公开(公告)号：CN1037301C

公开(公告)日：1998-02-04

申请号：CN93119316.8

申请日：1991-05-31

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 池田敦 ,  中村佳夫

IPC: H01L21/28 ,  H01L23/52 ,  H01L29/40

CPC classification number: H01L29/456 ,  H01L21/28512 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/485 ,  H01L29/41 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种直接与半导体元件的半导体区域相连的电极，其形状基本为方柱形。将与所述电极与半导体区域相接触的表面的一个边的长度定义为L，另一边定义为W，基本上与所述表面垂直相交方向上的长度定义为H，则使L、W、H满足L＞H＞W的关系式。

公开(公告)号：CN100349071C

公开(公告)日：2007-11-14

申请号：CN03122143.2

申请日：2003-04-17

Applicant: 佳能株式会社 ,  佳能化成株式会社

Inventor： 谷口智士 ,  井上宏 ,  长田弘行 ,  都留诚司 ,  加藤久雄 ,  黑田纪明 ,  池田敦 ,  大高利博 ,  土井信治

IPC: G03G5/10 ,  G03G21/18 ,  G03G15/02

CPC classification number: G03G15/0233 ,  Y10T428/25

Abstract: 本发明涉及导电性部件、使用该部件的成像处理盒和电摄影装置，其特征在于，在支持体上具有至少1层被覆层的导电性部件中，该导电性部件的表面层含有微粒子；在导电性部件的表面层中，从最下面算起相当于全体层厚30%的内的范围的表面层下部的微粒子的平均粒径大于从最上面算起相当于全体层厚的30%以内的范围的表面层上部的微粒子的平均粒径。

公开(公告)号：CN1106163A

公开(公告)日：1995-08-02

申请号：CN93119316.8

申请日：1991-05-31

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 池田敦 ,  中村佳夫

IPC: H01L21/28 ,  H01L23/52 ,  H01L29/40

CPC classification number: H01L29/456 ,  H01L21/28512 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/485 ,  H01L29/41 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种直接与半导体元件的半导体区域相连的电极，其形状基本为方柱形。将与所述电极与半导体区域相接触的表面的一个边的长度定义为L，另一边定义为W，基本上与所述表面垂直相交方向上的长度定义为H，则使L、W、H满足L＞H＞W的关系式。

公开(公告)号：CN1036860C

公开(公告)日：1997-12-31

申请号：CN91101919.7

申请日：1991-02-19

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 松本繁幸 ,  池田敦

IPC: C23C16/20

CPC classification number: H01L21/28562 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/76879

Abstract: 一种形成金属膜的方法，包括以下步骤：在空间中安置供形成膜所用的基片；向该空间中引入烷基铝氢化物气体及氢气；以及直接加热该基片而在该基片上形成含主成分为铝的金属膜。

公开(公告)号：CN1027946C

公开(公告)日：1995-03-15

申请号：CN91103577.X

申请日：1991-05-31

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 池田敦 ,  中村佳夫

IPC: H01L29/44 ,  H01L21/285 ,  H01L21/90

CPC classification number: H01L29/456 ,  H01L21/28512 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/485 ,  H01L29/41 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种用于半导体元件直接与半导体元件的半导体区域相连的电极的形状基本上做成方形柱状。当与所说的电极内的半导体区域相接触的表面的一个边的长度定义为L，另一边为W，基本上与所说的表面垂直相交的方向的长度为H时，L、W、H满足L＞H＞W的关系式。

公开(公告)号：CN1056954A

公开(公告)日：1991-12-11

申请号：CN91103577.X

申请日：1991-05-31

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 池田敦 ,  中村佳夫

IPC: H01L23/52 ,  H01L29/44 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/456 ,  H01L21/28512 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/485 ,  H01L29/41 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种用于半导体元件直接与半导体元件的半导体区域相连的电极的形状基本上做成方形柱状。当与所说的电极内的半导体区域相接触的表面的一个边的长度定义为L，另一边为W，基本上与所说的表面垂直相交的方向的长度为H时，L、W、H满足L＞H＞W的关系式。

公开(公告)号：CN1453651A

公开(公告)日：2003-11-05

申请号：CN03122143.2

申请日：2003-04-17

Applicant: 佳能株式会社 ,  佳能化成株式会社

Inventor： 谷口智士 ,  井上宏 ,  长田弘行 ,  都留诚司 ,  加藤久雄 ,  黑田纪明 ,  池田敦 ,  大高利博 ,  土井信治

IPC: G03G5/10 ,  G03G21/18 ,  G03G15/00

CPC classification number: G03G15/0233 ,  Y10T428/25

Abstract: 本发明涉及导电性部件、使用该部件的成像处理盒和电摄影装置，其特征在于，在支持体上具有至少1层被覆层的导电性部件中，该导电性部件的表面层含有微粒子；在导电性部件的表面层中，从最下面算起相当于全体层厚的30％以内的范围的表面层下部的微粒子的平均粒径大于从最上面算起相当于全体层厚的30％以内的范围的表面层上部的微粒子的平均粒径。

公开(公告)号：CN1061445A

公开(公告)日：1992-05-27

申请号：CN91101919.7

申请日：1991-02-19

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 松本繁幸 ,  池田敦

IPC: C23C16/20

CPC classification number: H01L21/28562 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/76879

Abstract: 一种形成金属膜的方法，包括以下步骤：在空间中安置供形成膜所用的基片；向该空间中引入烷基铝氢化物气体及氢气；以及直接加热该基片而在该基片上形成含主成分为铝的金属膜。