公开(公告)号：CN115803875A

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN202180044129.0

申请日：2021-05-26

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 大槻刚 ,  竹野博

IPC: H01L23/32 ,  H01L23/14

Abstract: 本发明是一种半导体装置的制造方法，所述半导体装置使用了用贯穿电极将在单晶硅基板上形成的半导体元件之间连接的中介层基板，其特征在于，包含以下工序：准备包含掺杂剂的所述单晶硅基板；在所述单晶硅基板上形成所述半导体元件及所述贯穿电极而获得所述中介层基板；通过对所述单晶硅基板中的至少所述贯穿电极的形成部周边照射粒子束，从而使所述贯穿电极的形成部周边区域的所述掺杂剂惰性化。由此，提供一种半导体装置的制造方法，能够制造改善了传输损耗特性的半导体装置。

公开(公告)号：CN101836281B

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN200880112534.6

申请日：2008-10-20

Applicant: 株式会社电装 ,  信越半导体株式会社

Inventor： 大槻浩 ,  坚田满孝 ,  能登宣彦 ,  竹野博 ,  吉田和彦

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/322 ,  H01L21/336 ,  H01L21/762 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78609 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/3221 ,  H01L21/3223 ,  H01L21/3226 ,  H01L21/76256 ,  H01L21/76264 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/32 ,  H01L29/7849 ,  H01L29/78603

Abstract: 提供了使用SOI基片(100)的SOI结构的半导体装置。通过将Ar离子注入进作为活性层(3)的硅基片内，形成晶格畸变层(4)。结果，所述晶格畸变层(4)能够充当吸附点。以晶格畸变层(4)内的拉应力大于等于11MPa并小于等于27MPa的方式，调节Ar离子的用量。因此，能够防止晶格畸变层在作为吸附点时发生漏电流。

公开(公告)号：CN101836281A

公开(公告)日：2010-09-15

申请号：CN200880112534.6

申请日：2008-10-20

Applicant: 株式会社电装 ,  信越半导体株式会社

Inventor： 大槻浩 ,  坚田满孝 ,  能登宣彦 ,  竹野博 ,  吉田和彦

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/322 ,  H01L21/336 ,  H01L21/762 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78609 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/3221 ,  H01L21/3223 ,  H01L21/3226 ,  H01L21/76256 ,  H01L21/76264 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/32 ,  H01L29/7849 ,  H01L29/78603

Abstract: 提供了使用SOI基片(100)的SOI结构的半导体装置。通过将Ar离子注入进作为活性层(3)的硅基片内，形成晶格畸变层(4)。结果，所述晶格畸变层(4)能够充当吸附点。以晶格畸变层(4)内的拉应力大于等于11MPa并小于等于27MPa的方式，调节Ar离子的用量。因此，能够防止晶格畸变层在作为吸附点时发生漏电流。

公开(公告)号：CN111386593B

公开(公告)日：2023-09-26

申请号：CN201880075449.0

申请日：2018-10-22

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 竹野博

IPC: H01L21/322 ,  C30B13/00 ,  C30B29/06 ,  C30B31/22 ,  H01L21/66

Abstract: 本发明是一种控制载流子的复合寿命的单晶硅基板的分选方法，其特征在于，具有：准备工序，由利用悬浮区熔法生长的单晶硅锭制作并准备作为单晶硅基板的候补的单晶硅基板；粒子束照射工序，向准备的单晶硅基板照射粒子束；测量工序，在粒子束照射工序后的单晶硅基板中，注入过剩载流子，并测量过剩载流子浓度相对于注入了过剩载流子后的经过时间的衰减曲线；判定工序，在测量的过剩载流子衰减曲线中，求出该衰减曲线中的去除衰减速度快的前半部分的尾部中剩余过剩载流子浓度衰减到注入时的过剩载流子浓度的规定比例的衰减时间，在该衰减时间的值为预先确定的判定值以下的情况下，判定单晶硅基板合格；以及分选工序，将由与制作出通过判定而判定为合格的单晶硅基板的单晶硅锭相同的单晶硅锭制作的单晶硅基板分选为控制载流子的复合寿命的单晶硅基板。由此，提供一种单晶硅基板的分选方法，该方法为了抑制微弱的尾电流，而在通过控制载流子的复合寿命来抑制尾电流的功率器件中分选低浓度的过剩载流子的衰减变快的单晶硅基板。

