公开(公告)号：CN117410296A

公开(公告)日：2024-01-16

申请号：CN202310847703.7

申请日：2023-07-11

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 石野英明 ,  山口润 ,  丹下勉 ,  原拓也 ,  小林大祐

IPC: H01L27/146

Abstract: 本公开涉及半导体装置。提供了其中堆叠有半导体层的半导体装置。第一结构布置在第一半导体层与第二半导体层之间。第二结构布置在第二半导体层与第三半导体层之间。在到第三半导体层的正投影中，第三半导体层中布置有元件的区域是第一区域，并且第一区域与第三半导体层的周边部之间的区域是第二区域。在第二区域中，布置有延伸通过第三半导体层、第二结构和第二半导体层并且暴露布置在第一结构中的电极的开口。在第一区域与开口之间，在与第二半导体层相同的高度处布置有绝缘体。

公开(公告)号：CN115602650A

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202210780298.7

申请日：2022-07-04

Applicant: 佳能株式会社(JP)

Inventor： 原拓也 ,  荻野拓海

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/768

Abstract: 公开了半导体设备、装备以及半导体设备的制造方法。一种半导体设备包括包含第一半导体基板和第一布线结构的第一半导体组件、以及包含第二半导体基板和第二布线结构的第二半导体组件。第一半导体组件的第一表面和第二半导体组件的第二表面接合在一起。假定具有分别与通过将第一表面、第二表面、第一布线结构和第二布线结构垂直地投影在虚拟平面上而获得的形状对应的外周的区域分别是第一区域至第四区域，第一区域的面积小于第二区域的面积，第一区域的整个外周被包括在第二区域中，第四区域的面积小于第三区域的面积，并且第四区域的整个外周被包括在第三区域中。