公开(公告)号：CN1012593B

公开(公告)日：1991-05-08

申请号：CN87102296

申请日：1987-02-05

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 白井茂 ,  齐藤惠志 ,  新井孝至 ,  加藤实 ,  藤冈靖

IPC: G03G5/08 ,  G03G5/147

CPC classification number: G03G5/08242 ,  G03G5/08228 ,  Y10S430/146

Abstract: 一个用于电子照相的光接收元件，它由基底和在基底上的光接收层构成，光接收层由一个显示光电导性的光电导层和一个表面层构成，光电导层由在硅原子阵列中含有氢原子和卤素原子中至少一种的非结晶材料构成，而表面层由含有硅原子，碳原子和氢原子组分的非结晶材料构成，在表面层中元素组分在层的厚度方向上的分布密度是变化的，以在与光电导层的界面上获得光学带隙的匹配。表面层中氢原子最大分布密度为41-70原子%。

公开(公告)号：CN87102296A

公开(公告)日：1987-10-21

申请号：CN87102296

申请日：1987-02-05

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 白井茂 ,  齐藤惠至 ,  新井孝至 ,  加藤实 ,  藤冈靖

IPC: G03G5/08 ,  G03G5/04

CPC classification number: G03G5/08242 ,  G03G5/08228 ,  Y10S430/146

Abstract: 一个用于电子照相的光接收元件，它由基底和在基底上的光接收层构成。光接收层由一个显示光电导性的光电导层和一个表面层构成。光电导层由在硅原子阵列中含有氢原子和卤素原子中至少一种的非结晶材料构成。而表面层由含有硅原子、碳原子和氢原子组分的非结晶材料构成。在表面层中元素组分在层的厚度方向上的分布密度是变化的，以便在与光电导层的界面上获得光学带隙的匹配。表面层中氢原子最大分布密度为41—70原子％。

公开(公告)号：CN1011626B

公开(公告)日：1991-02-13

申请号：CN87102801

申请日：1987-04-17

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 武井哲也 ,  青池达行 ,  加藤实 ,  齐藤惠志

IPC: G03G5/08 ,  G03G5/082 ,  G03G5/14

CPC classification number: G03G5/08242 ,  G03G5/08228 ,  Y10S430/146

Abstract: 电子摄影用的改进的光接收元件至少具有由A-Si(H，X)系列材料构成的光电导层和由A-Si(C，O，N)(H，X)构成的表面层。其特征在于，在表面层中所含原子(C，O，N)的浓度，从表面层与光电导层之间的界面位置起向着表面层的自由表面逐渐增大，同时在该界面处留下与表面层的折射系数和光电导层的折射系数之间的折射系数差(Δn)[Δn≤0.62]相对应的部分，而这在成像过程中可以忽略不计。

公开(公告)号：CN87102801A

公开(公告)日：1988-01-20

申请号：CN87102801

申请日：1987-04-17

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 武井哲也 ,  青池达行 ,  加藤实 ,  齐藤惠志

IPC: G03G5/08 ,  G03G5/02

CPC classification number: G03G5/08242 ,  G03G5/08228 ,  Y10S430/146

Abstract: 电子摄影用的改进的光接收元件至少具有由A—Si(H，X)系列材料构成的光电导层和由A—Si(C，O，N)(H，X)构成的表面层。其特征在于，在表面层中所含原子(C，O，N)的浓度，从表面层与光电导层之间的界面位置起向着表面层的自由表面逐渐增大，同时在该界面处留下与表面层的折射系数和光电导层的折射系数之间的折射系数差(n)[Δn≦0.62]相对应的部分，而这在成像过程中可以忽略不计。