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公开(公告)号：CN116314500A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310134011.8
申请日：2023-02-17
Applicant: 佛山市国星半导体技术有限公司
Abstract: 本发明公开了一种外延结构及其制备方法，设置有第一阻挡层和低温准备层；第一阻挡层包括若干个层叠设置的阻挡复合结构，阻挡复合结构包括层叠设置的N‑GaN阻挡层和N‑BGaN阻挡层，B组分沿着层叠方向逐渐减少；低温准备层包括若干个层叠设置的准备复合结构，准备复合结构包括层叠设置的N‑GaN准备层、N‑BGaN准备层和N‑InGaN准备层，In组分沿着层叠方向逐渐增多。本发明通过设置第一阻挡层和低温准备层，降低晶格失配度，释放应力，减少缺陷形成；通过第一阻挡层有效阻挡缺陷的延伸扩展，并通过低温准备层优化缺陷的密度和尺寸，从而增加外延结构的可靠性，继而提高外延结构的反压漏电良率。
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公开(公告)号：CN115332405A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202210959724.3
申请日：2022-08-11
Applicant: 佛山市国星半导体技术有限公司
Abstract: 本发明公开了GaN基蓝绿光二极管外延结构及其制备方法、LED，涉及光电子制造技术领域。其中，蓝绿光二极管的制备方法为：在衬底上依次生长第一AlGaN层、第二AlGaN层、非掺杂GaN层、u‑GaN层、n‑GaN层、多量子阱层、低温p‑GaN层、p‑AlGaN层、高温p‑GaN层、p‑GaN接触层；最后在600‑900℃退火处理3～15min，即得。其中，第一AlGaN层的生长温度为500‑900℃，生长压力为100‑600Torr，V/Ⅲ比为50‑1000；第二AlGaN层的生长温度为800‑1000℃，生长压力为200‑500Torr，V/Ⅲ比为500‑2500。实施本发明，可提高发光二极管的抗静电强度和发光强度。
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公开(公告)号：CN119894178A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510014749.X
申请日：2025-01-06
Applicant: 佛山市国星半导体技术有限公司
IPC: H10H20/01 , H10H20/821 , H10H20/812
Abstract: 本发明公开了一种抗水解LED外延结构及其制备方法涉及半导体器件技术领域。本发明抗水解LED外延结构的制备方法如下：在衬底上依次生长AlN层和GaN底层；在GaN底层的表面沉积SiO2掩膜；对SiO2掩膜进行光刻，使SiO2掩膜中形成生长窗口；在光刻后的SiO2掩膜上生长V型坑层，V型坑层的材料包括GaN材料，在V型坑层内产生V型坑；在V型坑层上生长第一n‑GaN层；在第一n‑GaN层上生长第二n‑GaN层，第二n‑GaN层的生长温度大于第一n‑GaN层的生长温度，对V型坑进行修复，得到表面平整的第二n‑GaN层；在第二n‑GaN层上依次生长多量子阱层、电子阻挡层和p‑GaN层，得到抗水解LED外延结构。采用本发明的制备方法能够制得抗水解性能优异的LED外延结构，且制备方法简单、生产成本低。
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公开(公告)号：CN114242857B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202111510032.2
申请日：2021-12-10
Applicant: 佛山市国星半导体技术有限公司
Abstract: 本发明公开了一种设有布拉格反射镜的外延结构及其制备方法、LED芯片，所述外延结构包括依次设置的GaN复合层、布拉格反射镜、N‑GaN层、应力释放层、量子阱层、P‑AlGaN层和P‑GaN层，所述布拉格反射镜由若干个周期的AlN层/GaN层组成，所述布拉格反射镜中AlN层和GaN层的生长温度相同，为900～1200℃。本发明的外延结构出光效率高，抗静电性能佳，布拉格反射镜表面裂纹少。
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公开(公告)号：CN114242857A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111510032.2
申请日：2021-12-10
Applicant: 佛山市国星半导体技术有限公司
Abstract: 本发明公开了一种设有布拉格反射镜的外延结构及其制备方法、LED芯片，所述外延结构包括依次设置的GaN复合层、布拉格反射镜、N‑GaN层、应力释放层、量子阱层、P‑AlGaN层和P‑GaN层，所述布拉格反射镜由若干个周期的AlN层/GaN层组成，所述布拉格反射镜中AlN层和GaN层的生长温度相同，为900～1200℃。本发明的外延结构出光效率高，抗静电性能佳，布拉格反射镜表面裂纹少。
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