-
公开(公告)号：CN107076809B
公开(公告)日：2019-11-26
申请号：CN201580053489.1
申请日：2015-09-24
Applicant: 克罗科斯科技公司
Inventor： Q.斯泰纳
Abstract: 本公开涉及一种自参考MRAM单元，其包括具有固定参考磁化的参考层、具有自由感测磁化的感测层、隧道势垒、具有偏置磁化的偏置层和偏置反铁磁性层，当MRAM单元处于等于或低于偏置阈值温度的温度时该偏置反铁磁性层将偏置磁化钉扣在偏置方向上；该偏置磁化被布置用于感应偏置场，该偏置场被适配用于使感测磁化在与偏置方向相反的方向上偏置，使得在有外部磁场的情况下当外部磁场在基本上垂直于参考磁化的方向的方向上定向时，经过偏置的感测磁化线性地变化。本公开还涉及一种包括多个自参考MRAM单元的磁场传感器和一种用于对磁场传感器进行编程的方法。
-
公开(公告)号：CN106463169B
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201580032385.2
申请日：2015-05-28
Applicant: 克罗科斯科技公司
Inventor： Q.斯泰纳
CPC classification number: G11C11/161 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/1693 , G11C11/5607
Abstract: 本公开涉及多位MRAM单元，该多位MRAM单元包括磁隧道结，该磁隧道结包括具有自由地可定向传感磁化的传感层；隧道势垒层、具有第一和第二存储层的合成反铁磁体存储层；其中，所述传感磁化感生具有在存储层的自旋翻转场以上的量值的偶极场；MRAM单元还包括用于在多个不同定向上对准传感磁化，以便在MRAM单元中对多个不同逻辑状态进行编码的对准装置。本公开还涉及一种用于操作多位MRAM单元的方法。
-
公开(公告)号：CN107076809A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580053489.1
申请日：2015-09-24
Applicant: 克罗科斯科技公司
Inventor： Q.斯泰纳
Abstract: 本公开涉及一种自参考MRAM单元（1），其包括具有固定参考磁化（230）的参考层（23）、具有自由感测磁化（210）的感测层（21）、隧道势垒（22）、具有偏置磁化（250）的偏置层（25）和偏置反铁磁性层（27），当MRAM单元（1）处于等于或低于偏置阈值温度（TB）的温度时该偏置反铁磁性层（27）将偏置磁化（250）钉扣在偏置方向上；该偏置磁化（250）被布置用于感应偏置场（251），该偏置场（251）被适配用于使感测磁化（210）在与偏置方向相反的方向上偏置，使得在有外部磁场的情况下当外部磁场在基本上垂直于参考磁化（230）的方向的方向上定向时，经过偏置的感测磁化（210）线性地变化。本公开还涉及一种包括多个自参考MRAM单元（1）的磁场传感器（100）和一种用于对磁场传感器进行编程的方法。
-
公开(公告)号：CN106463169A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580032385.2
申请日：2015-05-28
Applicant: 克罗科斯科技公司
Inventor： Q.斯泰纳
CPC classification number: G11C11/161 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/1693 , G11C11/5607
Abstract: 本公开涉及多位MRAM单元（1），该多位MRAM单元（1）包括磁隧道结（2），该磁隧道结（2）包括具有自由地可定向传感磁化（211）的传感层21）；隧道势垒层（22）、具有第一和第二存储层231，232）的合成反铁磁体存储层（23）；其中，所述传感磁化（211）感生具有在存储层（23）的自旋翻转场（HSF）以上的量值的偶极场（212）；MRAM单元（1）还包括用于在多个不同定向上对准传感磁化（211）以便在MRAM单元（1）中对多个不同逻辑状态进行编码的对准装置。本公开还涉及一种用于操作多位MRAM单元（1）的方法。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.03 seconds)
