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公开(公告)号：CN111308851B
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN201911264530.6
申请日：2019-12-11
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F1/26
Abstract: 本发明涉及一种光掩模坯料和制造光掩模的方法。该光掩模坯料用于在通过具有波长为至多250nm的曝光光的图案转印中使用的光掩模的材料，包括透明衬底、在衬底上直接形成的或者以在透明衬底和含铬膜之间插入光学膜的方式形成的含铬膜。含铬膜包括区域(A)，所述区域(A)由含有铬、氧和碳的铬化合物组成，其中在铬化合物中含有的每种元素的含量在区域(A)的厚度方向上连续变化，并且朝向衬底，铬含量提高并且碳含量降低。
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公开(公告)号：CN112925163B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202011339150.7
申请日：2020-11-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
Inventor： 松桥直树
IPC: G03F1/22 , G03F1/50 , G03F1/54 , G03F1/62 , G03F1/68 , G03F1/80 , H01L21/027 , H01L21/033
Abstract: 发明涉及的光掩模板包括：基板；被加工膜；以及由含有铬的材料构成的膜，该膜从远离基板的一侧起具有第1层、第2层、第3层以及第4层。第1层的铬含有率为40原子％以下(含)，氧含有率为38原子％以上(含)，氮含有率为22原子％以下(含)，且厚度为6nm以下(含)。第2层的铬含有率为38原子％以下(含)，氧含有率为30原子％以上(含)，氮含有量为18原子％以下(含)，碳为14原子％以下(含)，且膜厚为22nm以上(含)且32nm以下(含)。第3层的铬含有率为50原子％以下(含)，氧含有率为30原子％以下(含)，氮含有量为20原子％以上(含)，且膜厚为6nm以下(含)。第4层的铬含有率为44原子％以下(含)，氧含有率为20原子％以上(含)，氮含有量为20原子％以下(含)，碳为16原子％以下(含)，且膜厚为13nm以上(含)。
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公开(公告)号：CN112925163A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN202011339150.7
申请日：2020-11-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
Inventor： 松桥直树
IPC: G03F1/22 , G03F1/50 , G03F1/54 , G03F1/62 , G03F1/68 , G03F1/80 , H01L21/027 , H01L21/033
Abstract: 发明涉及的光掩模板包括：基板；被加工膜；以及由含有铬的材料构成的膜，该膜从远离基板的一侧起具有第1层、第2层、第3层以及第4层。第1层的铬含有率为40原子％以下(含)，氧含有率为38原子％以上(含)，氮含有率为22原子％以下(含)，且厚度为6nm以下(含)。第2层的铬含有率为38原子％以下(含)，氧含有率为30原子％以上(含)，氮含有量为18原子％以下(含)，碳为14原子％以下(含)，且膜厚为22nm以上(含)且32nm以下(含)。第3层的铬含有率为50原子％以下(含)，氧含有率为30原子％以下(含)，氮含有量为20原子％以上(含)，且膜厚为6nm以下(含)。第4层的铬含有率为44原子％以下(含)，氧含有率为20原子％以上(含)，氮含有量为20原子％以下(含)，碳为16原子％以下(含)，且膜厚为13nm以上(含)。
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公开(公告)号：CN109782527B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN201811342214.1
申请日：2018-11-13
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明体积一种光掩模坯料和制备光掩模的方法。具体提供一种包含透明衬底和含铬膜的光掩模坯料。该含铬膜包括由含氧或者氧和氮的含碳的铬化合物组成的层。该层的碳/铬原子比是0.3以上，氮/铬原子比是0.1以下，铬含量是50at％以下且碳/氧原子比是0.8以上，或铬含量是60at％以下且碳/氧原子比是1以上。通过干法刻蚀含铬膜将光掩模坯料加工成光掩模。
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公开(公告)号：CN114442420A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202111268300.4
申请日：2021-10-29
