-
公开(公告)号：CN119742658A
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202411052798.4
申请日：2024-08-02
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01S5/30
Abstract: 本发明提供一种能够降低由p型半导体层引起的光学损失的半导体光元件。半导体光元件具备：第一n型III‑V族化合物半导体层；有源层；隧道结结构，包含p型III‑V族化合物半导体层以及第二n型III‑V族化合物半导体层；以及第三n型III‑V族化合物半导体层，第一n型III‑V族化合物半导体层、有源层、p型III‑V族化合物半导体层、第二n型III‑V族化合物半导体层以及第三n型III‑V族化合物半导体层按此顺序排列，第二n型III‑V族化合物半导体层具有比第三n型III‑V族化合物半导体层的n型掺杂剂浓度高的n型掺杂剂浓度，p型III‑V族化合物半导体层具有应变。
Search Results
1
records
(took 0.021 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
