公开(公告)号：CN119710923A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202411828733.4

申请日：2024-12-12

Applicant: 安徽光智科技有限公司

Inventor： 赵青松 ,  顾小英 ,  牛晓东 ,  狄聚青 ,  罗旭

IPC: C30B29/08 ,  C30B13/00

Abstract: 一种N型超高纯锗单晶的制备方法包括步骤：S1，采用区熔方法区熔超高纯锗，经低温霍尔检测，选合格产品A，其导电类型为P型、净载流子浓度|NA‑ND|≤1E10cm‑3；S2，采用正常的直拉法生长超高纯锗晶体，低温霍尔测试，选导电类型为N型、净载流子浓度|NA‑ND|在E11～E13cm‑3范围的作为区熔掺杂剂Y；S3，进行二次区熔，步骤S1的区熔产品A和步骤S2的区熔掺杂剂Y一起放入石英舟内多次区熔，得高纯锗多晶棒，低温霍尔测试，选导电类型为N型，净载流子浓度|NA‑ND|≤2E10cm‑3的部分作为晶体掺杂剂W；S4，进行N型超高纯锗单晶制备，步骤S1的区熔产品A和步骤S3的晶体掺杂剂W一起放入坩埚内进行正常的直拉法晶体生长，低温霍尔测试，得|NA‑ND|≤2E10cm‑3的N型超高纯锗单晶。

公开(公告)号：CN115537908B

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202211145361.6

申请日：2022-09-20

Applicant: 杭州大和热磁电子有限公司

Inventor： 唐泽丰 ,  吴永庆 ,  李明 ,  崔博然

IPC: C30B13/00 ,  C30B28/08 ,  C30B29/46

Abstract: 本发明涉及热电半导体材料领域，针对材料纳米化过程中造成额外污染的问题，提供一种高性能碲化铋基热电材料的制备方法，包括下列步骤：1）将碲化铋基合金铸锭进行区熔定向凝固，得到晶棒；2）将步骤1）得到的晶棒进行热变形得到块体材料，变形量大于1，单轴压力下进行热变形，压力方向垂直于区熔晶棒织构方向。本发明通过自上而下的方法，对区熔块体材料进行热变形，避免了材料细化造成的污染，直接在块体材料内引入纳米缺陷，细化晶粒，降低材料热导率，提高材料力学性能和热电性能。

公开(公告)号：CN118996601B

公开(公告)日：2025-03-14

申请号：CN202411050761.8

申请日：2024-08-01

Applicant: 连科半导体有限公司

Inventor： 胡动力 ,  黎志欣 ,  王人松 ,  贾新旺 ,  岳增可

IPC: C30B13/00

Abstract: 本发明属于区熔炉拉晶技术领域，具体的说是一种区熔炉连续拉晶装置，包括升降式加热器，多晶材料的下端设置有籽晶，籽晶安装在底座上端，区熔炉炉体的最上端活动安装有炉顶，区熔炉炉体的内部安装有两个辅助拉晶装置，区熔炉炉体的内部开设有工作腔，通过工作腔顶部的高温气体会沿着内辅助腔与工作腔的间隙出进入到内辅助腔内部，这时高温气体处于内辅助腔的内顶部，升降组件下降，将内辅助腔内顶部的高温气体下压至与升降式加热器差不多的水平高度位置，此时这些高温气体通过集成板内部开设的透气孔进入到工作腔内部，且高温气体经过了升降式加热器，有高温气体的辅助下，可以让升降式加热器更快的熔融多晶材料。

公开(公告)号：CN119352160B

公开(公告)日：2025-03-11

申请号：CN202411963123.5

申请日：2024-12-30

Applicant: 中国科学院合肥物质科学研究院

Inventor： 张会丽 ,  孙敦陆 ,  权聪 ,  程毛杰 ,  董昆鹏 ,  陈玙威 ,  王镇涛 ,  李泓沅 ,  豆世纪

IPC: C30B29/24 ,  H01S3/16 ,  C30B28/02 ,  C30B15/00 ,  C30B11/00 ,  C30B13/00 ,  C30B33/02

Abstract: 本发明涉及一种稀土掺杂镓酸钇激光材料及其制备方法与应用，属于中红外激光增益材料技术领域。本发明所提供的稀土掺杂镓酸钇激光材料为RExY1‑xGaO3，其中RE为Er、Ho、Dy中的至少一种，x符合0＜x＜1。本发明还提供了上述激光材料的制备方法及其在中红外激光增益中的应用：通过设计合理的温场结构、生长工艺参数、掺杂浓度等，制备得到高光学质量的中红外激光晶体材料，该晶体材料实现的中红外波段激光在医疗、环境监测、国防及科学研究等领域有着重要的应用前景。

