公开(公告)号：CN108415218B

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN201810125208.4

申请日：2018-02-08

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 稻月判臣 ,  笹本纮平 ,  由利勉

IPC: G03F1/26 ,  G03F1/32 ,  G03F1/56 ,  G03F1/68

Abstract: 本发明涉及制备光掩模坯料的方法、光掩模坯料，制备光掩模的方法、光掩模和金属铬靶。具体涉及一种用于制备包含透明衬底和与其邻接的含铬膜的光掩模坯料的方法，包括通过溅射具有至多1ppm的Ag含量的金属铬靶来沉积含铬膜的步骤。当从光掩模坯料制备的光掩模在图案化曝光中被重复用于ArF准分子激光照射时，在光掩模上形成的缺陷数量被最小化。

公开(公告)号：CN108415218A

公开(公告)日：2018-08-17

申请号：CN201810125208.4

申请日：2018-02-08

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 稻月判臣 ,  笹本纮平 ,  由利勉

IPC: G03F1/26 ,  G03F1/32 ,  G03F1/56 ,  G03F1/68

CPC classification number: G03F1/32 ,  C01B21/0821 ,  C01B21/0823 ,  C01B33/06 ,  C22C27/06 ,  C23C14/14 ,  C23C14/3414 ,  G03F1/54 ,  G03F1/84 ,  G03F1/26 ,  G03F1/56 ,  G03F1/68

Abstract: 本发明涉及制备光掩模坯料的方法、光掩模坯料，制备光掩模的方法、光掩模和金属铬靶。具体涉及一种用于制备包含透明衬底和与其邻接的含铬膜的光掩模坯料的方法，包括通过溅射具有至多1ppm的Ag含量的金属铬靶来沉积含铬膜的步骤。当从光掩模坯料制备的光掩模在图案化曝光中被重复用于ArF准分子激光照射时，在光掩模上形成的缺陷数量被最小化。