公开(公告)号：CN100590846C

公开(公告)日：2010-02-17

申请号：CN200710148317.X

申请日：2007-08-31

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 冈川崇 ,  成濑裕章 ,  让原浩 ,  西村茂 ,  青木武志 ,  藤野优也

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/768

Abstract: 降低了由加宽光电转换元件的光入射孔径的结构产生的噪声。在光电转换装置的制造方法中，布置在第一层间绝缘层中的第一孔中的第一导电体电连接第一半导体区与放大MOS晶体管的栅电极，而不通过包含在布线层中的布线。另外，第二导电体电连接与第一半导体区不同的第二半导体区与布线。在该第二导电体的结构中，布置在第一层间绝缘层中的第二孔中的第三导电体和布置在第二层间绝缘层中的第三孔中的第四导电体相互堆叠并电连接。另外，形成第一导电体的步骤和形成第三导电体的步骤同时进行。

公开(公告)号：CN101136367A

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：CN200710148317.X

申请日：2007-08-31

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 冈川崇 ,  成濑裕章 ,  让原浩 ,  西村茂 ,  青木武志 ,  藤野优也

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/768

Abstract: 降低了由加宽光电转换元件的光入射孔径的结构产生的噪声。在光电转换装置的制造方法中，布置在第一层间绝缘层中的第一孔中的第一导电体电连接第一半导体区与放大MOS晶体管的栅电极，而不通过包含在布线层中的布线。另外，第二导电体电连接与第一半导体区不同的第二半导体区与布线。在该第二导电体的结构中，布置在第一层间绝缘层中的第二孔中的第三导电体和布置在第二层间绝缘层中的第三孔中的第四导电体相互堆叠并电连接。另外，形成第一导电体的步骤和形成第三导电体的步骤同时进行。