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公开(公告)号：CN119677122A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411881449.3
申请日：2024-12-19
Applicant: 兰州大学
Abstract: 本发明涉及一种碳化硅基静电感应晶闸管，包括靠近N型漂移区的N+矩形沟道区和位于所述N+矩形沟道区上的N+弯道状沟道区；P+型栅区为三段式栅极结构，具体包括靠近所述N型漂移区的P+型矩形栅区、位于所述P+型矩形栅区上的P型弯曲状栅区，以及位于所述P型弯曲状栅区上的栅极区邻近铝接触电极部分；沟槽结构阴极底部还与所述P型弯曲状栅区相对设有阴极底部P+区。通过引入新的结构设计实现了更强大的栅极控制能力、更高的击穿电压以及更好的电流均匀分布。
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