公开(公告)号：CN103579272A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201310342100.8

申请日：2013-08-07

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 成濑裕章

IPC: H01L27/146

CPC classification number: G02B6/12 ,  G02B6/13 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14629

Abstract: 本发明公开了成像装置、成像系统和成像装置的制造方法。根据本发明的示例性实施例是一种成像装置，该成像装置包括：其中布置多个受光部的基板；被配置为布置于基板上的绝缘体；多个第一部件，该多个第一部件被配置为布置于基板上，使得多个第一部件在基板上的投影中的每一个至少部分地与多个受光部中的任一个重叠，多个第一部件中的每一个的侧面被绝缘体包围；被配置为布置于绝缘体和多个第一部件上的第二部件；和被配置为布置于第二部件中的遮光部。

公开(公告)号：CN101252138A

公开(公告)日：2008-08-27

申请号：CN200810080875.1

申请日：2008-02-22

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 成濑裕章 ,  冈川崇 ,  三岛隆一 ,  佐藤信彦 ,  让原浩

IPC: H01L27/14 ,  H01L27/146 ,  H01L23/522 ,  H04N5/225 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14636 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/7681 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76834 ,  H01L23/53238 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/14689 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种光电转换装置和使用光电转换装置的图像拾取系统。该光电转换装置包括：第一层间绝缘膜，置于半导体基板上；第一插头，置于第一层间绝缘膜中的第一孔中，用于电连接在置于半导体基板中的多个有源区之间、多个MOS晶体管的栅极之间、或者有源区和MOS晶体管的栅极之间，但不是通过配线层的配线来连接的；和第二插头，置于第一层间绝缘膜中的第二孔中，第二插头电连接至有源区，其中，被布置在第二插头上方的最靠近第二插头的配线电连接至第二插头，电连接至第二插头的配线形成双镶嵌结构的一部分。通过这样的结构，可改进光到光电转换元件上的入射效率。

公开(公告)号：CN104754254B

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201410808890.9

申请日：2014-12-23

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 国米和夫 ,  大贯裕介 ,  成濑裕章 ,  楠川将司 ,  广田克范 ,  远藤信之 ,  山崎和男 ,  小林広明

IPC: H04N5/374 ,  H04N5/3745 ,  H04N5/378 ,  H01L27/146

CPC classification number: H04N5/378 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14643 ,  H04N5/374 ,  H04N5/3745

Abstract: 公开了成像设备和成像系统。多个像素电路中的每个都是绝缘栅晶体管,并包括第种晶体管,所述第种晶体管具有要施加的等于或高于第值的栅极电势差的最大值。多个模拟信号处理电路中的每个是绝缘栅晶体管,并包括第二种晶体管,所述第二种晶体管具有要施加的等于或低于比所述第值低的第二值的栅极电势差的最大值。多个模拟信号处理电路中的每个不包括具有要施加的不比第二值高的栅极电势差的最大值的绝缘栅晶体管。

公开(公告)号：CN104754254A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201410808890.9

申请日：2014-12-23

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 国米和夫 ,  大贯裕介 ,  成濑裕章 ,  楠川将司 ,  广田克范 ,  远藤信之 ,  山崎和男 ,  小林広明

IPC: H04N5/374 ,  H04N5/3745 ,  H04N5/378 ,  H01L27/146

CPC classification number: H04N5/378 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14643 ,  H04N5/374 ,  H04N5/3745

Abstract: 公开了成像设备和成像系统。多个像素电路中的每一个都是绝缘栅晶体管，并包括第一种晶体管，所述第一种晶体管具有要施加的等于或高于第一值的栅极电势差的最大值。多个模拟信号处理电路中的每一个是绝缘栅晶体管，并包括第二种晶体管，所述第二种晶体管具有要施加的等于或低于比所述第一值低的第二值的栅极电势差的最大值。多个模拟信号处理电路中的每一个不包括具有要施加的不比第二值高的栅极电势差的最大值的绝缘栅晶体管。

公开(公告)号：CN103165634A

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN201310042689.X

申请日：2010-06-22

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 冈部刚士 ,  成濑裕章 ,  三岛隆一 ,  桥本浩平

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/14687 ,  H01L21/28518 ,  H01L27/14632

Abstract: 本发明涉及制造光电转换装置的方法。在一种制造具有像素区和外围电路区的光电转换装置的方法中，通过使得外围电路区中的MOS晶体管的栅电极或者扩散层的表面与高熔点金属进行反应形成半导体化合物层，然后在形成半导体化合物层的步骤以后在像素区和外围电路区中形成绝缘层。在绝缘层中形成接触孔以暴露像素区中的扩散层，在绝缘层中形成接触孔以暴露在外围电路区中形成的半导体化合物层。这些孔在不同时刻被形成。在形成后形成的孔之前，在先形成的接触孔中形成接触插塞。

