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    光电转换装置、其制造方法和设备
    2.
    发明公开
    光电转换装置、其制造方法和设备 失效

    公开(公告)号：CN109841635A

    公开(公告)日：2019-06-04

    申请号：CN201811402133.6

    申请日：2018-11-23

    Applicant: 佳能株式会社

    Inventor： 金田翼 ,  庄山敏弘

    IPC: H01L27/142 ,  H01L27/146

    Abstract: 本发明涉及光电转换装置、其制造方法和设备。光电转换装置包括布置于由硅制成的半导体基板中的光电转换器和布置于基板的表面上的晶体管。光电转换器包含被配置为蓄积电荷的第一导电类型的第一区域和第二导电类型的第二区域。第一区域被布置于表面与第二区域之间。基板包含作为晶体管的源极和/或漏极的第三区域。基板在处于第三区域之下并且与第三区域分开的位置中包含杂质区域，所述杂质区域含有硅以外的第14族元素。杂质区域中的所述第14族元素的浓度分布中的峰值位置距表面的深度小于第二区域中的多数载流子的浓度分布中的峰值位置距表面的深度。

    发光装置、显示装置、摄像装置和电子设备
    3.
    发明公开
    发光装置、显示装置、摄像装置和电子设备 审中-实审

    公开(公告)号：CN116264809A

    公开(公告)日：2023-06-16

    申请号：CN202211585340.6

    申请日：2022-12-09

    Applicant: 佳能株式会社

    Inventor： 伊藤希之 ,  梶本典史 ,  佐野博晃 ,  金田翼 ,  松田阳次郎 ,  冲田彰

    IPC: H10K59/65 ,  H10K59/122

    Abstract: 发光装置、显示装置、摄像装置和电子设备。在发光装置中，反射膜、第一电极、包括发光层的有机膜、第二电极和光学构件依次配置在基板的主表面上，并且设置有被构造为覆盖第一电极的周边部的堤状物以限定发光区域。反射膜、第一电极、有机膜和第二电极形成共振器结构，该共振器结构被构造为使有机膜中产生的光在反射膜和第二电极之间共振。在发光区域中，反射膜的上表面比第一电极平坦。共振器结构具有多个互不相同的光路长度。

    半导体设备、光电转换设备和电子装置
    4.
    发明公开
    半导体设备、光电转换设备和电子装置 审中-公开

    公开(公告)号：CN118507499A

    公开(公告)日：2024-08-16

    申请号：CN202410180847.6

    申请日：2024-02-18

    Applicant: 佳能株式会社

    Inventor： 金田翼

    IPC: H01L27/146

    Abstract: 本发明提供一种半导体设备、光电转换设备和电子装置。所述半导体设备包括第一晶体管和第二晶体管。所述第一晶体管包括各自布置在扩散区域中的相应一个与沟道区域之间、且杂质浓度低于扩散区域的第一区域和第二区域，并且所述第一区域的第一长度比所述第二区域的长度长。所述第二晶体管包括各自布置在扩散区域中的相应一个与沟道区域之间、且杂质浓度低于扩散区域的第三区域和第四区域，并且所述第三区域的第三长度比所述第四区域的长度长。所述第一区域的深度等于所述第三区域的深度，所述第三长度比所述第一长度长，并且比所述第一晶体管更高的电压被施加到所述第二晶体管。

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