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公开(公告)号:CN101380847A
公开(公告)日:2009-03-11
申请号:CN200810212556.1
申请日:2008-09-05
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: B41J2/14145 , B41J2/1603 , B41J2/1629 , B41J2/1631 , B41J2/1632 , B41J2/1634 , B41J2/1635 , B41J2/1639 , B41J2/1645
Abstract: 本发明公开了一种用于制造液体喷射头基底的方法,所述基底包括具有用于供应液体的供给端口的硅基底。所述方法包括:在硅基底表面上设置蚀刻掩模层,所述蚀刻掩模层在与所述供给端口相对应的部分上具有开口;通过经由蚀刻掩模层上的开口对硅基底进行各向异性蚀刻而在所述硅基底上形成第一凹部;在所述硅基底的第一凹部的表面上形成第二凹部,所述第二凹部朝向硅基底的另一表面延伸;和通过从具有第二凹部的表面对所述硅基底进行各向异性蚀刻而形成供给端口。本发明还公开了相应的液体喷射头。
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公开(公告)号:CN101380847B
公开(公告)日:2010-08-25
申请号:CN200810212556.1
申请日:2008-09-05
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: B41J2/14145 , B41J2/1603 , B41J2/1629 , B41J2/1631 , B41J2/1632 , B41J2/1634 , B41J2/1635 , B41J2/1639 , B41J2/1645
Abstract: 本发明公开了一种用于制造液体喷射头基底的方法,所述基底包括具有用于供应液体的供给端口的硅基底。所述方法包括:在硅基底表面上设置蚀刻掩模层,所述蚀刻掩模层在与所述供给端口相对应的部分上具有开口;通过经由蚀刻掩模层上的开口对硅基底进行各向异性蚀刻而在所述硅基底上形成第一凹部;在所述硅基底的第一凹部的表面上形成第二凹部,所述第二凹部朝向硅基底的另一表面延伸;和通过从具有第二凹部的表面对所述硅基底进行各向异性蚀刻而形成供给端口。本发明还公开了相应的液体喷射头。
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