公开(公告)号：CN116601841A

公开(公告)日：2023-08-15

申请号：CN202180085208.6

申请日：2021-10-29

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  国立大学法人京都大学

Inventor： 河野直哉 ,  伊藤友树 ,  藤原直树 ,  野田进 ,  井上卓也 ,  梅纳卡·德·索伊萨 ,  石崎贤司

IPC: H01S5/11

Abstract: 一种光子晶体表面发射激光器，其具备：第一半导体层；光子晶体层，其具有比所述第一半导体层高的折射率，并设置于所述第一半导体层之上；以及有源层，其设置于所述光子晶体层的与所述第一半导体层相反侧，所述光子晶体层包含第一区域和多个第二区域，这些第二区域具有与所述第一区域不同的折射率且在所述光子晶体层的面内周期性地配置于所述第一区域，所述第二区域从所述光子晶体层起延伸到所述第一半导体层。

公开(公告)号：CN116918200A

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202280018249.8

申请日：2022-03-04

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  国立大学法人京都大学

Inventor： 藤原直树 ,  河野直哉 ,  古谷章 ,  伊藤友树 ,  野田进 ,  井上卓也 ,  石崎贤司

IPC: H01S5/11

Abstract: 一种光子晶体面发光激光器，其具备：发光区域，其向与面内方向交叉的方向射出光；以及电流狭窄区域，其在所述面内方向上与所述发光区域相邻，且与所述发光区域相比电流难以在所述电流狭窄区域中流动，所述发光区域以及所述电流狭窄区域具有光子晶体层，所述光子晶体层具有第一区域、以及在所述第一区域内沿所述面内方向周期性配置的第二区域，所述第二区域的折射率与所述第一区域的折射率不同，所述发光区域具有：第一半导体层，其具有第一导电型；有源层，其具有光学增益；以及第二半导体层，其具有第二导电型，所述第一半导体层、所述有源层以及所述第二半导体层在所述光的射出方向上依次层叠。

公开(公告)号：CN119742658A

公开(公告)日：2025-04-01

申请号：CN202411052798.4

申请日：2024-08-02

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 藤原直树 ,  加藤隆志 ,  高田贤志 ,  青木健志 ,  吉本晋 ,  伊藤友树

IPC: H01S5/30

Abstract: 本发明提供一种能够降低由p型半导体层引起的光学损失的半导体光元件。半导体光元件具备：第一n型III‑V族化合物半导体层；有源层；隧道结结构，包含p型III‑V族化合物半导体层以及第二n型III‑V族化合物半导体层；以及第三n型III‑V族化合物半导体层，第一n型III‑V族化合物半导体层、有源层、p型III‑V族化合物半导体层、第二n型III‑V族化合物半导体层以及第三n型III‑V族化合物半导体层按此顺序排列，第二n型III‑V族化合物半导体层具有比第三n型III‑V族化合物半导体层的n型掺杂剂浓度高的n型掺杂剂浓度，p型III‑V族化合物半导体层具有应变。

公开(公告)号：CN119522517A

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202380052803.9

申请日：2023-04-25

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  国立大学法人京都大学

Inventor： 伊藤友树 ,  河野直哉 ,  野田进 ,  梅纳卡·德·索伊萨 ,  吉田昌宏 ,  井上卓也 ,  石崎贤司

IPC: H01S5/11 ,  H01S5/183

Abstract: 一种光子晶体面发光激光器，具备：有源层；光子晶体层；以及第一半导体层，所述光子晶体层具有母材、以及周期性地配置于所述母材的多个空孔，所述空孔从所述光子晶体层的一个面延伸至所述光子晶体层的相对的面，所述第一半导体层设置于所述光子晶体层的所述一个面，所述光子晶体层的＜110＞方向上的所述空孔的长度比所述光子晶体层的＜1‑10＞方向上的所述空孔的长度小。

公开(公告)号：CN114725776A

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN202111359885.0

申请日：2021-11-17

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 伊藤友树 ,  江川满

IPC: H01S5/20 ,  H01S5/12 ,  H01S5/343

Abstract: 本发明提供半导体光元件及其制造方法。半导体光元件集成有射出光的发光区域和调制光的调制器区域，具备：第一台面，其设置于发光区域，沿光的传播方向延伸，向与光的传播方向交叉的方向突出，包含活性层；第一隐埋层及第二隐埋层，它们设置于与光的传播方向交叉的方向上的第一台面的两侧，沿第一台面的突出方向依次层叠；第一半导体层，其设置于第一台面及第二隐埋层之上；第二台面，其设置于调制器区域，沿光的传播方向延伸，向与光的传播方向交叉的方向突出，包含光吸收层；及第三隐埋层，其设置于第二台面的两侧，第一半导体层及第一隐埋层具有第一导电型，第二隐埋层具有与第一导电型不同的第二导电型，第三隐埋层为半绝缘性的半导体层。

公开(公告)号：CN112713502A

公开(公告)日：2021-04-27

申请号：CN202011101916.8

申请日：2020-10-15

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 伊藤友树 ,  平谷拓生

IPC: H01S5/06 ,  H01S5/343

Abstract: 本发明提供一种半导体激光元件及半导体激光元件的制造方法。半导体激光元件具备：半导体基板；激光器部，设置在所述半导体基板上，并包括有源层；及光调制部，设置在所述半导体基板上，并包括吸收来自所述激光器部的激光的光吸收层。所述光吸收层具备第一光吸收层和第二光吸收层。所述有源层、所述第一光吸收层及所述第二光吸收层在光波导方向上依次配置。所述第一光吸收层具有通过光致发光测量而得到的第一波长。所述第二光吸收层具有通过光致发光测量而得到的第二波长。所述第二波长大于所述第一波长。