公开(公告)号：CN1061445A

公开(公告)日：1992-05-27

申请号：CN91101919.7

申请日：1991-02-19

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 松本繁幸 ,  池田敦

IPC: C23C16/20

CPC classification number: H01L21/28562 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/76879

Abstract: 一种形成金属膜的方法，包括以下步骤：在空间中安置供形成膜所用的基片；向该空间中引入烷基铝氢化物气体及氢气；以及直接加热该基片而在该基片上形成含主成分为铝的金属膜。

公开(公告)号：CN1117435A

公开(公告)日：1996-02-28

申请号：CN94115968.X

申请日：1994-06-28

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 池田雅实 ,  杉谷博志 ,  松本繁幸 ,  成濑泰弘 ,  牧野宪史 ,  泉田昌明 ,  田村清一

IPC: B41J2/01 ,  G01D15/18

CPC classification number: B41J2/14072 ,  B41J2/14129 ,  B41J2202/03

Abstract: 一种发热电阻器，包括由含TaN0.8的氮化钽材料构成的膜，即使长期连续地对其施加较大的电功率，该发热电阻器也很难劣化，其电阻值几乎不变。一种液体喷头用的衬底，包括一支撑件和淀积在所述支撑件上的电热转换体。所述电热转换体包括能产生热能的发热电阻层和电连接到所述发热电阻层的多个电极。所述电极给所述发热电阻层提供产生所述热能所需的电信号。其特征是所述发热电阻层包括由含TaN0.8的氮化钽材料构成的膜。一种装有所述液体喷头用的衬底的液体喷头。一种装有所述液体喷头的液体喷射装置。

公开(公告)号：CN1092570C

公开(公告)日：2002-10-16

申请号：CN94115968.X

申请日：1994-06-28

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 池田雅实 ,  杉谷博志 ,  松本繁幸 ,  成濑泰弘 ,  牧野宪史 ,  泉田昌明 ,  田村清一

IPC: B41J2/05

CPC classification number: B41J2/14072 ,  B41J2/14129 ,  B41J2202/03

Abstract: 一种发热电阻器，包括由含TaN0.8的氮化钽材料构成的膜，即使长期连续地对其施加较大的电功率，该发热电阻器也很难劣化，其电阻值几乎不变。一种液体喷头用的衬底，包括一支撑件和淀积在所述支撑件上的电热转换体。所述电热转换体包括能产生热能的发热电阻层和电连接到所述发热电阻层的多个电极。所述电极给所述发热电阻层提供产生所述热能所需的电信号。其特征是所述发热电阻层包括由含TaN0.8的氮化钽材料构成的膜。一种装有所述液体喷头用的衬底的液体喷头。一种装有所述液体喷头的液体喷射装置。

公开(公告)号：CN1036860C

公开(公告)日：1997-12-31

申请号：CN91101919.7

申请日：1991-02-19

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 松本繁幸 ,  池田敦

IPC: C23C16/20

CPC classification number: H01L21/28562 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/76879

Abstract: 一种形成金属膜的方法，包括以下步骤：在空间中安置供形成膜所用的基片；向该空间中引入烷基铝氢化物气体及氢气；以及直接加热该基片而在该基片上形成含主成分为铝的金属膜。

公开(公告)号：CN1032173C

公开(公告)日：1996-06-26

申请号：CN91103681.4

申请日：1991-06-03

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 松本繁幸

IPC: H01L29/784

CPC classification number: H01L29/66666 ,  H01L21/76879 ,  H01L29/4232 ,  H01L29/78

Abstract: 半导体器件，包括具有由半导体形成的源和漏区、栅绝缘膜和栅电极区的晶体管，所述源、漏、栅绝缘膜和栅电极沿基片的主表面并列设置，其中至少一部分隐埋在该基片内。根据本发明，能够使MOS晶体管的面积小且表面平坦，从而能得到高速且高可靠的MOS晶体管。

公开(公告)号：CN1057131A

公开(公告)日：1991-12-18

申请号：CN91103681.4

申请日：1991-06-03

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 松本繁幸

IPC: H01L29/784

CPC classification number: H01L29/66666 ,  H01L21/76879 ,  H01L29/4232 ,  H01L29/78

Abstract: 半导体器件，包括具有由半导体形成的源和漏区、栅绝缘膜和栅电极区的晶体管，所述源、漏、栅绝缘膜和栅电极沿基片的主表面并列设置，其中至少一部分隐埋在该基片内。根据本发明，能够使MOS晶体管的面积小且表面平坦，从而能得到高速且高可靠的MOS晶体管。