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公开(公告)号：CN116206693A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310024341.1
申请日：2023-01-09
Applicant: 兰州大学 , 兰州五零五核安全技术研究中心
Abstract: 本申请涉及反应堆物理计算技术领域，公开了一种简化输入过程的粒子模拟输运系统及方法，所述系统包括：前端建模系统，被配置引入基于WebGL的Three.js库作为3D引擎，进行三维建模，生成粒子模拟模型；其中，粒子模拟模型至少包括几何体、放射源和探测器；前端参数设定系统，被配置为设置粒子模拟模型的MCNP参数；后端计算系统，被配置为引入Django框架构成网络服务器，将粒子模拟模型和MCNP参数利用Django框架，转化成MCNP输入文件，并根据MCNP输入文件进行模拟计算。本申请通过在Three.js库中建模出粒子模拟模型，并且对模型进行参数设定，将粒子模拟模型和对应的参数转化成MCNP输入文件，简易地实现了MCNP输入文件的生成，进而能够实现MCNP模拟计算。
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公开(公告)号：CN118794970A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202411277591.7
申请日：2024-09-12
Applicant: 兰州大学
IPC: G01N23/203 , G16C60/00 , G06F30/25 , G06F111/08
Abstract: 本发明公开一种硅半导体内掺杂元素占据晶格位置的检测方法，属于半导体检测技术领域。该方法包括：（1）硅晶体内高对称位点和掺杂占据位点分析及检测沟道设计；（2）不同晶格位点掺杂元素对多沟道方向背散射产额贡献的理论计算；（3）不同沟道方向附近的卢瑟福沟道背散射产额图样的实验测量；（4）掺杂原子占据位置和比例的求解。相比于传统卢瑟福沟道背散射检测，该方法大大提升了掺杂元素占据晶格位置的检测精度，并能够给出不同晶格位置的占据比例；该方法实现了硅半导体内掺杂元素占据晶格位置的精确、直观检测，在半导体质量评估、新掺杂技术研发以及科学研究等领域有重要应用。
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公开(公告)号：CN117253639A
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202311225118.X
申请日：2023-09-21
Applicant: 兰州大学
Abstract: 本发明涉及核科学技术领域，具体涉及一种用于热中子照相及辐射防护的装置，所述的装置包括热中子准直装置、源腔辐射防护装置、提源腔和提源装置，所述的热中子照相装置垂直设置于源腔辐射防护装置上，所述的提源腔贯穿热中子照相装置和源腔辐射防护装置，所述的提源装置置于提源腔中；源处于储存位时，装置表面5cm处的总剂量率S≤10μSv/h，装置表面50cm处的总剂量率S≤5μSv/h；源处于工作位时，准直器处中子注量率≥1.0×103cm‑2s‑1，热中子准直效率(热中子注量率/源中子产额)≥1.0×10‑5cm‑2。可以使同位素中子源的中子产额降低10倍左右，降低了热中子照相装置辐射防护的难度和建造成本，并提高了使用时安全性和便捷性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118794970B
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202411277591.7
申请日：2024-09-12
Applicant: 兰州大学
IPC: G01N23/203 , G16C60/00 , G06F30/25 , G06F111/08
Abstract: 本发明公开一种硅半导体内掺杂元素占据晶格位置的检测方法，属于半导体检测技术领域。该方法包括：（1）硅晶体内高对称位点和掺杂占据位点分析及检测沟道设计；（2）不同晶格位点掺杂元素对多沟道方向背散射产额贡献的理论计算；（3）不同沟道方向附近的卢瑟福沟道背散射产额图样的实验测量；（4）掺杂原子占据位置和比例的求解。相比于传统卢瑟福沟道背散射检测，该方法大大提升了掺杂元素占据晶格位置的检测精度，并能够给出不同晶格位置的占据比例；该方法实现了硅半导体内掺杂元素占据晶格位置的精确、直观检测，在半导体质量评估、新掺杂技术研发以及科学研究等领域有重要应用。
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公开(公告)号：CN116736363A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310522480.7
申请日：2023-05-10
Applicant: 兰州大学
IPC: G01T3/00
Abstract: 本发明涉及核科学技术领域，具体涉及一种便携锥形单球中子能谱测量系统及其测量方法，系统包括锥形慢化体、圆柱形通孔、中子探测器、数据分析处理系统、控制器、电机和牵引线，锥形慢化体内部设置有圆柱形通孔，圆柱形通孔内设置有中子探测器，中子探测器设置有1个，数据分析处理系统、控制器、电机、牵引线和中子探测器依次连接；数据分析处理系统用于接收并处理中子探测器中的信号，并给予指令为控制器，控制器带动电机转动，电极控制牵引线上下移动中子探测器，未加辅助材料时在10‑9MeV～20MeV具有较好的响应；添加辅助材料时在10‑9MeV～1000MeV具有较好的响应，解决了多球中子谱仪慢化球数量限制解谱效果的影响。
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公开(公告)号：CN116607186A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310658520.0
申请日：2023-06-06
Applicant: 兰州大学
Abstract: 本发明公开了一种电镀液组合物、其电镀铀层及其制备与应用。所述电镀液组合物pH值为4‑6，包括质量比为(1‑4):(10‑40)的硝酸铀酰和草酸铵，及水，其制备电镀铀层的过程包括：在电镀液组合物中，以纯铂丝作为阳极，以待镀件作为阴极进行电镀，可获得含铀的氧化物或氢氧化物的镀层材料，该镀层材料应用于裂变电离室管的表面镀层材料，具有良好的中子吸收能力，可获得准确的中子通量检测结果。
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公开(公告)号：CN117310781A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311274961.7
申请日：2023-09-28
Applicant: 兰州大学
Abstract: 本发明涉及核科学技术领域，具体涉及一种适用于β‑γ混合场的低背景探测器。所述的低背景探测器包括铝壳和设置在铝壳内的、从上至下依次设置的塑料闪烁晶体、CaF2(Eu)闪烁晶体和LaBr3(Ce)闪烁体晶体；LaBr3(Ce)闪烁体晶体使用石英光导封装；外侧面被BGO闪烁体晶体包裹；外侧和底部设置有SiPM阵列进行光信号收集；其他面均设置有反光层。本发明适用于β‑γ混合场的低背景测量，与半导体‑闪烁体组合探测器相比，具有低电压、体积小、便携性好、供电要求低、对磁场不敏感等优点，更适用于核设施施工场所使用，与多层闪烁体组合相比，其中做得最好的是即实现了β‑γ的初步甄别又实现了对康普顿背景的抑制。
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公开(公告)号：CN116679338A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202310522653.5
申请日：2023-05-10
Applicant: 兰州大学
IPC: G01T3/00
Abstract: 本发明涉及核科学技术领域，具体涉及一种便携锥形多球中子能谱测量系统及其测量方法，所述的系统包括锥形慢化体、圆柱形通孔、中子探测器和数据分析处理系统，所述的锥形慢化体内部设置有圆柱形通孔，所述的圆柱形通孔内设置有中子探测器，所述的中子探测器至少设有1个，未加辅助材料的系统在中子能量为10‑9MeV～20MeV中子具有较好的响应效果；添加辅助材料的系统在中子能量为10‑9MeV～1000MeV中子具有较好的响应效果；避免了常规多球中子谱仪球球干扰问题；避免了测量过程重复进入辐射场所更换慢化球的目的，该便系统操作简单；同时通过一个慢化球就可以代替常规多球中子谱仪多个慢化球的功能，极大地减小了谱仪的体积与重量。
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