公开(公告)号：CN1217380C

公开(公告)日：2005-08-31

申请号：CN01812499.2

申请日：2001-07-06

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  须川成利 ,  伊藤辰夫 ,  金谷晃一

IPC: H01L21/02 ,  C30B29/06 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L21/28211 ,  C30B15/00 ,  C30B29/06 ,  H01L29/518 ,  H01L31/028 ,  H01L31/036 ,  Y02E10/547 ,  Y02P80/30

Abstract: 本发明涉及一种单结晶晶片，特征在于单结晶晶片的主表面是相对于单结晶的[100]轴，于[011]方向具有α(0°＜α＜90°)、于[01-1]方向具有β(0°＜β＜90°)、于[10-1]方向或[101]方向具有γ(0°≤γ＜45°)的倾斜角度的面或与该面等效的面，且晶片的厚度(μm)/晶片的直径(mm)≤3。由此，可通过提供即使晶片厚度薄，也可承受器件工艺的单结晶晶片，可降低单结晶原料的损失。另外，通过利用如此的晶片，可低成本地提供MIS型半导体器件。

公开(公告)号：CN1864245A

公开(公告)日：2006-11-15

申请号：CN200480028930.2

申请日：2004-09-27

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 金谷晃一 ,  西泽毅

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/46

CPC classification number: C30B25/02 ,  C30B25/12 ,  C30B29/06

Abstract: 在具备反应容器(11)、衬托器(20)、顶杆(13)、上侧加热装置(14a)、及下侧加热装置(14b)的气相成长装置中，对上侧加热机构和下侧加热机构的加热比率进行调整。能够控制形成于顶杆附近的硅外延层的表面形状、或产生在硅外延片的背面的凹凸部的形状。

公开(公告)号：CN100490075C

公开(公告)日：2009-05-20

申请号：CN200480010125.7

申请日：2004-03-12

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 金谷晃一 ,  大塚彻 ,  大濑广树

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/458 ,  H01L21/68

CPC classification number: H01L21/68735 ,  C23C16/4584 ,  C30B25/12

Abstract: 一种衬托器(2)，其中在半导体基板(W)的正面上进行单晶薄膜的气相生长时，半导体基板(W)在凹部(2c)中受到大致水平地支承，并且所述凹部(2c)包括用以支承半导体基板(W)的外周侧凹部(20)和形成在所述外周侧凹部(20)内部且自所述外周侧凹部(20)凹入的中央侧凹部(21)，其中所述外周侧凹部(20)包括基板支承表面(20a)，所述基板支承表面自凹部(2c)的外周侧朝向中央侧相对于水平表面向下倾斜，并且基板支承表面(20a)中除去至少内周边缘之外的区域支承位于半导体基板(W)的外周边缘内部的一部分半导体基板(W)的背面。

公开(公告)号：CN1440565A

公开(公告)日：2003-09-03

申请号：CN01812499.2

申请日：2001-07-06

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  须川成利 ,  伊藤辰夫 ,  金谷晃一

IPC: H01L21/02 ,  C30B29/06 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L21/28211 ,  C30B15/00 ,  C30B29/06 ,  H01L29/518 ,  H01L31/028 ,  H01L31/036 ,  Y02E10/547 ,  Y02P80/30

Abstract: 本发明涉及一种单结晶晶片及太阳电池单元，单结晶晶片的主表面是相对于单结晶的[100]轴，于[011]方向具有α(0°＜α＜90°)、于[01－1]方向具有β(0°＜β＜90°)、于[10－1]方向或[101]方向具有γ(0°≤γ＜45°)的倾斜角度的面或与该面等效的面为特征的单结晶晶片。由此，可经由提供即使晶片厚度为薄，可承受装置制程的单结晶晶片，可减低单结晶原料的损失。又，经由利用如此晶片，可低成本提供MIS型半导体装置或太阳电池单元。

公开(公告)号：CN111033707B

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN201880053033.9

申请日：2018-07-27

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 樱田昌弘 ,  小林诚 ,  小林武史 ,  金谷晃一

IPC: H01L21/66 ,  G01B11/24 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明提供一种硅晶圆的边缘形状评价方法，定义径向基准(L1)、径向基准(L2)、交点(P1)、高度基准面(L3)、h1[μm]、h2[μm]、点(Px3)、直线(Lx)、角(θx)、点(Px0)、δ[μm]、点(Px1)、半径(Rx[μm])作为晶圆截面的形状参数，此时测量硅晶圆的边缘形状，设定h1、h2及δ的形状参数值，基于边缘形状的测量数据，按照定义计算Rx及θx的形状参数，根据计算出的Rx及θx判定硅晶圆的边缘形状而进行评价。由此，提供能够预先防止在例如使用光阻材的成膜处理中发生生成膜破裂的问题的、硅晶圆的边缘形状的评价方法。

公开(公告)号：CN111033707A

公开(公告)日：2020-04-17

申请号：CN201880053033.9

申请日：2018-07-27

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 樱田昌弘 ,  小林诚 ,  小林武史 ,  金谷晃一

IPC: H01L21/66 ,  G01B11/24 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明提供一种硅晶圆的边缘形状评价方法，定义径向基准(L1)、径向基准(L2)、交点(P1)、高度基准面(L3)、h1[μm]、h2[μm]、点(Px3)、直线(Lx)、角(θx)、点(Px0)、δ[μm]、点(Px1)、半径(Rx[μm])作为晶圆截面的形状参数，此时测量硅晶圆的边缘形状，设定h1、h2及δ的形状参数值，基于边缘形状的测量数据，按照定义计算Rx及θx的形状参数，根据计算出的Rx及θx判定硅晶圆的边缘形状而进行评价。由此，提供能够预先防止在例如使用光阻材的成膜处理中发生生成膜破裂的问题的、硅晶圆的边缘形状的评价方法。

公开(公告)号：CN1774794A

公开(公告)日：2006-05-17

申请号：CN200480010125.7

申请日：2004-03-12

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 金谷晃一 ,  大塚彻 ,  大濑广树

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/458 ,  H01L21/68

CPC classification number: H01L21/68735 ,  C23C16/4584 ,  C30B25/12

Abstract: 一种衬托器(2)，其中在半导体基板(W)的正面上进行单晶薄膜的气相生长时，半导体基板(W)在凹部(2c)中受到大致水平地支承，并且所述凹部(2c)包括用以支承半导体基板(W)的外周侧凹部(20)和形成在所述外周侧凹部(20)内部且自所述外周侧凹部(20)凹入的中央侧凹部(21)，其中所述外周侧凹部(20)包括基板支承表面(20a)，所述基板支承表面自凹部(2c)的外周侧朝向中央侧相对于水平表面向下倾斜，并且基板支承表面(20a)中除去至少内周边缘之外的区域支承位于半导体基板(W)的外周边缘内部的一部分半导体基板(W)的背面。