公开(公告)号：CN110651370A

公开(公告)日：2020-01-03

申请号：CN201780090747.2

申请日：2017-06-05

Applicant: 凸版印刷株式会社

Inventor： 川田京慧 ,  福吉健蔵

IPC: H01L29/786 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L21/363

Abstract: 本发明的半导体装置具备基板、设置在所述基板的一个面上的导电布线、以及电连接于所述导电布线的薄膜晶体管。所述导电布线具有铜层或铜合金层被第一导电性金属氧化物层和第二导电性金属氧化物层夹持的3层构成。所述第一导电性金属氧化物层及所述第二导电性金属氧化物层含有氧化铟。所述薄膜晶体管具有由氧化物半导体构成的沟道层。所述氧化物半导体是含有氧化铟、氧化锑、以及具有少于所述氧化铟及所述氧化锑的各自量的量的氧化铈的复合氧化物。所述氧化物半导体中，当将不计氧的元素的合计设为100原子％时，铟及锑的各自的量为40原子％以上。

公开(公告)号：CN110651370B

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN201780090747.2

申请日：2017-06-05

Applicant: 凸版印刷株式会社

Inventor： 川田京慧 ,  福吉健蔵

IPC: H01L29/786 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L21/363

Abstract: 本发明的半导体装置具备基板、设置在所述基板的一个面上的导电布线、以及电连接于所述导电布线的薄膜晶体管。所述导电布线具有铜层或铜合金层被第一导电性金属氧化物层和第二导电性金属氧化物层夹持的3层构成。所述第一导电性金属氧化物层及所述第二导电性金属氧化物层含有氧化铟。所述薄膜晶体管具有由氧化物半导体构成的沟道层。所述氧化物半导体是含有氧化铟、氧化锑、以及具有少于所述氧化铟及所述氧化锑的各自量的量的氧化铈的复合氧化物。所述氧化物半导体中，当将不计氧的元素的合计设为100原子％时，铟及锑的各自的量为40原子％以上。

公开(公告)号：CN116710990A

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202280009942.9

申请日：2022-01-28

Applicant: 凸版印刷株式会社

Inventor： 川田京慧 ,  福吉健藏

IPC: G09F9/30

Abstract: 显示装置具备：透明的第一基板；彩色滤波器，在厚度方向上与第一基板对置；第一黑色矩阵层，与第一基板对置，形成有朝向彩色滤波器的多个像素开口部；层叠于下表面的光反射性矩阵层；波长转换层，在俯视时与多个像素开口部的至少一个重叠地配置，对朝向彩色滤波器的光的波长进行转换；多个发光元件，从隔着第一黑色矩阵层而与第一基板相反侧朝向多个像素开口部分别放射光；以及第二基板，配置有多个发光元件，与第一基板对置地配置。

公开(公告)号：CN115443422A

公开(公告)日：2022-12-06

申请号：CN202180030582.6

申请日：2021-04-06

Applicant: 凸版印刷株式会社

Inventor： 川田京慧 ,  福吉健藏

IPC: G02B5/20 ,  H01L33/60 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  H01L27/32 ,  G02F1/1335 ,  H05B33/02 ,  H05B33/10 ,  H01L51/50

Abstract: 本发明的黑色矩阵基板具备：透明基板；在透明基板的一个面上、在俯视下在第一方向上以线宽Ax、在第二方向上以线宽Ay形成为第一格子状图案的黑色矩阵；覆盖黑色矩阵的第一透明树脂层；在第一透明树脂层上、在第一方向上以小于所述线宽Ax的线宽Dx且以与线宽Ax相同的中心轴层叠为第二格子状图案的树脂壁；以及在第一方向上以大于线宽Dx的线宽Cx且以与线宽Ax相同的中心轴、按照将树脂壁覆盖的方式层叠的光反射层。光反射层中，沿着第一方向，在线宽Ax的内侧且距离线宽Ax的中心轴分别以宽Ex对称地具备边沿，并且具备在第一方向上以包含线宽Cx和具有宽Ex的2个边沿的线宽Bx、按照将光反射层覆盖的方式层叠的透明保护层。