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公开(公告)号:CN114180580B
公开(公告)日:2022-08-12
申请号:CN202111452068.X
申请日:2021-12-01
Applicant: 全椒亚格泰电子新材料科技有限公司
IPC: C01B33/04
Abstract: 本发明公开了一种在微负压的条件下利用热等离子体辅助加工硅粉与金属粉体,促使硅粉与金属粉体连续反应生成金属硅化物粉体,并以该金属硅化物粉体作为原料在特定溶剂中与强酸反应制备乙硅烷的方法及实现该方法的反应系统。本发明利用热等离子体的高能量密度,使硅粉与金属粉体在等离子核心区域发生瞬间的熔化及汽化过程,再急速冷却完成合金化及化学反应并形成纳米级的金属硅化物粉体;在微负压的条件下,使形成的纳米级金属硅化物粉体与强酸在特定溶剂中反应,可生成硅烷系列的产品气体,且其中乙硅烷的比例显著高于现有的生产工艺;同时,全工艺流程在微负压条件下进行,操作安全且易于控制并可实现连续化生产。
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公开(公告)号:CN118376718B
公开(公告)日:2024-09-17
申请号:CN202410797547.2
申请日:2024-06-20
Applicant: 全椒亚格泰电子新材料科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种四甲基硅烷除氯用取样装置及工艺,涉及硅基前驱体提纯工艺技术领域,包括:壳体,壳体的上部设置有出液管,壳体的一侧连接有导气管,导气管用于输送惰性气体;轨道架,其设置于壳体内,轨道架上设置有升降板,升降板上转动连接有旋盖爪;驱动组件,其用于驱动旋盖爪旋转并向上位移,以使得化工桶的桶盖脱落;本发明通过驱动组件带动旋盖爪的上移,自动对桶盖进行旋拧拆卸,在旋盖爪上移后,引流管移动并插入化工桶内,在注入惰性气体,利用惰性气体压出四甲基硅烷,这样在取样时以及取样后,可以在化工桶内形成由惰性气体所组成的保护气氛,增加四甲基硅烷的储存稳定性、安全性。
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公开(公告)号:CN117534697A
公开(公告)日:2024-02-09
申请号:CN202410027054.0
申请日:2024-01-09
Applicant: 全椒亚格泰电子新材料科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种三叔丁氧基硅烷醇制备工艺及制备系统,涉及三叔丁氧基硅烷醇制备技术领域,包括:S1:向罐体中加入正己烷溶剂和叔丁醇钠,搭常压回流装置,通过罐体内设置有搅拌轴进行搅拌;S2:对罐体加热温度控制在T1值,将三氯硅烷加入罐体中分隔板分隔出的腔体中,并向罐体中第一储料腔加入N‑溴代丁二酰亚胺原料,分隔板上具有漏料孔,此时搅拌轴搅拌时带动封堵结构对漏料孔交替式封堵,使得三氯硅烷液体原料定量通过漏料孔下落滴加,在上述制备方法中,工艺简单、反应步骤少、原料配比合理、产生废弃物少,使得制备原料成本降低,在产业化推进中,可以有效的降低设备投入成本以及后续的制备成本,符合节能环保的生产理念。
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公开(公告)号:CN114180580A
公开(公告)日:2022-03-15
申请号:CN202111452068.X
申请日:2021-12-01
Applicant: 全椒亚格泰电子新材料科技有限公司
IPC: C01B33/04
Abstract: 本发明公开了一种在微负压的条件下利用热等离子体辅助加工硅粉与金属粉体,促使硅粉与金属粉体连续反应生成金属硅化物粉体,并以该金属硅化物粉体作为原料在特定溶剂中与强酸反应制备乙硅烷的方法及实现该方法的反应系统。本发明利用热等离子体的高能量密度,使硅粉与金属粉体在等离子核心区域发生瞬间的熔化及汽化过程,再急速冷却完成合金化及化学反应并形成纳米级的金属硅化物粉体;在微负压的条件下,使形成的纳米级金属硅化物粉体与强酸在特定溶剂中反应,可生成硅烷系列的产品气体,且其中乙硅烷的比例显著高于现有的生产工艺;同时,全工艺流程在微负压条件下进行,操作安全且易于控制并可实现连续化生产。
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公开(公告)号:CN118376718A
公开(公告)日:2024-07-23
申请号:CN202410797547.2
申请日:2024-06-20
Applicant: 全椒亚格泰电子新材料科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种四甲基硅烷除氯用取样装置及工艺,涉及硅基前驱体提纯工艺技术领域,包括:壳体,壳体的上部设置有出液管,壳体的一侧连接有导气管,导气管用于输送惰性气体;轨道架,其设置于壳体内,轨道架上设置有升降板,升降板上转动连接有旋盖爪;驱动组件,其用于驱动旋盖爪旋转并向上位移,以使得化工桶的桶盖脱落;本发明通过驱动组件带动旋盖爪的上移,自动对桶盖进行旋拧拆卸,在旋盖爪上移后,引流管移动并插入化工桶内,在注入惰性气体,利用惰性气体压出四甲基硅烷,这样在取样时以及取样后,可以在化工桶内形成由惰性气体所组成的保护气氛,增加四甲基硅烷的储存稳定性、安全性。
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公开(公告)号:CN116903507A
