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公开(公告)号：CN1748327A
公开(公告)日：2006-03-15
申请号：CN200480004099.7
申请日：2004-03-08
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/642 , H01L33/46 , H01L33/62 , H01L33/641 , H01L2224/48091 , H01L2224/49107 , H01L2924/00014
Abstract: 一种半导体器件，由半导体元件产生的热能够被充分去除。半导体器件(100)包括具有底表面(2b)和与底表面(2b)相对的元件安装表面(2a)的基板(2)，及具有安装到元件安装表面(2a)上的主表面(1a)的半导体元件(1)。主表面(1a)在长边方向上的长度L与从底表面(2b)到元件安装表面(2a)的距离H之间的比率H/L设定为不小于3.0。当半导体元件为发光元件时，元件安装表面(2a)变为空腔(2u)用于容纳元件(1)，金属层(13)设置在空腔(2u)的表面上。当用于外部连接的电极(32)设置在主表面(1a)上时，防止电极(32)的连接材料(34)外流的槽在空腔侧上的连接部分处制成在主表面(1a)内。
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公开(公告)号：CN100459188C
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200480007426.4
申请日：2004-03-15
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L33/60 , H01L33/486 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/05644 , H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01S5/0224 , H01S5/02292 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明目的是提供发光元件安装用构件以及使用该构件的半导体装置，所述发光元件安装用构件以及使用该构件的半导体装置易于加工，并且可以进行充分散热。发光元件安装用构件200包括如下配置：基材2，其包括安装半导体发光元件1的元件安装表面2a以及安置在所述元件安装表面2a上并与所述半导体发光元件1连接的第一和第二导电区域21，22；反射构件6，其包括限定用于容纳所述半导体发光元件1的内部空间6b的反射表面6a并且含有安置在所述元件安装表面2a上的金属；以及安置在所述反射表面6a上的金属层13。所述反射表面6a相对于所述元件安装表面2a是倾斜的，因而所述内部空间直径更远离所述元件安装表面2a。
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公开(公告)号：CN100438103C
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200580011105.6
申请日：2005-02-22
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/60 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/13 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2224/05599
Abstract: 本发明提供一种半导体发光元件安装件，该安装件的金属膜具有改进的有效光反射率，金属膜用作电极层和/或反射层；提供一种半导体发光元件安装件，其中金属膜对基材的附着力得到改进，机械强度和可靠性得到提高；以及提供这样一种半导体发光装置，即所述装置使用上述半导体发光元件安装件并具有优良的发光特性。该半导体发光元件安装件(子安装座(1))是通过在基材(10)上形成金属膜(11，12)制成的，金属膜是由Ag、Al或含有这些金属的合金形成的。金属膜(11，12)的晶粒的粒径不超过0.5μm，表面的中心线平均粗糙度Ra不超过0.1μm。半导体发光装置(LE2)包括装在子安装座(1)中的半导体发光元件(LE1)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100420048C
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN200480004099.7
申请日：2004-03-08
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/642 , H01L33/46 , H01L33/62 , H01L33/641 , H01L2224/48091 , H01L2224/49107 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种用于充分去除半导体元件产生的热的半导体器件。半导体器件(100)装配有：具有底表面(2b)和设置在底表面(2b)的相反侧上的元件安装面(2a)的基板(2)；和具有安装到元件安装面(2a)上的主表面(1a)的半导体元件(1)。L为主表面(1a)的纵向上的长度，H为底表面(2b)和元件安装面(2a)之间的距离，比率H/L为0.3或更大。当半导体元件是发光元件时，元件安装面(2a)是空腔(2u)，且元件(1)设置在空腔(2u)中。金属层(13)设置在空腔(2u)的表面上。
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公开(公告)号：CN1308259C
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN03819066.4
申请日：2003-07-30
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C04B35/581 , C04B41/88 , H05B3/02
