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公开(公告)号：CN115028656A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202210800929.7
申请日：2022-07-08
Applicant: 全椒亚格泰电子新材料科技有限公司 , 安徽亚格盛电子新材料有限公司
Abstract: 本发明公开了一种规模化连续生产电子级高纯三甲基硅烷的方法及装置系统。本发明利用有机硅中间体生产工艺中的主要产品三甲基氯硅烷作为原料，以活泼金属的氢化物作为还原剂，在特定溶剂中发生还原反应，生成三甲基硅烷及多种硅烷类杂质气体，然后以多级精馏与吸附相结合进行提纯，可实现有机纯度超过4N，无机纯度超过6N的电子级三甲基硅烷的连续化低成本批量生产。
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公开(公告)号：CN114314596A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111453737.5
申请日：2021-12-01
Applicant: 全椒亚格泰电子新材料科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种利用微波加热的方式使甲硅烷在硅粉床层中发生裂解反应生成高阶硅烷的方法及其反应系统；在固定床反应装置中，以硅粉添加催化剂作为固定床层，将甲硅烷通入床层，并采用微波加热的方式对床层物料进行加热，使甲硅烷在硅粉表面发生裂解与自由基重组反应，生成高阶硅烷。本发明实现了由低阶甲硅烷直接合成高阶硅烷的过程，且高阶硅烷收率高，反应过程简单可连续进行，不涉及过多的化学介质，无副产物排放，且产物易于分离提纯。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114180580B
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202111452068.X
申请日：2021-12-01
Applicant: 全椒亚格泰电子新材料科技有限公司
IPC: C01B33/04
Abstract: 本发明公开了一种在微负压的条件下利用热等离子体辅助加工硅粉与金属粉体，促使硅粉与金属粉体连续反应生成金属硅化物粉体，并以该金属硅化物粉体作为原料在特定溶剂中与强酸反应制备乙硅烷的方法及实现该方法的反应系统。本发明利用热等离子体的高能量密度，使硅粉与金属粉体在等离子核心区域发生瞬间的熔化及汽化过程，再急速冷却完成合金化及化学反应并形成纳米级的金属硅化物粉体；在微负压的条件下，使形成的纳米级金属硅化物粉体与强酸在特定溶剂中反应，可生成硅烷系列的产品气体，且其中乙硅烷的比例显著高于现有的生产工艺；同时，全工艺流程在微负压条件下进行，操作安全且易于控制并可实现连续化生产。
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公开(公告)号：CN114105148A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111452067.5
申请日：2021-12-01
Applicant: 全椒亚格泰电子新材料科技有限公司
IPC: C01B33/04
Abstract: 本发明公开了一种利用等离子球磨对硅粉及催化剂粉体进行机械化破碎及局部熔爆、碎裂及表面活化，同时通入甲硅烷至球磨机腔室内发生反应连续合成高阶硅烷的方法，甲硅烷通入等离子球磨机腔室内的等离子区域后发生裂解并产生游离的自由基；当自由基与活化后的硅粉表面接触时，有利于促进高阶硅烷的生成。本发明实现了由低阶甲硅烷直接合成高阶硅烷的过程，且高阶硅烷一次收率较高，反应过程简单可连续进行，不涉及过多的化学介质，无副产物排放，且产物易于分离提纯。
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公开(公告)号：CN114105148B
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202111452067.5
申请日：2021-12-01
Applicant: 全椒亚格泰电子新材料科技有限公司
IPC: C01B33/04
Abstract: 本发明公开了一种利用等离子球磨对硅粉及催化剂粉体进行机械化破碎及局部熔爆、碎裂及表面活化，同时通入甲硅烷至球磨机腔室内发生反应连续合成高阶硅烷的方法，甲硅烷通入等离子球磨机腔室内的等离子区域后发生裂解并产生游离的自由基；当自由基与活化后的硅粉表面接触时，有利于促进高阶硅烷的生成。本发明实现了由低阶甲硅烷直接合成高阶硅烷的过程，且高阶硅烷一次收率较高，反应过程简单可连续进行，不涉及过多的化学介质，无副产物排放，且产物易于分离提纯。
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公开(公告)号：CN114314596B
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202111453737.5
申请日：2021-12-01
Applicant: 全椒亚格泰电子新材料科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种利用微波加热的方式使甲硅烷在硅粉床层中发生裂解反应生成高阶硅烷的方法及其反应系统；在固定床反应装置中，以硅粉添加催化剂作为固定床层，将甲硅烷通入床层，并采用微波加热的方式对床层物料进行加热，使甲硅烷在硅粉表面发生裂解与自由基重组反应，生成高阶硅烷。本发明实现了由低阶甲硅烷直接合成高阶硅烷的过程，且高阶硅烷收率高，反应过程简单可连续进行，不涉及过多的化学介质，无副产物排放，且产物易于分离提纯。
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公开(公告)号：CN114180580A
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202111452068.X
申请日：2021-12-01
Applicant: 全椒亚格泰电子新材料科技有限公司
IPC: C01B33/04
Abstract: 本发明公开了一种在微负压的条件下利用热等离子体辅助加工硅粉与金属粉体，促使硅粉与金属粉体连续反应生成金属硅化物粉体，并以该金属硅化物粉体作为原料在特定溶剂中与强酸反应制备乙硅烷的方法及实现该方法的反应系统。本发明利用热等离子体的高能量密度，使硅粉与金属粉体在等离子核心区域发生瞬间的熔化及汽化过程，再急速冷却完成合金化及化学反应并形成纳米级的金属硅化物粉体；在微负压的条件下，使形成的纳米级金属硅化物粉体与强酸在特定溶剂中反应，可生成硅烷系列的产品气体，且其中乙硅烷的比例显著高于现有的生产工艺；同时，全工艺流程在微负压条件下进行，操作安全且易于控制并可实现连续化生产。
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