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公开(公告)号：CN107848796B
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN201680044982.1
申请日：2016-08-02
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C01B3/56 , B01J20/18 , B01D53/78 , B01D53/82 , B01D53/96 , B01J20/20 , B01J20/34 , C01B33/035 , C01B39/44 , B01D53/68 , B01D53/72 , B01D53/75
Abstract: 本发明的氢气回收系统由从来自多晶硅制造工序的含有氢的反应废气中冷凝分离氯硅烷类的冷凝分离装置(A)、对含有氢的反应废气进行压缩的压缩装置(B)、使含有氢的反应废气与吸收液接触而将氯化氢吸收分离的吸收装置(C)、由用于将含有氢的反应废气中包含的甲烷、氯化氢及氯硅烷类的一部分吸附除去的填充有活性炭的吸附塔构成的第一吸附装置(D)、由将含有氢的反应废气中包含的甲烷吸附除去的填充有合成沸石的吸附塔构成的第二吸附装置(E)和将使甲烷浓度降低后的纯化氢气回收的气体线路(F)构成。
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公开(公告)号：CN106573784B
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN201580044611.9
申请日：2015-07-29
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C01B33/035
Abstract: 本发明涉及的多晶硅制造用反应炉按照具有以与反应炉的直筒部垂直的该反应炉的内截面积(S0)和通过多晶硅的析出而培育的多晶硅棒的截面积的总和(SR)定义的反应空间截面积比(S＝[S0‑SR]/SR)在多晶硅棒的直径为140mm以上的情况下满足2.5以上的炉内反应空间的方式设计。这样的反应炉即使多晶硅棒的直径扩大也具有充分的炉内反应空间，因此，保持了反应炉内的气体的适宜的循环。其结果是，即使在多晶硅棒的直径扩大的情况下，也能够将硅析出边界层内的反应气体浓度和气体温度控制为适宜的范围。
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公开(公告)号：CN107848796A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201680044982.1
申请日：2016-08-02
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C01B3/56 , B01J20/18 , B01D53/78 , B01D53/82 , B01D53/96 , B01J20/20 , B01J20/34 , C01B33/035 , C01B39/44 , B01D53/68 , B01D53/72 , B01D53/75
CPC classification number: C01B3/58 , B01D53/002 , B01D53/04 , B01D53/1481 , B01D53/75 , B01D53/82 , B01D53/96 , B01D2253/102 , B01D2253/108 , B01D2256/16 , B01D2257/102 , B01D2257/108 , B01D2257/502 , B01D2257/504 , B01D2257/553 , B01D2257/702 , B01D2257/7025 , B01D2258/0216 , B01J20/18 , B01J20/20 , B01J20/34 , B01J20/3408 , B01J20/3416 , C01B3/56 , C01B7/03 , C01B7/0725 , C01B33/035 , C01B39/44
Abstract: 本发明的氢气回收系统由从来自多晶硅制造工序的含有氢的反应废气中冷凝分离氯硅烷类的冷凝分离装置(A)、对含有氢的反应废气进行压缩的压缩装置(B)、使含有氢的反应废气与吸收液接触而将氯化氢吸收分离的吸收装置(C)、由用于将含有氢的反应废气中包含的甲烷、氯化氢及氯硅烷类的一部分吸附除去的填充有活性炭的吸附塔构成的第一吸附装置(D)、由将含有氢的反应废气中包含的甲烷吸附除去的填充有合成沸石的吸附塔构成的第二吸附装置(E)和将使甲烷浓度降低后的纯化氢气回收的气体线路(F)构成。
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公开(公告)号：CN105143104B
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201480020915.7
申请日：2014-01-15
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C01B33/107 , B01J20/26 , B01J20/34
CPC classification number: B01J49/57 , B01J41/07 , B01J41/09 , C01B33/046 , C01B33/1071 , C01B33/10778 , C01B33/10784
Abstract: 本发明提供能够在硅烷化合物、氯硅烷化合物的纯化工序中长期稳定地使用用于除去硼杂质的离子交换树脂的技术。本发明中，将硅烷化合物、氯硅烷化合物的纯化中使用的弱碱性离子交换树脂利用含有氯化氢的气体进行清洗处理。在将该清洗处理用于弱碱性离子交换树脂的初始活化的情况下，能够得到更高的杂质吸附能力。另外，通过将该清洗处理用于弱碱性离子交换树脂的再生，能够长时间稳定地使用离子交换树脂。因此，能够削减长期运转中的树脂使用量，能够削减使用后的树脂废弃费用。
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公开(公告)号：CN105531229B
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201480050755.0
申请日：2014-10-21
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C01B33/035
CPC classification number: C01B33/03 , B01D3/143 , B01D53/002 , B01D53/0423 , B01D53/0438 , B01D2253/102 , B01D2256/26 , B01D2259/4009 , C01B33/035 , C01B33/1071 , C01B33/10784
