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公开(公告)号：CN110896083B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN201910845927.8
申请日：2019-09-09
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开涉及光电转换装置和设备。硅化合物膜以及位于硅化合物膜和半导体层之间的金属化合物膜布置在主面上方，该硅化合物膜是氧化硅膜、氮化硅膜和碳化硅膜中的任何一种。硅化合物膜和金属化合物膜延伸到第一沟槽中，并且金属化合物膜延伸到第二沟槽中。当从第二沟槽的底部到硅化合物膜的距离表达为“Hb”并且从主面到硅化合物膜的距离表达为“Hd”时，各个距离满足条件“Hd
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公开(公告)号：CN117410296A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202310847703.7
申请日：2023-07-11
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开涉及半导体装置。提供了其中堆叠有半导体层的半导体装置。第一结构布置在第一半导体层与第二半导体层之间。第二结构布置在第二半导体层与第三半导体层之间。在到第三半导体层的正投影中，第三半导体层中布置有元件的区域是第一区域，并且第一区域与第三半导体层的周边部之间的区域是第二区域。在第二区域中，布置有延伸通过第三半导体层、第二结构和第二半导体层并且暴露布置在第一结构中的电极的开口。在第一区域与开口之间，在与第二半导体层相同的高度处布置有绝缘体。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN110265413A
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201910181160.3
申请日：2019-03-11
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明提供摄像设备、摄像设备的制造方法以及装置。所述摄像设备包括基板和绝缘层，所述基板包括光电转换部，所述绝缘层被形成为覆盖所述光电转换部的至少一部分。所述绝缘层包含硅、氮和氯。在实施例中，在所述绝缘层的至少一部分中，在所述至少一部分中包含的硅原子中与一个、两个或三个氮原子键合并且不与氧原子键合的硅原子的比率不大于20％。
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公开(公告)号：CN110265413B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN201910181160.3
申请日：2019-03-11
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明提供摄像设备、摄像设备的制造方法以及装置。所述摄像设备包括基板和绝缘层，所述基板包括光电转换部，所述绝缘层被形成为覆盖所述光电转换部的至少一部分。所述绝缘层包含硅、氮和氯。在实施例中，在所述绝缘层的至少一部分中，在所述至少一部分中包含的硅原子中与一个、两个或三个氮原子键合并且不与氧原子键合的硅原子的比率不大于20％。
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公开(公告)号：CN111063701A
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201910985723.4
申请日：2019-10-17
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开涉及光电转换装置和包括光电转换装置的装备。光电转换装置包括：半导体层，其中在受光区域中布置有第一光电转换器，并且在遮光区域中布置有第二光电转换器；遮光壁，布置在半导体层上方并限定分别与第一光电转换器对应的孔；以及遮光膜，布置在半导体层上方。遮光膜包括沿着半导体层的主表面延伸以覆盖第二光电转换器的第一部分。第一部分具有下表面和上表面。遮光壁包括第二部分，其与半导体层的距离大于上表面和主表面之间的距离。第一部分在垂直于主表面的方向上的厚度大于第二部分在平行于主表面的方向上的厚度。
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公开(公告)号：CN110896083A
公开(公告)日：2020-03-20
申请号：CN201910845927.8
申请日：2019-09-09
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开涉及光电转换装置和设备。硅化合物膜以及位于硅化合物膜和半导体层之间的金属化合物膜布置在主面上方，该硅化合物膜是氧化硅膜、氮化硅膜和碳化硅膜中的任何一种。硅化合物膜和金属化合物膜延伸到第一沟槽中，并且金属化合物膜延伸到第二沟槽中。当从第二沟槽的底部到硅化合物膜的距离表达为“Hb”并且从主面到硅化合物膜的距离表达为“Hd”时，各个距离满足条件“Hd
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