公开(公告)号：CN102142450A

公开(公告)日：2011-08-03

申请号：CN201110042341.1

申请日：2008-02-22

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 成濑裕章 ,  冈川崇 ,  三岛隆一 ,  佐藤信彦 ,  让原浩

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L27/14636 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/7681 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76834 ,  H01L23/53238 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/14689 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供了一种光电转换装置的制造方法。该光电转换装置包括：半导体基板；光电转换元件和MOS晶体管，布置在基板中；多层配线结构，包括多个配线层的叠层和使配线层隔离的层间绝缘膜。该制造方法包括：形成MOS晶体管的栅极和有源区；在基板上形成第一层间绝缘膜；在第一层间绝缘膜中形成第一孔；在第一孔中形成金属膜以形成第一插头，以在有源区之间、栅极之间或者有源区和栅极之间相互连接；在第一层间绝缘膜中形成第二孔；在第二孔中形成金属膜，以形成第二插头，以电连接至任一有源区；形成覆盖第一插头和第二插头的第二层间绝缘膜；根据双镶嵌工艺在第二层间绝缘膜上形成双镶嵌结构。通过此结构，可改进光到光电转换元件上的入射效率。

公开(公告)号：CN101252138B

公开(公告)日：2011-03-30

申请号：CN200810080875.1

申请日：2008-02-22

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 成濑裕章 ,  冈川崇 ,  三岛隆一 ,  佐藤信彦 ,  让原浩

IPC: H01L27/14 ,  H01L27/146 ,  H01L23/522 ,  H04N5/225 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14636 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/7681 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76834 ,  H01L23/53238 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/14689 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种光电转换装置和使用光电转换装置的图像拾取系统。该光电转换装置包括：第一层间绝缘膜，置于半导体基板上；第一插头，置于第一层间绝缘膜中的第一孔中，用于电连接在置于半导体基板中的多个有源区之间、多个MOS晶体管的栅极之间、或者有源区和MOS晶体管的栅极之间，但不是通过配线层的配线来连接的；和第二插头，置于第一层间绝缘膜中的第二孔中，第二插头电连接至有源区，其中，被布置在第二插头上方的最靠近第二插头的配线电连接至第二插头，电连接至第二插头的配线形成双镶嵌结构的一部分。通过这样的结构，可改进光到光电转换元件上的入射效率。

公开(公告)号：CN101252137A

公开(公告)日：2008-08-27

申请号：CN200810080868.1

申请日：2008-02-22

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 三岛隆一 ,  成濑裕章

IPC: H01L27/14 ,  H01L27/146 ,  H01L23/522 ,  H01L21/822 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L31/18 ,  H01L27/14625 ,  H01L31/02327

Abstract: 本发明公开一种光电转换设备和制造光电转换设备的方法，该光电转换设备包括置于半导体衬底上的光电转换元件，以及多层布线结构，该多层布线结构包括在半导体衬底上方配置的多个布线层，所述多个布线层被配置为以便在它们之间夹着层间绝缘膜。至少在最上面的一个布线层上配置扩散抑制膜，该扩散抑制膜用于抑制形成最上面的布线层的材料的扩散；扩散抑制膜覆盖最上面的布线层和层间绝缘膜的对应于光电转换元件的区域；以及对扩散抑制膜的对应于光电转换元件的区域配置透镜。

公开(公告)号：CN103219351A

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN201310098789.4

申请日：2008-02-22

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 三岛隆一 ,  成濑裕章

IPC: H01L27/146 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/18 ,  H01L27/14625 ,  H01L31/02327

Abstract: 本发明公开一种光电转换设备和制造光电转换设备的方法。该光电转换设备包括置于半导体衬底上的光电转换元件，以及多层布线结构，该多层布线结构包括在半导体衬底上方配置的多个布线层，所述多个布线层被配置为以便在它们之间夹着层间绝缘膜。至少在最上面的一个布线层上配置扩散抑制膜，该扩散抑制膜用于抑制形成最上面的布线层的材料的扩散；扩散抑制膜覆盖最上面的布线层和层间绝缘膜的对应于光电转换元件的区域；以及对扩散抑制膜的对应于光电转换元件的区域配置透镜。

公开(公告)号：CN101937922B

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN201010213279.3

申请日：2010-06-22

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 冈部刚士 ,  成濑裕章 ,  三岛隆一 ,  桥本浩平

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/14687 ,  H01L21/28518 ,  H01L27/14632

Abstract: 本发明涉及制造光电转换装置的方法。在一种制造具有像素区和外围电路区的光电转换装置的方法中，通过使得外围电路区中的MOS晶体管的栅电极或者扩散层的表面与高熔点金属进行反应形成半导体化合物层，然后在形成半导体化合物层的步骤以后在像素区和外围电路区中形成绝缘层。在绝缘层中形成接触孔以暴露像素区中的扩散层，在绝缘层中形成接触孔以暴露在外围电路区中形成的半导体化合物层。这些孔在不同时刻被形成。在形成后形成的孔之前，在先形成的接触孔中形成接触插塞。