公开(公告)号：CN100380583C

公开(公告)日：2008-04-09

申请号：CN03806885.0

申请日：2003-03-26

Applicant: 凸版印刷株式会社

Inventor： 江口秀幸 ,  吉井崇 ,  杉村浩 ,  田村章

IPC: H01L21/027 ,  G03F1/16 ,  G03F7/20

CPC classification number: G03F1/20

Abstract: 一种电路图形的分割方法，包括将电路图形分割成包括第一互补图形和第二互补图形的多个互补图形，用于形成与各个互补图形相对应的互补型板掩模版，所述第一互补图形具有支撑部宽度W1和长度L1的一端支撑梁状构件图形，所述第二互补图形具有支撑部宽度W2和长度L2的两端支撑梁状构件图形。进行上述电路图形的分割，使得上述一端支撑梁状构件图形的长径比A1(L1/W1)在100或其以下，上述两端支撑梁状构件图形的长径比A2(L2/W2)在150或其以下。

公开(公告)号：CN1643654A

公开(公告)日：2005-07-20

申请号：CN03806885.0

申请日：2003-03-26

Applicant: 凸版印刷株式会社

Inventor： 江口秀幸 ,  吉井崇 ,  杉村浩 ,  田村章

IPC: H01L21/027 ,  G03F1/16 ,  G03F7/20

CPC classification number: G03F1/20

Abstract: 一种电路图形的分割方法，包括将电路图形分割成包括第一互补图形和第二互补图形的多个互补图形，用于形成与各个互补图形相对应的互补掩模版，所述第一互补图形具有支承部宽度W1和长度L1的一端支承梁状构件图形，所述第二互补图形具有支承部宽度W2和长度L2的两端支承梁状构件图形。进行上述电路图形的分割，使得上述一端支承梁状构件图形的细长比A1(L1/W1)在100或其以下，上述两端支承梁状构件图形的细长比A2(L2/W2)在150或其以下。

公开(公告)号：CN1196175C

公开(公告)日：2005-04-06

申请号：CN01801443.7

申请日：2001-04-26

Applicant: 凸版印刷株式会社

Inventor： 小西敏雄 ,  田村章 ,  伊藤考治郎 ,  佐佐木裕信 ,  江口秀幸

IPC: H01L21/027 ,  G03F1/16

CPC classification number: G03F1/20 ,  H01J2237/0453 ,  H01J2237/31794 ,  H01L21/0332

Abstract: 本发明提供一种转印掩模用基板，其具有：由单晶构成的第1硅层、形成在该第1硅层上的具有0.2～0.8μm的膜厚的氧化硅膜、形成在该氧化硅膜上的第2硅层。使用该转印掩模用基板而制造的转印掩模，在其制造时，会因氧化硅膜的应力而在转印图形上产生龟裂和败坏，而没有缺陷。

公开(公告)号：CN1381068A

公开(公告)日：2002-11-20

申请号：CN01801443.7

申请日：2001-04-26

Applicant: 凸版印刷株式会社

Inventor： 小西敏雄 ,  田村章 ,  伊藤考治郎 ,  佐佐木裕信 ,  江口秀幸

IPC: H01L21/027 ,  G03F1/16

CPC classification number: G03F1/20 ,  H01J2237/0453 ,  H01J2237/31794 ,  H01L21/0332

Abstract: 本发明提供一种转印掩模用基板,其具有:由单晶构成的第1硅层、形成在该第1硅层上的具有0.2～0.8μm的膜厚的氧化硅膜、形成在该氧化硅膜上的第2硅层。使用该转印掩模用基板而制造的转印掩模,在其制造时,会因氧化硅膜的应力而在转印图形上产生龟裂和败坏,而没有缺陷。