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公开(公告)号：CN116314500A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310134011.8
申请日：2023-02-17
Applicant: 佛山市国星半导体技术有限公司
Abstract: 本发明公开了一种外延结构及其制备方法，设置有第一阻挡层和低温准备层；第一阻挡层包括若干个层叠设置的阻挡复合结构，阻挡复合结构包括层叠设置的N‑GaN阻挡层和N‑BGaN阻挡层，B组分沿着层叠方向逐渐减少；低温准备层包括若干个层叠设置的准备复合结构，准备复合结构包括层叠设置的N‑GaN准备层、N‑BGaN准备层和N‑InGaN准备层，In组分沿着层叠方向逐渐增多。本发明通过设置第一阻挡层和低温准备层，降低晶格失配度，释放应力，减少缺陷形成；通过第一阻挡层有效阻挡缺陷的延伸扩展，并通过低温准备层优化缺陷的密度和尺寸，从而增加外延结构的可靠性，继而提高外延结构的反压漏电良率。
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公开(公告)号：CN115332405A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202210959724.3
申请日：2022-08-11
Applicant: 佛山市国星半导体技术有限公司
Abstract: 本发明公开了GaN基蓝绿光二极管外延结构及其制备方法、LED，涉及光电子制造技术领域。其中，蓝绿光二极管的制备方法为：在衬底上依次生长第一AlGaN层、第二AlGaN层、非掺杂GaN层、u‑GaN层、n‑GaN层、多量子阱层、低温p‑GaN层、p‑AlGaN层、高温p‑GaN层、p‑GaN接触层；最后在600‑900℃退火处理3～15min，即得。其中，第一AlGaN层的生长温度为500‑900℃，生长压力为100‑600Torr，V/Ⅲ比为50‑1000；第二AlGaN层的生长温度为800‑1000℃，生长压力为200‑500Torr，V/Ⅲ比为500‑2500。实施本发明，可提高发光二极管的抗静电强度和发光强度。
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公开(公告)号：CN114551659A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210137823.3
申请日：2022-02-15
Applicant: 佛山市国星半导体技术有限公司
Abstract: 本发明公开了一种高抗水解性能蓝绿光LED外延片结构及其制备方法，涉及半导体光电器件以及半导体照明制造领域。其中，外延结构的制备方法包括：提供衬底，分别生长缓冲层、u‑GaN层、第一n‑GaN层、n‑AlGaN层、第二n‑GaN层、InGaN/GaN层、量子阱层、第一p‑GaN层、p‑AlGaN层、第二p‑GaN层，即得到高抗水解性能蓝绿光LED外延片。实施本发明，可提升外延晶体质量及外延层致密性，提升抗水解性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114242857B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202111510032.2
申请日：2021-12-10
Applicant: 佛山市国星半导体技术有限公司
Abstract: 本发明公开了一种设有布拉格反射镜的外延结构及其制备方法、LED芯片，所述外延结构包括依次设置的GaN复合层、布拉格反射镜、N‑GaN层、应力释放层、量子阱层、P‑AlGaN层和P‑GaN层，所述布拉格反射镜由若干个周期的AlN层/GaN层组成，所述布拉格反射镜中AlN层和GaN层的生长温度相同，为900～1200℃。本发明的外延结构出光效率高，抗静电性能佳，布拉格反射镜表面裂纹少。
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公开(公告)号：CN115939275A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211464602.3
申请日：2022-11-22
Applicant: 佛山市国星半导体技术有限公司
Abstract: 本发明公开了一种抗水解蓝绿光LED用外延结构及其制备方法、抗水解蓝绿光LED，涉及半导体光电器件领域。外延结构包括衬底和依次设于所述衬底上的缓冲层、U‑GaN层、N‑GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和P‑GaN层，所述缓冲层包括依次层叠的BN层、BxGa1‑xN层和AlyGa1‑yN层，其中，x为0.1‑0.2，y为0.1‑0.2。实施本发明，可提升蓝绿光LED的抗水解性能。
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公开(公告)号：CN114242857A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111510032.2
申请日：2021-12-10
Applicant: 佛山市国星半导体技术有限公司
Abstract: 本发明公开了一种设有布拉格反射镜的外延结构及其制备方法、LED芯片，所述外延结构包括依次设置的GaN复合层、布拉格反射镜、N‑GaN层、应力释放层、量子阱层、P‑AlGaN层和P‑GaN层，所述布拉格反射镜由若干个周期的AlN层/GaN层组成，所述布拉格反射镜中AlN层和GaN层的生长温度相同，为900～1200℃。本发明的外延结构出光效率高，抗静电性能佳，布拉格反射镜表面裂纹少。
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公开(公告)号：CN113782648A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202111015732.4
申请日：2021-08-31
Applicant: 佛山市国星半导体技术有限公司
IPC: H01L33/00 , H01L21/02 , H01L21/306
Abstract: 本发明公开了一种废弃蓝宝石衬底的再生方法，其包括：将废弃蓝宝石衬底采用第一溶液清洗；在1100～1400℃下进行热处理；再用第一溶液清洗，最后用氧化性溶液清洗，即得到再生蓝宝石衬底。其中，热处理过程中维持混合气体气氛，所述混合气体为氢气、氮气、氯气或氯化氢中的至少两种的混合物；第一溶液选用碱溶液，或所述第一溶液选用磷酸和/或硫酸；氧化性溶液选用硫酸、硝酸、双氧水中的一种或多种的混合物。相应的，本发明还公开了一种蓝宝石衬底，其采用上述再生方法再生得到。实施本发明，可解决大尺寸废弃蓝宝石衬底的再生问题，同时本发明工序简单，再生效率高。
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公开(公告)号：CN116190504A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202211653173.4
申请日：2022-12-21
Applicant: 佛山市国星半导体技术有限公司
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，具体公开一种用于LED倒装芯片的外延结构及其制备方法，包括：提供一衬底；在衬底上外延生长外延层；所述外延层包括沿外延方向依次沉积的多量子阱层及P型层；所述多量子阱层包括周期性依次交替生长的BGaN阱前保护层、InGaN阱层、BGaN阱后保护层及N‑GaN垒层；所述P型层包括沿外延方向依次沉积的绝缘保护层及P‑GaN层，所述绝缘保护层为未故意掺杂P型杂质的BGaN/GaN超晶格结构。本发明的制备方法可有效提升外延结构晶体质量，降低位错密度，减少漏电及电子溢流，并提高小电流下的串联体电阻，提升LED倒装芯片小电流下的开启电压，解决现有技术中LED倒装芯片在小电流下(电流小于1uA)存在暗亮不均的问题。
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