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公开(公告)号：CN104821181B
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201410769083.0
申请日：2014-12-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G11C16/26 , G11C11/1673 , G11C16/0408 , G11C16/0433 , G11C16/0483 , G11C16/24 , G11C16/30
Abstract: 提供了一种可使用1.5V至5.5V的电源电压的电源工作的多次可编程(MTP)结构。当电源电压高于第一电压时，第一电路配置成在第二晶体管的漏极处生成第二恒定电压，并且在第三电路中端子上生成第二恒定电压。在一些实施例中，第三电路提供第三晶体管的栅极上的第三恒定电压。当电源电压低于第一电压时，第五电路配置成在第三电路中端子上生成第四恒定电压。第四恒定电压基本上等于第二恒定电压。该方法还包括该结构的操作方法。
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公开(公告)号：CN105244058B
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201510395749.5
申请日：2015-07-07
Applicant: 科洛斯巴股份有限公司
CPC classification number: G11C13/004 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C13/0002 , G11C13/003 , G11C13/0033 , G11C13/0061 , G11C14/00 , G11C14/0045 , G11C29/026 , G11C29/028 , G11C2013/0071 , G11C2213/51 , G11C2213/73 , G11C2213/76
Abstract: 本文提供一种对于非易失性电阻型存储器的改进感测方法，以实现更高的感测容限。该感测方法可以放大在该电阻型存储器内的易失性选择器器件的电流‑电压特性。所公开的感测方法可以包括用激活电压来激活该选择器器件，然后将该激活电压降低至保持电压，在该保持电压处该选择器器件对于断态存储单元仍然使其失活，但对于通态存储单元仍然让其激活。因此，可以在电阻型存储器的感测方法中应用该选择器器件的极高的通断比特性，从而实现之前对于非易失性存储器无法实现的感测容限。
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公开(公告)号：CN105702285B
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201510925446.X
申请日：2015-12-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C13/0026 , G11C11/1655 , G11C11/1657 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/2255 , G11C13/0028 , G11C13/004 , G11C13/0069
Abstract: 提供了一种电阻式存储器装置和一种列解码器，所述电阻式存储器装置包括：列解码器，具有第一开关单元和第二开关单元，第一开关单元包括与多条信号线中的每条对应地布置的至少一个开关对，第二开关单元包括与第一开关单元的所述至少一个开关对对应地布置的一个开关对。第一开关单元的第一开关对包括相同类型的第一开关和第二开关，第二开关单元的第二开关对包括连接到第一开关对的第三开关和第四开关。选择电压通过经由第一开关被提供到第一信号线，抑制电压通过选择性地经由第一开关或第二开关被提供至第一信号线。
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公开(公告)号：CN106463169B
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201580032385.2
申请日：2015-05-28
Applicant: 克罗科斯科技公司
Inventor： Q.斯泰纳
CPC classification number: G11C11/161 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/1693 , G11C11/5607
Abstract: 本公开涉及多位MRAM单元，该多位MRAM单元包括磁隧道结，该磁隧道结包括具有自由地可定向传感磁化的传感层；隧道势垒层、具有第一和第二存储层的合成反铁磁体存储层；其中，所述传感磁化感生具有在存储层的自旋翻转场以上的量值的偶极场；MRAM单元还包括用于在多个不同定向上对准传感磁化，以便在MRAM单元中对多个不同逻辑状态进行编码的对准装置。本公开还涉及一种用于操作多位MRAM单元的方法。
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公开(公告)号：CN109716437A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201780057593.7
申请日：2017-10-25
Applicant: ARM有限公司
Inventor： 阿齐兹·詹尼丁·巴夫纳加瓦拉 , 皮尤什·阿加瓦尔 , 阿克舍·库马尔
CPC classification number: G11C13/004 , G11C11/16 , G11C11/1673 , G11C11/56 , G11C13/0002 , G11C13/0007 , G11C13/0026 , G11C13/0028 , G11C13/0069 , G11C13/0097
Abstract: 本技术总体涉及用于非易失性存储器设备的操作的方法、系统和设备，由此在一个实施例中，相关电子开关(CES)设备可以在写操作中被置于多个存储器状态中的任何一个中，并且由此在读操作期间限制非易失性存储器设备的端子之间的电流可以使得能够使用更高的电压以获得更高的实现增益。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109148507A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201810229187.0