Abstract: 本发明提供在将反应废气中所包含的氯硅烷回收并将其循环再供给至多晶硅析出反应而进行再利用时，在不将回收氯硅烷排除至体系外的情况下，在封闭化的体系内制造半导体级的高纯度多晶硅的方法。本发明中，采用了由C工序中分级出的回收氯硅烷得到杂质降低处理氯硅烷的D工序以及将该D工序中得到的杂质降低处理氯硅烷供给至作为多晶硅的析出工序的A工序的构成。通过该采用，在制造半导体级的高纯度多晶硅的工艺中，在析出反应体系内循环的回收氯硅烷中所蓄积的杂质化合物被除去，从而能够得到稳定品质的多晶硅。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105143104A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201480020915.7
申请日：2014-01-15
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C01B33/107 , B01J20/26 , B01J20/34
CPC classification number: B01J49/57 , B01J41/07 , B01J41/09 , C01B33/046 , C01B33/1071 , C01B33/10778 , C01B33/10784
Abstract: 本发明提供能够在硅烷化合物、氯硅烷化合物的纯化工序中长期稳定地使用于除去硼杂质的离子交换树脂的技术。本发明中，将硅烷化合物、氯硅烷化合物的纯化中使用的弱碱性离子交换树脂利用含有氯化氢的气体进行清洗处理。在将该清洗处理用于弱碱性离子交换树脂的初始活化的情况下，能够得到更高的杂质吸附能力。另外，通过将该清洗处理用于弱碱性离子交换树脂的再生，能够长时间稳定地使用离子交换树脂。因此，能够削减长期运转中的树脂使用量，能够削减使用后的树脂废弃费用。
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公开(公告)号：CN105073638A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201480008798.2
申请日：2014-01-15
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C01B33/107 , B01J31/08
CPC classification number: C01B33/1071 , B01J31/0237 , B01J31/08 , C01B33/10773 , C01B33/10778
Abstract: 在本发明所涉及的三氯硅烷的制造方法中，采用下述操作：在随着从含有甲基二氯硅烷(CH3HSiCl2)、四氯硅烷(SiCl4)和三氯硅烷(HSiCl3)的混合物(S)中除去甲基二氯硅烷而得到高纯度的三氯硅烷时，通过催化处理，在甲基二氯硅烷与四氯硅烷之间进行氯原子的重分配而转变为三氯硅烷和甲基三氯硅烷(CH3SiCl3)。与作为精制对象的三氯硅烷(沸点32℃)沸点接近的甲基二氯硅烷(沸点41℃)通过与四氯硅烷之间进行氯原子的重分配而转变为沸点更高的甲基三氯硅烷(沸点66℃)，杂质除去变容易。
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公开(公告)号：CN111153407A
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN202010051606.3
申请日：2015-07-29
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C01B33/035
Abstract: 本发明提供多晶硅制造用反应炉、多晶硅制造装置、多晶硅的制造方法、以及多晶硅棒或多晶硅块。本发明涉及的多晶硅制造用反应炉按照具有以与反应炉的直筒部垂直的该反应炉的内截面积(S0)和通过多晶硅的析出而培育的多晶硅棒的截面积的总和(SR)定义的反应空间截面积比(S＝[S0-SR]/SR)在多晶硅棒的直径为140mm以上的情况下满足2.5以上的炉内反应空间的方式设计。这样的反应炉即使多晶硅棒的直径扩大也具有充分的炉内反应空间，因此，保持了反应炉内的气体的适宜的循环。其结果是，即使在多晶硅棒的直径扩大的情况下，也能够将硅析出边界层内的反应气体浓度和气体温度控制为适宜的范围。
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公开(公告)号：CN106573784A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201580044611.9
申请日：2015-07-29
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C01B33/035
CPC classification number: C01B33/035
Abstract: 本发明涉及的多晶硅制造用反应炉按照具有以与反应炉的直筒部垂直的该反应炉的内截面积(S0)和通过多晶硅的析出而培育的多晶硅棒的截面积的总和(SR)定义的反应空间截面积比(S＝[S0‑SR]/SR)在多晶硅棒的直径为140mm以上的情况下满足2.5以上的炉内反应空间的方式设计。这样的反应炉即使多晶硅棒的直径扩大也具有充分的炉内反应空间，因此，保持了反应炉内的气体的适宜的循环。其结果是，即使在多晶硅棒的直径扩大的情况下，也能够将硅析出边界层内的反应气体浓度和气体温度控制为适宜的范围。
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公开(公告)号：CN105531229A
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201480050755.0
申请日：2014-10-21
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C01B33/035
CPC classification number: C01B33/03 , B01D3/143 , B01D53/002 , B01D53/0423 , B01D53/0438 , B01D2253/102 , B01D2256/26 , B01D2259/4009 , C01B33/035 , C01B33/1071 , C01B33/10784
Abstract: 本发明提供在将反应废气中所包含的氯硅烷回收并将其循环再供给至多晶硅析出反应而进行再利用时，在不将回收氯硅烷排除至体系外的情况下，在封闭化的体系内制造半导体级的高纯度多晶硅的方法。本发明中，采用了由C工序中分级出的回收氯硅烷得到杂质降低处理氯硅烷的D工序以及将该D工序中得到的杂质降低处理氯硅烷供给至作为多晶硅的析出工序的A工序的构成。通过该采用，在制造半导体级的高纯度多晶硅的工艺中，在析出反应体系内循环的回收氯硅烷中所蓄积的杂质化合物被除去，从而能够得到稳定品质的多晶硅。
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