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公开(公告)号：CN109212895A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201810683268.8
申请日：2018-06-28
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及一种光掩模坯料和光掩模。具体涉及一种用于ArF准分子激光的曝光光的光掩模坯料，包括：透明衬底和包含钼、硅和氮的遮光膜。将该遮光膜形成为由单一组成层或组成梯度层组成的单层或者多层，远离该衬底的一侧的遮光膜的反射率为40％以下，并且所有层的衬底侧和远离衬底的一侧的表面处的折射率中，最高折射率与最低折射率之差为0.2以下，并且在表面处的消光系数中，最高与最低消光系数之差为0.5以下。该遮光膜在掩模加工中的蚀刻工艺或缺陷修正中呈现令人满意且未劣化的掩模图案的截面形状。
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公开(公告)号：CN118795721A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410415427.1
申请日：2024-04-08
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够简便地评估基准标记的加工精度(例如深度)的EUV掩膜坯料的评估方法。一种形成于EUV掩膜坯料的基准标记的评估方法，拍摄形成于所述EUV掩膜坯料的基准标记并获取基准标记图像，根据该获取到的基准标记图像获取作为所述基准标记与背景水平的对比度的基准标记对比度，通过该获取到的基准标记对比度评估所述基准标记的加工精度。
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公开(公告)号：CN110955109B
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN201910914432.6
申请日：2019-09-26
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F1/26
Abstract: 本发明提供相移型光掩模坯料和相移型光掩模。具体提供一种相移型光掩模坯料，其包括透明衬底和其上的相移膜，所述相移膜由单层或多层组成，所述单层或多层包括选自由过渡金属、硅、氮和氧构成的层和由硅、氮和氧构成的层中的至少一层，对于波长为200nm以下的光，所述相移膜的相移为150°至250°，透射率为60％至80％，所述相移膜的厚度为150nm以下，以及由过渡金属、硅、氮和氧构成的层的作为过渡金属与过渡金属和硅的总含量之比的含量(原子比)为0.03以下。
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公开(公告)号：CN109212895B
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN201810683268.8
申请日：2018-06-28
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及一种光掩模坯料和光掩模。具体涉及一种用于ArF准分子激光的曝光光的光掩模坯料，包括：透明衬底和包含钼、硅和氮的遮光膜。将该遮光膜形成为由单一组成层或组成梯度层组成的单层或者多层，远离该衬底的一侧的遮光膜的反射率为40％以下，并且所有层的衬底侧和远离衬底的一侧的表面处的折射率中，最高折射率与最低折射率之差为0.2以下，并且在表面处的消光系数中，最高与最低消光系数之差为0.5以下。该遮光膜在掩模加工中的蚀刻工艺或缺陷修正中呈现令人满意且未劣化的掩模图案的截面形状。
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公开(公告)号：CN110955109A
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201910914432.6
申请日：2019-09-26
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F1/26
Abstract: 本发明提供相移型光掩模坯料和相移型光掩模。具体提供一种相移型光掩模坯料，其包括透明衬底和其上的相移膜，所述相移膜由单层或多层组成，所述单层或多层包括选自由过渡金属、硅、氮和氧构成的层和由硅、氮和氧构成的层中的至少一层，对于波长为200nm以下的光，所述相移膜的相移为150°至250°，透射率为60％至80％，所述相移膜的厚度为150nm以下，以及由过渡金属、硅、氮和氧构成的层的作为过渡金属与过渡金属和硅的总含量之比的含量(原子比)为0.03以下。
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