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公开(公告)号：CN118431245A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410547195.5
申请日：2019-02-03
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 小川俊之
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明涉及具有隔离部分的光电转换装置与成像系统和移动体。一种光电转换装置具有隔离结构。第一隔离部分和第二隔离部分设置在第一光电转换元件和第二光电转换元件之间。第一隔离部分从半导体层的第一面延伸到对应于从半导体层的第一面到第二面的长度的至少四分之一的位置。第二隔离部分从半导体层的第二面延伸到对应于从第一面到第二面的长度的至少四分之一的位置。
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公开(公告)号：CN106252367B
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN201610407002.1
申请日：2016-06-12
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开内容涉及成像装置、制造该成像装置的方法和照相机。一种制造成像装置的方法包括：制备包括晶圆和布置在晶圆上的硅层的基板，晶圆包括由单晶硅制成的、氧浓度不小于2×1016个原子/cm3并且不大于4×1017个原子/cm3的第一半导体区域，硅层包括由单晶硅制成的、氧浓度低于第一半导体区域中的氧浓度的第二半导体区域；在含有氧的气氛中使基板退火，并且将第二半导体区域中的氧浓度设置在不小于2×1016个原子/cm3并且不大于4×1017个原子/cm3的范围内；并且在退火之后在第二半导体区域中形成光电转换元件。
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公开(公告)号：CN110137190B
公开(公告)日：2024-04-23
申请号：CN201910110245.2
申请日：2019-02-11
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供光电转换设备和装置。光电转换设备包括：半导体层，其具有正面和背面并且在所述正面与所述背面之间设置有多个光电转换部；配线结构，其配置于所述半导体层的所述正面侧；分离部，其配置在多个所述光电转换部之间并且由与所述背面连续的沟槽形成；第一遮光部，其以与所述分离部重叠的方式在所述背面侧配置在所述半导体层的上方；以及第二遮光部，其以隔着配置在多个所述光电转换部中的至少一个光电转换部上方的区域面向所述第一遮光部的方式在所述背面侧配置在所述半导体层的上方。
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公开(公告)号：CN112635501A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011049822.0
申请日：2020-09-29
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 小川俊之
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明涉及半导体装置和设备。半导体装置包括彼此堆叠的第一和第二半导体部件。第一部件包括第一绝缘层和多个第一金属焊盘。第二部件包括第二绝缘层和多个第二金属焊盘。多个第一金属焊盘中的各个和多个第二金属焊盘中的各个彼此接合以形成多个接合部中的各个。沿半导体装置的边缘并穿过第一绝缘层和第二绝缘层之间的接合面的第一开口和第二开口形成在半导体装置中。多个接合部的第一开口和第二开口之间的第一接合部布置在不同的位置。
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公开(公告)号：CN112635501B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202011049822.0
申请日：2020-09-29
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 小川俊之
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明涉及半导体装置和设备。半导体装置包括彼此堆叠的第一和第二半导体部件。第一部件包括第一绝缘层和多个第一金属焊盘。第二部件包括第二绝缘层和多个第二金属焊盘。多个第一金属焊盘中的各个和多个第二金属焊盘中的各个彼此接合以形成多个接合部中的各个。沿半导体装置的边缘并穿过第一绝缘层和第二绝缘层之间的接合面的第一开口和第二开口形成在半导体装置中。多个接合部的第一开口和第二开口之间的第一接合部布置在不同的位置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108183113B
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN201711289553.3
申请日：2017-12-08
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L31/0288
Abstract: 本申请涉及光电转换设备、相机、制造半导体基板的方法以及制造光电转换设备的方法。该光电转换设备具有硅基板，该硅基板包括被配置为执行光电转换的第一部分和被布置为比第一部分更远离硅基板的光接收表面并且包含碳的第二部分。作为第二部分中的碳峰值浓度的第一峰值浓度不小于1×1018[原子/cm3]且不大于1×1020[原子/cm3]，并且作为第二部分中的氧峰值浓度的第二峰值浓度不小于第一峰值浓度的1/1000且不大于第一峰值浓度的1/10。
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公开(公告)号：CN111063701A
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201910985723.4
申请日：2019-10-17
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开涉及光电转换装置和包括光电转换装置的装备。光电转换装置包括：半导体层，其中在受光区域中布置有第一光电转换器，并且在遮光区域中布置有第二光电转换器；遮光壁，布置在半导体层上方并限定分别与第一光电转换器对应的孔；以及遮光膜，布置在半导体层上方。遮光膜包括沿着半导体层的主表面延伸以覆盖第二光电转换器的第一部分。第一部分具有下表面和上表面。遮光壁包括第二部分，其与半导体层的距离大于上表面和主表面之间的距离。第一部分在垂直于主表面的方向上的厚度大于第二部分在平行于主表面的方向上的厚度。
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公开(公告)号：CN110137190A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910110245.2
申请日：2019-02-11
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供光电转换设备和装置。光电转换设备包括：半导体层，其具有正面和背面并且在所述正面与所述背面之间设置有多个光电转换部；配线结构，其配置于所述半导体层的所述正面侧；分离部，其配置在多个所述光电转换部之间并且由与所述背面连续的沟槽形成；第一遮光部，其以与所述分离部重叠的方式在所述背面侧配置在所述半导体层的上方；以及第二遮光部，其以隔着配置在多个所述光电转换部中的至少一个光电转换部上方的区域面向所述第一遮光部的方式在所述背面侧配置在所述半导体层的上方。
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公开(公告)号：CN110137189B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN201910108206.9
申请日：2019-02-03
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 小川俊之
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明涉及具有隔离部分的光电转换装置与成像系统和移动体。一种光电转换装置具有隔离结构。第一隔离部分和第二隔离部分设置在第一光电转换元件和第二光电转换元件之间。第一隔离部分从半导体层的第一面延伸到对应于从半导体层的第一面到第二面的长度的至少四分之一的位置。第二隔离部分从半导体层的第二面延伸到对应于从第一面到第二面的长度的至少四分之一的位置。
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公开(公告)号：CN110137189A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910108206.9
申请日：2019-02-03
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 小川俊之
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明涉及具有隔离部分的光电转换装置与成像系统和移动体。一种光电转换装置具有隔离结构。第一隔离部分和第二隔离部分设置在第一光电转换元件和第二光电转换元件之间。第一隔离部分从半导体层的第一面延伸到对应于从半导体层的第一面到第二面的长度的至少四分之一的位置。第二隔离部分从半导体层的第二面延伸到对应于从第一面到第二面的长度的至少四分之一的位置。
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