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公开(公告)号：CN105137514A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510578168.5
申请日：2015-09-11
Applicant: 兰州空间技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种4.2～4.45μm透过中波红外滤光片，包括锗基底，锗基底的两侧分别设有长波通膜系和短波通膜系，该长波通膜系和该短波通膜系均由交替叠加的锗膜层和硫化锌膜层构成；及其制备方法。该滤光片在4.2～4.5μm透过率高，在0.2～4.05μm和4.6～6.0μm谱段宽截止，膜层数较少，满足遥感探测系统使用要求。
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公开(公告)号：CN103257385B
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201310145618.2
申请日：2013-04-25
Applicant: 兰州空间技术物理研究所
Abstract: 本发明涉及11.4～12.5μm透过长波红外滤光片及制备方法，属于光学薄膜技术领域。该滤光片包括锗基底和长、短波通膜系；长波通膜系结构为（0.5hl0.5h）^9（0.574l1.148h0.574l）^5（0.36h0.72l0.36h）^5，中心波长8100nm；短波通膜结构为（lh）^8，中心波长16200nm；l和h分别为硫化锌和碲化铅膜层；通过真空中加热基底，离子源通氩气下电阻蒸发在基底两侧沉积长、短波通膜系，冷却后制得。该滤光片在11.4～12.5μm透过率高，0.9～11.25μm和12.65～20μm宽截止，膜系层数较少，满足遥感探测系统使用要求；该方法简便稳定，成品率高。
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公开(公告)号：CN103243305B
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201310141007.0
申请日：2013-04-22
Applicant: 兰州空间技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种二次电子发射薄膜的制备方法，具体为一种以不锈钢为基片采用磁控溅射技术沉积二次电子发射薄膜的制备方法，属于功能薄膜制备领域。所述方法包括清洁真空室、清洗基底、装基片、真空室抽真空、等离子体清洗靶材和二次电子发射薄膜沉积六个步骤，采用磁控溅射技术，以氩气作为工作气体、溅射靶材为陶瓷氧化镁、金属钛、金属银，在不锈钢基片上实现了对二次电子发射薄膜的沉积。所述方法制备的二次电子发射薄膜具有良好的二次电子发射性能及抗溅射性能。
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公开(公告)号：CN103215543B
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201310140813.6
申请日：2013-04-22
Applicant: 兰州空间技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种具有二次电子发射功能的膜系制备方法，属于功能薄膜制备领域。所述方法包括如下步骤：（1）清洁真空室，（2）清洗基片，（3）装基片，（4）真空室抽真空，（5）等离子体清洗靶材，（6）二次电子发射薄膜沉积。所述方法利用沉积多层复合功能薄膜的制备方法代替传统氧化工艺，所制备的薄膜致密性好、附着力强及二次电子发射率高等优点。
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公开(公告)号：CN103257385A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201310145618.2
申请日：2013-04-25
Applicant: 兰州空间技术物理研究所
Abstract: 本发明涉及11.4～12.5μm透过长波红外滤光片及制备方法，属于光学薄膜技术领域。该滤光片包括锗基底和长、短波通膜系；长波通膜系结构为（0.5hl0.5h）^9（0.574l1.148h0.574l）^5（0.36h0.72l0.36h）^5，中心波长8100nm；短波通膜结构为（lh）^8，中心波长16200nm；l和h分别为硫化锌和碲化铅膜层；通过真空中加热基底，离子源通氩气下电阻蒸发在基底两侧沉积长、短波通膜系，冷却后制得。该滤光片在11.4～12.5μm透过率高，0.9～11.25μm和12.65～20μm宽截止，膜系层数较少，满足遥感探测系统使用要求；该方法简便稳定，成品率高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103245995A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201310150084.2