公开(公告)号：CN119145054A

公开(公告)日：2024-12-17

申请号：CN202411640322.2

申请日：2024-11-18

Applicant: 中国科学院合肥物质科学研究院

Inventor： 张会丽 ,  孙敦陆 ,  权聪 ,  程毛杰 ,  董昆鹏 ,  陈玙威 ,  王镇涛 ,  李泓沅 ,  豆世纪

IPC: C30B29/28 ,  H01S3/16 ,  C30B33/02 ,  C30B11/00 ,  C30B15/00 ,  C30B13/00

Abstract: 本发明涉及一种中红外钬镨钙镁锆共掺钆镓石榴石激光晶体及其制备方法与应用，属于单晶或具有一定结构的均匀多晶材料技术领域。本发明的中红外钬镨钙镁锆共掺钆镓石榴石激光晶体，包括基质晶体、激活离子、退激活离子和辅助离子；所述基质晶体为钆镓石榴石晶体，所述激活离子为Ho3+，所述退激活离子为Pr3+，所述辅助离子至少包括Ca2+、Mg2+和Zr4+；所述Pr3+的掺杂浓度≥0.05at%。该中红外钬镨钙镁锆共掺钆镓石榴石激光晶体具有低激光阈值、高激光输出功率和效率。

公开(公告)号：CN118147519A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202410265612.7

申请日：2024-03-08

Applicant: 中国科学院赣江创新研究院

Inventor： 许志一 ,  胡松林 ,  邸岩 ,  卫星宇 ,  王思佳 ,  张洪平

IPC: C22C38/00 ,  C22C33/04 ,  B22F9/08 ,  B22F9/10 ,  B22F3/02 ,  B22F3/10 ,  C30B13/00 ,  C30B11/00 ,  C30B29/52 ,  C30B29/64 ,  H01F1/03

Abstract: 本发明提供了一种磁致伸缩材料及其制备方法。所述磁致伸缩材料的化学式为(Fe1‑xGax)100‑yRyEz，其中，0.1≤x≤0.3，0

公开(公告)号：CN118005019A

公开(公告)日：2024-05-10

申请号：CN202311388769.0

申请日：2023-10-25

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 吉田敦 ,  星野成大 ,  石田昌彦 ,  青山武 ,  山岸成俊 ,  金子良夫

IPC: C01B33/035 ,  C30B29/06 ,  C30B13/00

Abstract: 本发明的一种多晶硅棒的直径为120mm以上，最低电阻率为3300Ωcm以上，且RRG为100％以下。本发明的另一种多晶硅棒的直径为140mm以上，最低电阻率为3300Ωcm以上，且RRG为150％以下。

公开(公告)号：CN115058775B

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN202210632542.5

申请日：2022-06-07

Applicant: 合肥工业大学

Inventor： 杨新宇 ,  董存超 ,  王可 ,  张久兴 ,  邓陈辉 ,  王衍 ,  罗时峰

IPC: C30B29/10 ,  C30B13/00 ,  B23K15/06

Abstract: 本发明提供了一种三元稀土六硼化物(LaxPr1‑x)B6[100]单晶体，其制备方法和包含该单晶体的电子束焊机的阴极器件。在所述单晶体中，0

公开(公告)号：CN109694076B

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN201810915033.7

申请日：2018-08-13

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 宫尾秀一 ,  石田昌彦 ,  星野成大 ,  祢津茂义

IPC: C01B33/035 ,  C30B29/06 ,  C30B15/00 ,  C30B13/00

Abstract: 本发明涉及多晶硅棒和单晶硅的制造方法。本发明提供适合作为单晶硅制造用原料的多晶硅。本发明的多晶硅棒是在0.3MPaG以上的压力下通过化学气相法培育出的多晶硅棒，其中，在使从该多晶硅棒的任意的部位选取的板状试样从低于硅的熔点的温度升温至超过硅的熔点的温度的同时进行显微镜观察时，在略低于熔点的温度下，未观察到多个结晶粒子不均质地集合的结晶区域、即不是针状结晶的结晶区域的直径超过10μm的不均质结晶区域。

公开(公告)号：CN115305567B

公开(公告)日：2024-02-13

申请号：CN202210938871.2

申请日：2022-08-05

Applicant: 中国电子科技集团公司第十八研究所

Inventor： 吴跃 ,  郑斌 ,  韩子川 ,  于淇 ,  梁亮 ,  齐雅青 ,  刘晓伟 ,  吕冬翔

IPC: C30B28/02 ,  C30B33/02 ,  C30B29/46 ,  C30B13/00 ,  C30B33/00

Abstract: 本发明提供一种提高热挤压N型碲化铋性能均匀性的方法：将高纯元素根据化学计量比称量后放入石墨坩埚中，并放置于真空高频感应加热炉中，在惰性气体保护下加热得到合金锭块；将合金锭块打碎成小块装入石英管并真空密封，后置于垂直区熔炉中得到单晶碲化铋棒材再放入小型鄂式破碎机中，破碎得到均匀的碲化铋小块；随后放入球磨罐中并置于行星球磨机上转速经过球磨得到碲化铋粉体，装入冷压模具加压保压得到的冷压块体进行退火；再置于热挤压设备中制备多晶碲化铋棒材并进行后退火处理。本发明的有益效果是：通过高频熔炼产生的电磁涡流搅拌和区熔工艺的提拉过程完成了原料的二次除杂和均质化，后采用双重破碎的方法制备出了粒径均匀的粉体。