公开(公告)号：CN111512421B

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN201880084042.4

申请日：2018-12-10

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 竹野博

IPC: H01L21/322 ,  C30B13/00 ,  C30B29/06 ,  H01L21/66 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种复合寿命的控制方法，其通过进行由利用FZ法培养的掺氮硅单晶准备硅单晶基板的工序；实施热处理的热处理工序A；对硅单晶基板照射粒子束的粒子束照射工序；及对硅单晶基板进行热处理的热处理工序B，从而控制硅单晶基板的载流子的复合寿命，该方法的特征在于，在热处理工序A中，根据在准备工序中准备的硅单晶基板的氧浓度Co，使硅单晶基板中的氮向外扩散，从而调节硅单晶基板的氮浓度Cn，然后，进行粒子束照射工序。由此，能够确实地减小起因于掺氮FZ硅单晶基板的复合寿命的偏差，能够以高精度控制复合寿命。

公开(公告)号：CN109564856A

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201780046457.8

申请日：2017-07-03

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 大槻刚 ,  中杉直 ,  竹野博 ,  铃木克佳

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/66 ,  H01L29/78 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明是一种半导体装置的制造方法，其特征在于，在半导体硅基板上形成Fin结构部，并向该Fin结构部进行了离子注入后，在半导体硅基板进行恢复热处理，使Fin结构部的硅再结晶化，以使在形成的Fin结构部的侧壁不出现半导体硅的{111}面的端面的方式对Fin结构部进行加工。由此，提供一种半导体装置的制造方法，其在向Fin结构部进行离子注入并进行恢复热处理时，能够防止向Fin结构部引入缺陷。

公开(公告)号：CN104871302A

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201380068161.8

申请日：2013-12-27

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 竹野博

IPC: H01L21/66

CPC classification number: H01L22/14 ,  G01R1/00 ,  G01R3/00 ,  G01R31/2642 ,  G01R33/4828 ,  G01R33/56527

Abstract: 本发明是在于提供一种以高精度评价硅基板制造工艺或装置制造工艺中的金属污染或结晶缺陷的硅基板的再结合寿命测定方法。本发明是在对硅基板的表面进行化学钝化处理之后，测定再结合寿命的方法，从所述化学钝化处理到所述再结合寿命的测定结束的期间，至少进行防护所述硅基板不受紫外线照射的紫外线防护处理。

公开(公告)号：CN102637699A

公开(公告)日：2012-08-15

申请号：CN201210109975.9

申请日：2008-10-20

Applicant: 株式会社电装 ,  信越半导体株式会社

Inventor： 大槻浩 ,  坚田满孝 ,  能登宣彦 ,  竹野博 ,  吉田和彦

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/265 ,  H01L21/322 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L29/78609 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/3221 ,  H01L21/3223 ,  H01L21/3226 ,  H01L21/76256 ,  H01L21/76264 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/32 ,  H01L29/7849 ,  H01L29/78603

Abstract: 本发明提供了使用SOI基片(100)的SOI结构的半导体装置。通过将Ar离子注入进作为活性层(3)的硅基片内，形成晶格畸变层(4)。结果，所述晶格畸变层(4)能够充当吸附点。以晶格畸变层(4)内的拉应力大于等于11MPa并小于等于27MPa的方式，调节Ar离子的用量。因此，能够防止晶格畸变层在作为吸附点时发生漏电流。

公开(公告)号：CN112005353B

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN201980027567.9

申请日：2019-03-15

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 竹野博

IPC: H01L21/66 ,  C30B29/06 ,  H01L21/322

Abstract: 本发明提供一种单晶硅基板的分选方法，其具有以下工序：由晶锭制作并准备作为候补的单晶硅基板的准备工序；粒子束照射工序；恢复热处理工序；测定过剩载流子衰减曲线的测定工序；由过剩载流子衰减曲线中的过剩载流子浓度衰减至1/e的时间LT及过剩载流子浓度衰减至X％(1≤X≤10)的时间tTail(X)，计算出ΔtTail(X)＝tTail(X)‑[‑LT×ln(X/100)]，并在ΔtTail(X)为预先确定的判定值以下时，判定为合格的判定工序；分选由制作出被判定为合格的单晶硅基板的晶锭制作的单晶硅基板的分选工序。由此，提供一种能够通过复合寿命的控制抑制拖尾电流的单晶硅基板的分选方法。

公开(公告)号：CN111033709B

公开(公告)日：2023-09-22

申请号：CN201880053627.X

申请日：2018-08-08

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 竹野博

IPC: H01L21/66 ,  C30B13/10 ,  C30B29/06 ,  H01L21/322

Abstract: 本发明为一种复合寿命的控制方法，其通过进行准备控制载流子的复合寿命的硅基板的准备工序；粒子束照射工序；及热处理工序，控制所述硅基板的载流子的复合寿命，所述控制方法的特征在于，在进行所述准备工序之前，预先取得测定的复合寿命与氮浓度的相互关系，基于该相互关系，以使所述硅基板的所述热处理工序后的复合寿命成为目标值的方式，在所述准备工序中调节氮浓度。由此提供一种在控制载流子的复合寿命的的制造工序中，能够减小复合寿命的偏差，能够以高精度控制复合寿命的复合寿命的控制方法。