申请日：2018-03-20
Applicant: 桑迪士克科技有限责任公司
Inventor： S.李
CPC classification number: G11C11/161 , G11C11/063 , G11C11/1653 , G11C11/1655 , G11C11/1657 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C13/0023 , G11C13/0026 , G11C13/0028 , G11C13/003 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2213/71 , G11C2213/78 , G11C2213/79 , H01L27/222 , H01L27/228
Abstract: 公开了用于非易失性存储器的设备、系统和方法。平面非易失性存储器单元的多个层形成三维存储器阵列。多个字线耦接到平面非易失性存储单元。字线可以跨越存储器单元的层水平延伸。多个选择器列耦接到平面非易失性存储单元。选择器列垂直延伸通过存储器单元的层，并且可以包含由同心的一个或多个选择性层围绕的中心导体。一个或多个选择性层可以响应于电压满足阈值而允许电流通过字线与中心导体之间的单元。
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公开(公告)号：CN105493189B
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201380079115.8
申请日：2013-09-27
Applicant: 英特尔公司
IPC: G11C11/15
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C7/12 , G11C11/16 , G11C11/1653 , G11C11/1655 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/1693 , G11C11/5607 , G11C2213/79 , G11C2213/82
Abstract: 描述了一种装置，其包括：第一选择线；第二选择线；位线；第一位单元，其包括电阻式存储器元件和晶体管，所述第一位单元耦合到所述第一选择线和所述位线；缓冲器，其具有耦合到所述第一选择线的输入端、以及耦合到所述第二选择线的输出端；以及第二位单元，其包括电阻式存储器元件和晶体管，所述第二位单元耦合到所述第二选择线和所述位线。描述了一种磁随机存取存储器(MRAM)，包括：多个行，每行包括多个位单元和多个缓冲器，每个位单元具有耦合到晶体管的MTJ器件，每个缓冲器用于为所述多个位单元中的一组位单元缓冲选择线信号；以及多条位线，每行在所述行的所述多个位单元之间共享单条位线。
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公开(公告)号：CN108780657A
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201780019474.2
申请日：2017-02-22
Applicant: 英特尔公司
Inventor： S.富岛
CPC classification number: G11C11/1673 , G11C11/1657 , G11C11/1659 , G11C11/1675
Abstract: 在一个实施例中，按照本说明书的电源切换的双单元存储器比特单元中的比特状态可通过将电源线耦合到比特单元的公共节点以驱动互补电流驱动通过用于比特单元的一对互补比特线信号线的互补电阻状态存储单元来读。比特单元的比特状态可通过感测该对第一和第二互补比特线信号线上的互补比特状态信号来读。在一个实施例中，每个电阻状态存储单元具有电阻状态铁磁装置，诸如磁遂穿结（MTJ）。在一个实施例中，按照本说明书的电源切换的双单元存储器比特单元可没有源线或选择线（SL）信号线。本文描述了其它方面。
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公开(公告)号：CN108630266A
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201710796440.6
申请日：2017-09-06
Applicant: 东芝存储器株式会社
IPC: G11C11/16
CPC classification number: G11C11/1673 , G11C11/161 , G11C11/1655
Abstract: 本发明的实施方式提供一种高品质的存储设备及其控制方法。实施方式的存储设备具备存储单元及第1电路，所述第1电路对存储单元进行第1读出，产生第1电压，对已进行第1读出的存储单元写入第1数据，对写入有第1数据的存储单元进行第2读出，产生第2电压，产生基于第1电压的第1电流，产生基于第2电压的第2电流，通过对第1电流或第2电流加入第3电流，判定在第1读出时存储在存储单元中的数据。
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公开(公告)号：CN108470574A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201810154925.X
申请日：2018-02-23
Applicant: 桑迪士克科技有限责任公司
IPC: G11C11/16
CPC classification number: H01L43/08 , G11C11/16 , G11C11/161 , G11C11/165 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/18 , H01L27/228 , H01L43/02 , H01L43/10
Abstract: 提出了一种基于自旋累积扭矩的MRAM存储器单元。一个实施例包含磁性隧道结、连接到磁性隧道结的自旋累积层、以及连接到自旋累积层的极化层。极化层和自旋累积层使用自旋累积来在磁性隧道结的自由磁层上提供自旋累积扭矩，以改变自由磁层的磁化方向。
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