公开(公告)号：CN102396048A

公开(公告)日：2012-03-28

申请号：CN200980158194.5

申请日：2009-08-12

Applicant: 先进科技材料公司

Inventor： 约瑟·D·史威尼 ,  莎拉德·N·叶达夫 ,  欧利格·拜 ,  罗伯·金姆 ,  大卫·艾德瑞吉 ,  丰琳 ,  史蒂芬·E·毕夏普 ,  W·卡尔·欧兰德 ,  唐瀛

IPC: H01L21/265

CPC classification number: H01J37/08 ,  C23C14/48 ,  C23C14/54 ,  C23C14/564 ,  H01J27/08 ,  H01J37/16 ,  H01J37/18 ,  H01J37/3171 ,  H01J37/32862 ,  H01J2237/0209 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/082 ,  H01J2237/22

Abstract: 本发明系关于藉由监测阴极偏压功率且取决于比较值采取校正动作而藉由利用能够生长/蚀刻在一离子植入系统之间接加热的阴极中的该阴极的温度及/或反应性清洗试剂来蚀刻或再生长该阴极以清洗一离子植入系统或其部件。

公开(公告)号：CN104217981A

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN201410367226.5

申请日：2009-08-12

Applicant: 先进科技材料公司

Inventor： 约瑟·D·史威尼 ,  莎拉德·N·叶达夫 ,  欧利格·拜 ,  罗伯·金姆 ,  大卫·艾德瑞吉 ,  丰琳 ,  史蒂芬·E·毕夏普 ,  W·卡尔·欧兰德 ,  唐瀛

IPC: H01L21/67 ,  C23C14/48 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01J37/08 ,  C23C14/48 ,  C23C14/54 ,  C23C14/564 ,  H01J27/08 ,  H01J37/16 ,  H01J37/18 ,  H01J37/3171 ,  H01J37/32862 ,  H01J2237/0209 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/082 ,  H01J2237/22

Abstract: 一种半导体制造系统中的离子源清洁方法。本发明系关于藉由监测阴极偏压功率且取决于比较值采取校正动作而藉由利用能够生长/蚀刻在一离子植入系统之间接加热的阴极中的该阴极的温度及/或反应性清洗试剂来蚀刻或再生长该阴极以清洗一离子植入系统或其部件。

公开(公告)号：CN102396048B

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：CN200980158194.5

申请日：2009-08-12

Applicant: 先进科技材料公司

Inventor： 约瑟·D·史威尼 ,  莎拉德·N·叶达夫 ,  欧利格·拜 ,  罗伯·金姆 ,  大卫·艾德瑞吉 ,  丰琳 ,  史蒂芬·E·毕夏普 ,  W·卡尔·欧兰德 ,  唐瀛

IPC: H01L21/265

CPC classification number: H01J37/08 ,  C23C14/48 ,  C23C14/54 ,  C23C14/564 ,  H01J27/08 ,  H01J37/16 ,  H01J37/18 ,  H01J37/3171 ,  H01J37/32862 ,  H01J2237/0209 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/082 ,  H01J2237/22

Abstract: 本发明系关于藉由监测阴极偏压功率且取决于比较值采取校正动作而藉由利用能够生长/蚀刻在一离子植入系统之间接加热的阴极中的该阴极的温度及/或反应性清洗试剂来蚀刻或再生长该阴极以清洗一离子植入系统或其部件。