公开(公告)号：CN1196175C

公开(公告)日：2005-04-06

申请号：CN01801443.7

申请日：2001-04-26

Applicant: 凸版印刷株式会社

Inventor： 小西敏雄 ,  田村章 ,  伊藤考治郎 ,  佐佐木裕信 ,  江口秀幸

IPC: H01L21/027 ,  G03F1/16

CPC classification number: G03F1/20 ,  H01J2237/0453 ,  H01J2237/31794 ,  H01L21/0332

Abstract: 本发明提供一种转印掩模用基板，其具有：由单晶构成的第1硅层、形成在该第1硅层上的具有0.2～0.8μm的膜厚的氧化硅膜、形成在该氧化硅膜上的第2硅层。使用该转印掩模用基板而制造的转印掩模，在其制造时，会因氧化硅膜的应力而在转印图形上产生龟裂和败坏，而没有缺陷。

公开(公告)号：CN1381068A

公开(公告)日：2002-11-20

申请号：CN01801443.7

申请日：2001-04-26

Applicant: 凸版印刷株式会社

Inventor： 小西敏雄 ,  田村章 ,  伊藤考治郎 ,  佐佐木裕信 ,  江口秀幸

IPC: H01L21/027 ,  G03F1/16

CPC classification number: G03F1/20 ,  H01J2237/0453 ,  H01J2237/31794 ,  H01L21/0332

Abstract: 本发明提供一种转印掩模用基板,其具有:由单晶构成的第1硅层、形成在该第1硅层上的具有0.2～0.8μm的膜厚的氧化硅膜、形成在该氧化硅膜上的第2硅层。使用该转印掩模用基板而制造的转印掩模,在其制造时,会因氧化硅膜的应力而在转印图形上产生龟裂和败坏,而没有缺陷。