子表面活性剂。所述浆料还包含腐蚀抑制剂、磨料、去除速率增强剂、溶剂、pH调节剂和螯合剂。所述浆料的pH优选为8或更高。

公开(公告)号：CN108878355A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201810399315.6

申请日：2018-04-28

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 竹之内研二

IPC: H01L21/78

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3043 ,  H01L21/6836 ,  H01L2221/68327

Abstract: 提供加工方法，将产生在分割预定线的交叉点附近的金属毛刺去除。该加工方法利用切削刀具对在分割预定线上具有金属的被加工物进行切削，该加工方法具有：第1切削步骤，沿着第1分割预定线对被加工物进行切削而形成第1切削槽；第2切削步骤，利用切削刀具沿着第2分割预定线对被加工物进行切削而形成第2切削槽；第1金属毛刺去除步骤，将切削刀具的最下端定位于比金属的上端低的高度而使该切削刀具在该第1切削槽中通过；和第2金属毛刺去除步骤，将切削刀具的最下端定位于比金属的上端低的高度而使该切削刀具在该第2切削槽中通过，一边对被加工物提供含有有机酸和氧化剂的液体一边实施该第1金属毛刺去除步骤和该第2金属毛刺去除步骤。