公开(公告)号：CN1059234A

公开(公告)日：1992-03-04

申请号：CN91103964.3

申请日：1991-05-31

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 片冈有三 ,  一濑敏彦 ,  石敬治 ,  浅羽哲朗

IPC: H01L29/40 ,  H01L29/70 ,  H01L29/784

CPC classification number: H01L29/66416 ,  H01L21/743 ,  H01L21/761 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/41708 ,  H01L29/66272

Abstract: 一种含有双极晶体管的半导体器件，设置含有第1导电型的第1半导体区与第1导电型的比前述第1半导区还高的电阻率的第2半导体区的收集区、含有第2导电型的半导体区的基区以及含有第1导电型半导体区的发射区。在该收集区的上述第2半导体区层内，设置了连接上述第1半导体区与上述收集区上面的收集极的金属层区。