公开(公告)号：CN1032021C

公开(公告)日：1996-06-12

申请号：CN90106810.1

申请日：1990-06-28

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 越前裕 ,  藤岡靖 ,  中川克已 ,  全井中博 ,  狩谷俊光 ,  松山深照 ,  武井哲也

IPC: C23C16/48 ,  C23C16/54

CPC classification number: H01J37/3222 ,  C23C16/50 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3277 ,  H01J2237/3325 ,  H01L31/202 ,  H01L31/206 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 介绍一种用微波等离子体CVD工艺连续形成大面积实用沉积膜的方法，该法包括：沿长度连续移动含导电部件的带状部件的步骤，此间通过将移动式带状部件构成成膜空间侧壁，于其内建立起基本上可保持真空的柱状成膜空间；再通过送气装置向成膜空间充入用于成膜的原始气体；同时通过微波天线在所有垂直于微波运动的方向上辐射微波，由此向成膜空间提供微波功率，使在空间内激发起等离子体，从而将薄膜沉积在暴露于等离子体侧壁的连续移动的带状部件表面上。本文也介绍了实现该方法的装置。

公开(公告)号：CN1049530A

公开(公告)日：1991-02-27

申请号：CN90106810.1

申请日：1990-06-28

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 越前裕 ,  藤岡靖 ,  中川克已 ,  全井中博 ,  狩谷俊光 ,  松山深照 ,  武井哲也

IPC: C23C16/48 ,  C23C16/54

CPC classification number: H01J37/3222 ,  C23C16/50 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3277 ,  H01J2237/3325 ,  H01L31/202 ,  H01L31/206 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 介绍一种用微波等离子体CVD工艺连续形成大面积实用沉积膜的方法，该法包括：沿长度连续移动含导电部件的带状部件的步骤，此间通过将移动式带状部件构成成膜空间侧壁，于其内建立起基本上可保持真空的柱状成膜空间；再通过送气装置向成膜空间充入用于成膜的原始气体；同时通过微波天线在所有垂直于微波运动的方向上辐射微波，由此向成膜空间提供微波功率，使在空间内激发起等离子体，从而将薄膜沉积在暴露于等离子体侧壁的连续移动的带状部件表面上。本文也介绍了实现该方法的装置。