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公开(公告)号：CN113515015B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202110323121.X
申请日：2021-03-26
Applicant: 佳能株式会社
Abstract: 公开了制造半导体设备的方法。通过使用具有掩模台和投影光学系统的曝光装置来制造半导体设备的方法包括通过使用布置在掩模台上的第一掩模来曝光基板的第一时段、通过使用布置在掩模台上的第二掩模来曝光基板的第二时段以及在第一时段与第二时段之间的第三时段。该方法包括：在第三时段的至少一部分中，将布置在掩模台上的第一掩模改变为第二掩模，以及在第一时段和第二时段中，执行控制以调整投影光学系统的光学元件的温度分布，以便减小投影光学系统的像差的改变。第三时段比第一时段短。
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公开(公告)号：CN112130421B
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202010590397.X
申请日：2020-06-24
Applicant: 佳能株式会社
IPC: G03F7/20
Abstract: 公开了曝光装置、曝光方法和制造物品的方法。曝光装置包括：第一温度控制器，用于控制投影光学系统的光学元件上的温度分布；第二温度控制器，用于控制投影光学系统的光学元件上的温度分布，其中，在执行曝光操作的第一时段中，第一温度控制器和第二温度控制器中的至少一个操作以减小由于执行曝光操作而引起的投影光学系统的像差的变化，并且在第一时段之后并且不执行曝光操作的第二时段中，第一温度控制器和第二温度控制器中的至少一个操作以减小由于不执行曝光操作而引起的像差的变化。
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公开(公告)号：CN113515015A
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202110323121.X
申请日：2021-03-26
Applicant: 佳能株式会社
Abstract: 公开了制造半导体设备的方法。通过使用具有掩模台和投影光学系统的曝光装置来制造半导体设备的方法包括通过使用布置在掩模台上的第一掩模来曝光基板的第一时段、通过使用布置在掩模台上的第二掩模来曝光基板的第二时段以及在第一时段与第二时段之间的第三时段。该方法包括：在第三时段的至少一部分中，将布置在掩模台上的第一掩模改变为第二掩模，以及在第一时段和第二时段中，执行控制以调整投影光学系统的光学元件的温度分布，以便减小投影光学系统的像差的改变。第三时段比第一时段短。
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公开(公告)号：CN112130421A
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN202010590397.X
申请日：2020-06-24
Applicant: 佳能株式会社
IPC: G03F7/20
Abstract: 公开了曝光装置、曝光方法和制造物品的方法。曝光装置包括：第一温度控制器，用于控制投影光学系统的光学元件上的温度分布；第二温度控制器，用于控制投影光学系统的光学元件上的温度分布，其中，在执行曝光操作的第一时段中，第一温度控制器和第二温度控制器中的至少一个操作以减小由于执行曝光操作而引起的投影光学系统的像差的变化，并且在第一时段之后并且不执行曝光操作的第二时段中，第一温度控制器和第二温度控制器中的至少一个操作以减小由于不执行曝光操作而引起的像差的变化。
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