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公开(公告)号：CN105518529A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201480049627.4
申请日：2014-07-24
Applicant: 信越聚合物株式会社 , 信越化学工业株式会社
IPC: G03F1/66 , H01L21/673
CPC classification number: G03F1/66 , H01L21/67359 , H01L21/67393
Abstract: 本发明抑制对光阻图案产生的影响并且更确实地降低因在保管、搬送或容器操作的过程中所有可能产生的尘埃或粒子的附着引起的光罩基底的污染，提高光罩基底的质量及良率。本发明涉及一种光罩基底衬底收纳容器(1)，其收纳、搬送或保管光罩基底衬底(2)，且其构成零件中的至少1个包含以40℃保持60分钟下通过动态顶空法测定的己内酰胺量以正癸烷换算计每树脂单位重量成为0.01ppm以下的热塑性树脂，并且该构成零件的表面电阻值为1.0E+13欧姆以下。
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公开(公告)号：CN109085737B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN201810605620.6
申请日：2018-06-13
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及一种光掩模坯料及制造方法。将光掩模坯料加工成透射光掩模，该透射光掩模用于使用曝光光在接受体上形成图案的光刻。该光掩模坯料包括：透明衬底、可通过氯/氧基干蚀刻来蚀刻的材料的第一膜、和含硅材料的第二膜。该第二膜包括相对于检查光的波长(长于曝光光)具有至少1.6的折射率n或至少0.3的消光系数k的层。
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公开(公告)号：CN106502046A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201610791121.1
申请日：2016-08-31
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F1/84
CPC classification number: G01N21/8851 , G01N21/956 , G01N2021/95676 , G03F1/84
Abstract: 本发明公开了检查存在于包括光学膜和薄膜的光掩模坯的表面部的缺陷的方法。该方法包括：选择和指定对应于光掩模坯的光学膜和薄膜的模式的用于判定缺陷的凹凸形状的标准和检查处理工序；基于指定的检查处理工序，施加检查光至包括缺陷的区域，同时保持缺陷和检查用光学系统的物镜之间的距离，通过该检查用光学系统将来自被检查光照射的区域的反射光作为该区域的放大图像聚集；以及基于指定的用于判定的标准，从该放大图像的光强度分布判定缺陷的凹凸形状。
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公开(公告)号：CN106502046B
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN201610791121.1
申请日：2016-08-31
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F1/84
Abstract: 本发明公开了检查存在于包括光学膜和薄膜的光掩模坯的表面部的缺陷的方法。该方法包括：选择和指定对应于光掩模坯的光学膜和薄膜的模式的用于判定缺陷的凹凸形状的标准和检查处理工序；基于指定的检查处理工序，施加检查光至包括缺陷的区域，同时保持缺陷和检查用光学系统的物镜之间的距离，通过该检查用光学系统将来自被检查光照射的区域的反射光作为该区域的放大图像聚集；以及基于指定的用于判定的标准，从该放大图像的光强度分布判定缺陷的凹凸形状。
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公开(公告)号：CN109085737A
公开(公告)日：2018-12-25
申请号：CN201810605620.6
申请日：2018-06-13
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及一种光掩模坯料及制造方法。将光掩模坯料加工成透射光掩模，该透射光掩模用于使用曝光光在接受体上形成图案的光刻。该光掩模坯料包括：透明衬底、可通过氯/氧基干蚀刻来蚀刻的材料的第一膜、和含硅材料的第二膜。该第二膜包括相对于检查光的波长(长于曝光光)具有至少1.6的折射率n或至少0.3的消光系数k的层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106292180A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610467574.9
申请日：2016-06-24
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F1/84 , G01N21/892
CPC classification number: G03F1/36 , G01B11/24 , G01N21/9501 , G01N2201/0638 , G03F1/84 , G01N21/892 , G01N2021/8924
Abstract: 本发明涉及光掩模坯的缺陷检查方法、分选方法和制备方法；利用检查用光学系统检查在具有在基底上形成的至少一个薄膜的光掩模坯的表面部分上存在的缺陷的方法。该方法包括设定缺陷和检查用光学系统的物镜之间的距离为离焦量，通过物镜对缺陷施加检查光，通过物镜将来自用检查光照射的区域的反射光作为放大图像聚集，识别放大图像的光强度变化部分，并且基于放大图像的光强度变化部分的光强度上的变化测定缺陷的凹凸形状。
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公开(公告)号：CN105549322A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201510695980.6
申请日：2015-10-23
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F1/84
Abstract: 评价光掩模坯料的缺陷尺寸。用检验光照射检验-目标光掩模坯料并且通过检验光学系统的物镜将用检验光照射的检验-目标光掩模坯料的区域的反射光作为该区域的放大图像被聚集。接着，识别该放大图像的光强度分布范围中的强度变化部分。接下来，得到该强度变化的光强度的差和得到该强度变化部分的宽度作为缺陷的表观宽度。接着，基于显示光强度的差、缺陷表观宽度和缺陷的实际宽度之间的关系的预定的转换公式计算缺陷宽度，并且评价缺陷宽度。
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公开(公告)号：CN118795721A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410415427.1
申请日：2024-04-08
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够简便地评估基准标记的加工精度(例如深度)的EUV掩膜坯料的评估方法。一种形成于EUV掩膜坯料的基准标记的评估方法，拍摄形成于所述EUV掩膜坯料的基准标记并获取基准标记图像，根据该获取到的基准标记图像获取作为所述基准标记与背景水平的对比度的基准标记对比度，通过该获取到的基准标记对比度评估所述基准标记的加工精度。
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公开(公告)号：CN106292180B
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN201610467574.9
申请日：2016-06-24
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F1/84 , G01N21/892
Abstract: 本发明涉及光掩模坯的缺陷检查方法、分选方法和制备方法；利用检查用光学系统检查在具有在基底上形成的至少一个薄膜的光掩模坯的表面部分上存在的缺陷的方法。该方法包括设定缺陷和检查用光学系统的物镜之间的距离为离焦量，通过物镜对缺陷施加检查光，通过物镜将来自用检查光照射的区域的反射光作为放大图像聚集，识别放大图像的光强度变化部分，并且基于放大图像的光强度变化部分的光强度上的变化测定缺陷的凹凸形状。
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公开(公告)号：CN110618582A
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201910531526.5
申请日：2019-06-19
Applicant: 信越化学工业株式会社
Inventor： 木下隆裕
IPC: G03F1/84
Abstract: 技术问题：提供一种光掩膜坯料关联基板的评价方法，在光掩膜坯料关联基板中，能够简便地评价其表面状态(例如，形成于透明基板上的光学膜等的透射率、光学常数以外的膜质)。解决方案：在光掩膜坯料关联基板的评价方法中，拍摄所述光掩膜坯料关联基板的表面而获取表面图像，并从该获取的表面图像中获取该表面图像的对比度，并利用该获取的表面图像的对比度来评价所述光掩膜坯料关联基板。
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