公开(公告)日:2023-10-20
申请号:CN202310821782.4
申请日:2023-07-06
Applicant: 安徽亚格盛电子新材料有限公司 , 全椒亚格泰电子新材料科技有限公司
IPC: C07C395/00
Abstract: 本发明涉及金属有机源合成领域,尤其涉及一种二异丙基碲的制备方法,包括以下步骤:向反应装置中加入醇类溶剂、碲粉,搭建常压回流装置,开启搅拌;随后加入钠块,持续缓慢搅拌,待钠块全部加入且反应平稳后,加热反应装置至50~60℃持续搅拌3~4h;然后降温至室温,向反应装置缓慢滴加2‑卤代丙烷,根据反应剧烈程度控制滴加速度,滴加完毕后,加热反应装置至50~60℃持续搅拌12h;搅拌结束后搭减压蒸馏装置,通过减压蒸馏得到二异丙基碲粗品;所得二异丙基碲粗品经减压精馏得到高纯度的二异丙基碲成品;上述所有步骤均在惰性气体的保护下进行。该制备方法合成路线简单,原料易得,收率高,产品纯度高,可用于工业化生产,满足市场需求。
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公开(公告)号:CN114715901A
公开(公告)日:2022-07-08
申请号:CN202210310438.4
申请日:2022-03-28
Applicant: 全椒亚格泰电子新材料科技有限公司
IPC: C01B33/107 , B01J8/02 , B01D5/00
Abstract: 本发明提供一种催化合成制备多氯硅烷的装置及其方法,包括储气罐,储气罐通过管路连接有催化柱,催化柱内填充有填料,催化柱一侧通过循环管路连接有冷凝器,冷凝器下侧设有分离柱,分离柱下侧通过气管连接有收集罐,冷凝器一侧通过管路连接有尾气炉。通过一氯硅烷和氯化氢在一定配比、压力、温度及停留时间条件下通过装有分子筛催化剂的催化柱中进行反应,生成一定含量的多氯硅烷,在通过冷凝器进行产物的分离和原料回收,实现了高效节能、长期稳定、安全可靠的生产。
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公开(公告)号:CN117534697B
公开(公告)日:2024-04-05
申请号:CN202410027054.0
申请日:2024-01-09
Applicant: 全椒亚格泰电子新材料科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种三叔丁氧基硅烷醇制备工艺及制备系统,涉及三叔丁氧基硅烷醇制备技术领域,包括:S1:向罐体中加入正己烷溶剂和叔丁醇钠,搭常压回流装置,通过罐体内设置有搅拌轴进行搅拌;S2:对罐体加热温度控制在T1值,将三氯硅烷加入罐体中分隔板分隔出的腔体中,并向罐体中第一储料腔加入N‑溴代丁二酰亚胺原料,分隔板上具有漏料孔,此时搅拌轴搅拌时带动封堵结构对漏料孔交替式封堵,使得三氯硅烷液体原料定量通过漏料孔下落滴加,在上述制备方法中,工艺简单、反应步骤少、原料配比合理、产生废弃物少,使得制备原料成本降低,在产业化推进中,可以有效的降低设备投入成本以及后续的制备成本,符合节能环保的生产理念。
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公开(公告)号:CN117126210A
公开(公告)日:2023-11-28
申请号:CN202311079368.7
申请日:2023-08-25
Applicant: 安徽亚格盛电子新材料有限公司 , 全椒亚格泰电子新材料科技有限公司
IPC: C07F17/02
Abstract: 本发明涉及金属有机源合成领域,尤其涉及一种二羰基环戊二烯基钴的制备方法,包括以下步骤:在惰性气体的保护下向反应瓶中加入原料八羰基二钴和四氢呋喃溶剂,搭常压回流装置,开启搅拌;将环戊二烯基钠的四氢呋喃溶液滴加到反应瓶中,滴加完毕后,保持70~80℃搅拌反应6~10h;搅拌回流结束后先常压蒸馏将溶剂四氢呋喃蒸出;再改搭减压蒸馏装置,减压蒸馏得到二羰基环戊二烯基钴粗品;所得二羰基环戊二烯基钴粗品经过减压精馏得到二羰基环戊二烯基钴成品;上述所有步骤均在惰性气体的环境下进行。该制备方法合成路线简单,原料易得,反应时间短,合成效率高,产品收率高,原料残留少,产品纯度高,可用于工业化生产,能够满足日益增长的市场需求。
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公开(公告)号:CN220531576U
公开(公告)日:2024-02-27
申请号:CN202321403919.6
申请日:2023-06-05
Applicant: 安徽亚格盛电子新材料股份有限公司 , 全椒亚格泰电子新材料科技有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种三乙基锑工业合成工艺装置,包括碘乙烷高位罐、三氯化锑溶液高位罐、合成釜、溶剂收集罐、冷冻接收罐、三乙基锑粗品接收罐、冷热一体机、冷凝器、移动吨桶、溶剂罐插底管、粗品转移管、液氮杜瓦罐、液体加料管、固体加料罐、回流出料管、回流进料管、进料管A、进料管B、进料管C、连接管、转料管等。本实用新型通过冷热一体机与温度传感器联锁控制合成釜的温度、加料调节阀与压力传感器联锁控制加料速度的方式,保证合成釜内反应安全平稳进行,提高合成效果,通过深冷的方式将反应溶剂收集,可以有效地将三乙基锑和溶剂分离,提高合成三乙基锑粗品的纯度,实现工业化批量生产。
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