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及相移掩模坯料、相移掩模的制造方法和相移掩模。相移掩模坯料，包括透明基板、在透明基板上形成的刻蚀保护膜、和与刻蚀保护膜接触地形成的相移膜，其中曝光光是ArF准分子激光。刻蚀保护膜包含含有铪和氧、或者铪、硅和氧的材料，并具有1至30nm的厚度和相对于曝光光不小于85％的透射率，并且相移膜包含含有硅且不含铪的材料，并具有50至90nm的厚度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113874784A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202080039879.4
申请日：2020-04-20
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供光掩模坯，其中，抗蚀剂膜相对于含有铬的膜的密合性高，在辅助光掩模的主要图案的分辨率的、线图案的辅助图案的形成中能够实现良好的分辨率极限、良好的CD线性度。光掩模坯(511)在基板上包括被加工膜(21)；从与基板分离的一侧起，包括第1层(311)、第2层(312)和第3层(313)，第1层(311)含有氧和氮，铬含有率为40原子％以下，氧含有率为50原子％以上，氮含有率为10原子％以下，厚度为6nm以下，第2层(312)含有氧、氮和碳，铬含有率为40原子％以下，氧含有率为30原子％以上，氮含有率为17原子％以上，碳含有率为13原子％以下，厚度为46nm以上，第3层(313)含有氧和氮，铬含有率为50原子％以上，氧含有率为20原子％以下，氮含有率为30原子％以上。
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公开(公告)号：CN109782527A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201811342214.1
申请日：2018-11-13
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明体积一种光掩模坯料和制备光掩模的方法。具体提供一种包含透明衬底和含铬膜的光掩模坯料。该含铬膜包括由含氧或者氧和氮的含碳的铬化合物组成的层。该层的碳/铬原子比是0.3以上，氮/铬原子比是0.1以下，铬含量是50at％以下且碳/氧原子比是0.8以上，或铬含量是60at％以下且碳/氧原子比是1以上。通过干法刻蚀含铬膜将光掩模坯料加工成光掩模。
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公开(公告)号：CN116400559A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202211414873.8
申请日：2022-11-11
Applicant: 信越化学工业株式会社
Inventor： 松桥直树
Abstract: 本发明的光掩模坯料具有基板以及由含铬材料构成的多层膜。所述多层膜从远离所述基板的一侧开始具有第一层、第二层及第三层。所述第以一层含有铬、氧、氮和碳，其中铬含有率为43原子％以下，氧含有率为32原子％以上，氮含有率为25原子％以下，碳含量为18原子％以下，且厚度为8nm以上16nm以下。所述第二层含有铬和氮，其中铬含有率为66原子％以上92原子％以下，氮含有率为8原子％以上30原子％以下，且厚度为50nm以上75nm以下。所述第三层含有铬、氧和氮，其中铬含有率为44原子％以下，氧含有率为30原子％以上，氮含有率为28原子％以下，且厚度为10nm以下。所述多层膜的表面粗糙度Rq为0.65nm以下。
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公开(公告)号：CN115308983A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202210348350.1
申请日：2022-04-01
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种光掩模坯料，其含铬膜的表层粗糙度良好，能够检测出50nm的缺陷，电阻值小，能够吸附异物，且能够读取条形码图案。所述光掩模坯料具备基板与含铬膜，该含铬膜从远离基板的一侧起具有第一层、第二层及第三层，这些层均含铬，第一层进一步含有氧及氮，Cr为44原子％以下、O为30原子％以上、N为26原子％以下，且厚度为8～20nm；第二层进一步含有氮，Cr为66～92原子％、N为8～34原子％，且厚度为40～70nm以下；第三层进一步含有氧及氮，Cr为44原子％以下、O为30原子％以上、N为26原子％以下，且厚度为10nm以下。
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公开(公告)号：CN114200765A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111076088.1
申请日：2021-09-14
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F1/26
Abstract: 本发明提供一种具有相位控制性良好且通过使用氯氧气体的蚀刻而得到的图案形状优异的相移膜的相移掩模坯料。所述相移掩模坯料具有透明基板、及形成于透明基板上的相移膜，相移膜在波长200nm以下的曝光波长下的相位差为160～200°、透射率为3～15％，相移膜从透明基板侧开始依次包含下层与上层，上层含有过渡金属、硅、氮和/或氧、或者含有硅、氮和/或氧，下层含有铬、硅、氮和/或氧，相对于下层的铬与硅的合计，硅的含有率为3％以上且小于15％，且氧的含有率相对于铬与硅的合计含有率的比率小于1.7，且氟类的干法蚀刻中的上层与下层的蚀刻选择比为10以上。
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