申请日：2013-04-25
Applicant: 兰州空间技术物理研究所
Abstract: 本发明涉及10.3～11.3μm透过长波红外滤光片及制备方法，属于光学薄膜技术领域。该滤光片包括锗基底和长、短波通膜系；长波通膜系结构为（0.5hl0.5h）^9（0.574l1.148h0.574l）^5（0.36h0.72l0.36h）^5，中心波长7300nm；短波通膜系结构为（lh）^8，中心波长14600nm；l和h分别为硫化锌和碲化铅膜层；通过真空中加热基底，离子源通氩气下电阻蒸发在基底两侧沉积长、短波通膜系，冷却后制得。该滤光片在10.3～11.3μm透过率高，0.9～10.15μm和11.45～20μm宽截止，膜系层数较少，满足遥感探测系统使用要求；该方法简便稳定，成品率高。
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公开(公告)号：CN103245994A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201310145439.9
申请日：2013-04-25
Applicant: 兰州空间技术物理研究所
Abstract: 本发明涉及一种8～8.4μm透过的长波红外滤光片及制备方法，属于光学薄膜技术领域。该滤光片包括锗基底、基底一侧长波通膜系和另一侧短波通膜系；长波通膜系结构为：（0.5lh0.5l）^10（0.57l1.14h0.57l）^6，中心波长为5680nm，短波通膜系结构为：（lh）^10，中心波长为10900nm，l和h分别依次为硫化锌和碲化铅膜层；通过在真空中加热基底，在离子源通氩气下用电阻蒸发分别在基底两侧沉积长、短波通膜系，冷却后制得。该滤光片在8～8.4μm透过率高，0.9～7.85μm和8.55～14μm宽截止，膜系层数较少，满足遥感探测系统使用要求；所述方法简便稳定，成品率高。
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公开(公告)号：CN103245993A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201310145383.7
申请日：2013-04-25
Applicant: 兰州空间技术物理研究所
Abstract: 本发明涉及一种8.4～8.8μm透过的长波红外滤光片及制备方法，属于光学薄膜技术领域。该滤光片包括锗基底、基底一侧长波通膜系和另一侧短波通膜系，长波通膜系结构为：（0.5lh0.5l）^10（0.57l1.14h0.57l）^6，中心波长为5980nm，短波通膜系结构为：（lh）^10，中心波长为11400nm，l和h分别依次为硫化锌和碲化铅膜层；通过在真空中加热基底，在离子源通氩气下用电阻蒸发分别在基底两侧沉积长、短波通膜系，冷却后制得。该滤光片在8.4～8.8μm透过率高，0.9～8.25μm和8.95～14μm宽截止，膜系层数较少，满足遥感探测系统使用要求；该方法简便稳定，成品率高。
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公开(公告)号：CN103233198A
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201310140304.3
申请日：2013-04-22
Applicant: 兰州空间技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种提高长波红外光学薄膜与锗基片附着力的方法，属于光学薄膜领域。所述方法包括基片的清洗、离子束轰击活化基片、过渡层的镀制、长波红外光学薄膜的镀制几个步骤。所述方法整个过程工艺稳定，重复性好，操作简便，可操作性强。采用所述方法镀制的长波红外光学薄膜与基片附着牢固，能够满足空间光学遥感系统的要求，具有高稳定性和高可靠性。
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公开(公告)号：CN103213087A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201310140674.7
申请日：2013-04-22
Applicant: 兰州空间技术物理研究所
IPC: B25B11/02
Abstract: 本发明公开了一种小尺寸组合滤光片拼接夹具，属于滤光片夹具加工技术领域。所述夹具包括：底座、第一滑杆组件、第二滑杆组件、第三滑杆组件、直角定位块、压框、第一紧压块和第二紧压块；所述第一滑杆组件、第二滑杆组件和第三滑杆组件分别包括一个螺杆和一个滑块；第一紧压块和第二紧压块上分别装有两个对称的且垂直穿过紧压块的螺杆。所述夹具可以实现拼接单个通道滤光片的尺寸在毫米量级，满足小尺寸组合滤光片拼接要求；且使用简单、调节精确，解决了微型组合滤光片拼接技术。
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