公开(公告)号：CN1440565A

公开(公告)日：2003-09-03

申请号：CN01812499.2

申请日：2001-07-06

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  须川成利 ,  伊藤辰夫 ,  金谷晃一

IPC: H01L21/02 ,  C30B29/06 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L21/28211 ,  C30B15/00 ,  C30B29/06 ,  H01L29/518 ,  H01L31/028 ,  H01L31/036 ,  Y02E10/547 ,  Y02P80/30

Abstract: 本发明涉及一种单结晶晶片及太阳电池单元，单结晶晶片的主表面是相对于单结晶的[100]轴，于[011]方向具有α(0°＜α＜90°)、于[01－1]方向具有β(0°＜β＜90°)、于[10－1]方向或[101]方向具有γ(0°≤γ＜45°)的倾斜角度的面或与该面等效的面为特征的单结晶晶片。由此，可经由提供即使晶片厚度为薄，可承受装置制程的单结晶晶片，可减低单结晶原料的损失。又，经由利用如此晶片，可低成本提供MIS型半导体装置或太阳电池单元。

公开(公告)号：CN1217380C

公开(公告)日：2005-08-31

申请号：CN01812499.2

申请日：2001-07-06

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  须川成利 ,  伊藤辰夫 ,  金谷晃一

IPC: H01L21/02 ,  C30B29/06 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L21/28211 ,  C30B15/00 ,  C30B29/06 ,  H01L29/518 ,  H01L31/028 ,  H01L31/036 ,  Y02E10/547 ,  Y02P80/30

Abstract: 本发明涉及一种单结晶晶片，特征在于单结晶晶片的主表面是相对于单结晶的[100]轴，于[011]方向具有α(0°＜α＜90°)、于[01-1]方向具有β(0°＜β＜90°)、于[10-1]方向或[101]方向具有γ(0°≤γ＜45°)的倾斜角度的面或与该面等效的面，且晶片的厚度(μm)/晶片的直径(mm)≤3。由此，可通过提供即使晶片厚度薄，也可承受器件工艺的单结晶晶片，可降低单结晶原料的损失。另外，通过利用如此的晶片，可低成本地提供MIS型半导体器件。