CPC classification number: C04B35/638 , B32B2311/08 , C04B35/581 , C04B35/62655 , C04B35/6303 , C04B2235/3208 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3241 , C04B2235/3279 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/3296 , C04B2235/3298 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/3865 , C04B2235/3895 , C04B2235/5436 , C04B2235/6021 , C04B2235/6025 , C04B2235/656 , C04B2235/668 , C04B2235/94 , C04B2235/9607 , C04B2235/963 , C04B2235/9638 , C04B2237/408 , H05B3/141
Abstract: 本发明提供一种与传统工艺相比具有较大面积和较小厚度的氮化铝烧结体，其中氮化铝烧结体具有受控的翘曲和/或波纹高度的平整度。本发明还提供制造这种烧结体的方法，并还提供使用这种烧结体的金属化基片和加热器。一种氮化铝烧结体(1)，其最大长度等于或大于320mm，厚度大于0mm并且等于或小于2mm，翘曲等于或大于0μm/mm并且小于2μm/mm，局部波纹高度等于或大于0μm并且等于或小于100μm。
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公开(公告)号：CN1943045A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200580011105.6
申请日：2005-02-22
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/60 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/13 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2224/05599
Abstract: 本发明提供一种半导体发光元件安装件，该安装件的金属膜具有改进的有效光反射率，金属膜用作电极层和/或反射层；提供一种半导体发光元件安装件，其中金属膜对基材的附着力得到改进，机械强度和可靠性得到提高；以及提供这样一种半导体发光装置，即所述装置使用上述半导体发光元件安装件并具有优良的发光特性。该半导体发光元件安装件(子安装座(1))是通过在基材(10)上形成金属膜(11，12)制成的，金属膜是由Ag、Al或含有这些金属的合金形成的。金属膜(11，12)的晶粒的粒径不超过0.5μm，表面的中心线平均粗糙度Ra不超过0.1μm。半导体发光装置(LE2)包括装在子安装座(1)中的半导体发光元件(LE1)。
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公开(公告)号：CN1833322A
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN200480007426.4
申请日：2004-03-15
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L33/60 , H01L33/486 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/05644 , H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01S5/0224 , H01S5/02292 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明目的是提供发光元件安装用构件以及使用该构件的半导体装置，所述发光元件安装用构件以及使用该构件的半导体装置易于加工，并且可以进行充分散热。发光元件安装用构件200包括如下配置：基材2，其包括安装半导体发光元件1的元件安装表面2a以及安置在所述元件安装表面2a上并与所述半导体发光元件1连接的第一和第二导电区域21，22；反射构件6，其包括限定用于容纳所述半导体发光元件1的内部空间6b的反射表面6a并且含有安置在所述元件安装表面2a上的金属；以及安置在所述反射表面6a上的金属层13。所述反射表面6a相对于所述元件安装表面2a是倾斜的，因而所述内部空间直径更远离所述元件安装表面2a。
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公开(公告)号：CN1675143A
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：CN03819066.4
申请日：2003-07-30
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C04B35/581
CPC classification number: C04B35/638 , B32B2311/08 , C04B35/581 , C04B35/62655 , C04B35/6303 , C04B2235/3208 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3241 , C04B2235/3279 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/3296 , C04B2235/3298 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/3865 , C04B2235/3895 , C04B2235/5436 , C04B2235/6021 , C04B2235/6025 , C04B2235/656 , C04B2235/668 , C04B2235/94 , C04B2235/9607 , C04B2235/963 , C04B2235/9638 , C04B2237/408 , H05B3/141
Abstract: 本发明提供一种与传统工艺相比具有较大面积和较小厚度的氮化铝烧结体，其中氮化铝烧结体具有受控的翘曲和/或波纹高度的平整度。本发明还提供制造这种烧结体的方法，并还提供使用这种烧结体的金属化基片和加热器。一种氮化铝烧结体(1)，其最大长度等于或大于320mm，厚度大于0mm并且等于或小于2mm，翘曲等于或大于0μm/mm并且小于2μm/mm，局部波纹高度等于或大于0μm并且等于或小于100μm。
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