公开(公告)号：CN117226680A

公开(公告)日：2023-12-15

申请号：CN202310687732.1

申请日：2023-06-12

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 枪田直树 ,  原田大实 ,  松井晴信 ,  竹内正树

IPC: B24B29/02 ,  C09G1/02

Abstract: 本发明涉及一种衬底及其制造方法。本文中提供了用于制造适于EUVL的掩模坯料的衬底的方法，以及能够抑制深度小于5nm的凹陷缺陷的方法。本发明提供了制造衬底的方法，其中通过具有配备有抛光垫的上抛光板的抛光设备来进行最终抛光，所述方法包括以下步骤：将衬底原料放置在抛光设备中，使得该衬底原料的主表面朝向该上抛光板；旋转上抛光板并在衬底原料的主表面上与抛光浆料一起抛光该衬底原料；以及将保持旋转的上抛光板升高以使其与抛光的衬底原料的主表面分离。

公开(公告)号：CN113777875A

公开(公告)日：2021-12-10

申请号：CN202110634712.9

申请日：2021-06-08

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 枪田直树 ,  原田大实 ,  竹内正树

IPC: G03F1/24 ,  G03F1/60

Abstract: 本发明涉及一种掩模坯料用玻璃衬底。具体提供了这样的掩模坯料用玻璃衬底，其在0.1μm‑1以上且20μm‑1以下的空间频率下的圆形平均功率谱密度的最大值为1,000nm4以下，用原子力显微镜观察10μm×10μm区域的表面形貌获得该最大值。

公开(公告)号：CN115685667A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202210856517.5

申请日：2022-07-20

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 杉山朋阳 ,  原田大实 ,  松井晴信 ,  枪田直树 ,  竹内正树

IPC: G03F1/68 ,  G03F1/70 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明涉及掩模坯料基板及其制造方法。掩模坯料基板，当在以下情况下时，具有100nm或更小的计算表面的平坦度：设置穿过第一和第二主表面的中心部分并在水平方向上延伸的计算区域，切割出第一区域表面，通过设置基准平面和旋转轴并将基板旋转180°切割出第二区域表面，计算最小二乘平面，将第一和第二区域表面转化成最小二乘平面上位置的高度图，通过对称地移动所述高度图将第二区域表面的高度图设置为倒置高度图，和将通过第一区域表面的高度图的高度和第二区域表面的倒置高度图相加而获得的计算高度图设置为所述计算表面。

公开(公告)号：CN117289541A

公开(公告)日：2023-12-26

申请号：CN202310736900.1

申请日：2023-06-21

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 杉山朋阳 ,  原田大实 ,  松井晴信 ,  枪田直树 ,  竹内正树

IPC: G03F1/66 ,  G03F1/68 ,  G03F1/82

Abstract: 本发明涉及一种用于掩模坯料的衬底及其制造方法。具有152mm×152mm见方的第一和第二主表面以及6.35mm的厚度的用于掩模坯料的衬底，其中：当中心在对角线交点上的132mm×132mm正方形的范围定义为在第一主表面与第二主表面每者中的计算区域时，在第一主表面和第二主表面的至少一者的计算区域的衬底表面上，基于最小二乘平面的计算区域的衬底表面的平坦度为100nm以下，并且计算表面高度的最高值与最低值之间的差值(PV)为20nm以下，所述差值(PV)由基于最小二乘平面的使用高斯滤波器(10mm×10mm)的平滑处理之前该衬底表面的形状与平滑处理之后的形状之间的差异所表示。

公开(公告)号：CN115386341A

公开(公告)日：2022-11-25

申请号：CN202210559455.1

申请日：2022-05-23

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 枪田直树 ,  原田大实 ,  松井晴信 ,  竹内正树

IPC: C09K3/14

Abstract: 本发明涉及研磨组合物。包括含有胶态二氧化硅颗粒的胶态二氧化硅、pH调节剂和螯合剂的研磨组合物以低成本和高生产率提供具有高平坦度、低缺陷和低表面粗糙度的表面的基板，并且提供具有高表面品质的基板，适合作为掩模坯料用基板例如含有SiO2作为主要组分的玻璃基板，特别地作为在EUVL中使用的掩模坯料用基板。