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公开(公告)号：CN113113282B
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202110356810.0
申请日：2021-04-01
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种半导体工艺设备的上电极电源功率调节方法，包括：获取基准工艺腔室和当前工艺腔室进行半导体工艺步骤时对应的上电极电源的工艺负载；根据当前工艺腔室对应的工艺负载和基准工艺腔室对应的工艺负载，确定当前工艺腔室进行对应半导体工艺步骤时的补偿系数；在进行半导体工艺步骤时，控制当前工艺腔室的上电极电源输出补偿功率。本发明提供的功率调节方法根据不同工艺腔室的工艺负载对各当前工艺腔室的上电极电源功率进行调整，使当前工艺腔室中加载至等离子体的功率与基准工艺腔室保持一致，从而提高了不同工艺腔室中等离子体的参数一致性，进而提高了工艺结果的一致性。本发明还提供一种半导体工艺设备。
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公开(公告)号：CN111030643B
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN201911154502.9
申请日：2019-11-22
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H03H17/02
Abstract: 本发明提供一种滤波电路以及半导体设备，该滤波电路包括阻抗传感器、可调电感、可调电感控制器，其中，所述可调电感包括：磁芯、线圈、第一调节结构、第二调节结构，所述线圈缠绕在所述磁芯上，所述第一调节结构用于调节所述线圈接入所述滤波电路的长度，所述第二调节结构用于调节所述磁芯以改变所述可调电感的磁阻；所述阻抗传感器用于检测所述滤波电路的总阻抗值，并将所述总阻抗值发送给所述可调电感控制器；所述可调电感控制器用于在所述总阻抗不等于所述总阻抗设定值时，先后调节所述第一调节结构与所述第二调节结构，使所述总阻抗达到所述总阻抗设定值。通过本发明提高了滤波电路的滤波效果。
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公开(公告)号：CN111180326B
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN201911032952.0
申请日：2019-10-28
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/3065 , H01L21/67
Abstract: 一种半导体晶圆的加工方法，包括：开启射频源，使射频源输出第一射频功率，并将工艺腔室的腔室压力设为第一腔室压力；维持所述射频源开启，将所述射频源的输出功率调节至过渡射频功率；同时，将所述腔室压力调节至第一过渡腔室压力；在预定时间段内，使所述射频源持续输出所述过渡射频功率；同时，将所述腔室压力调节至第二过渡腔室压力；将所述射频源的输出功率调节至第二射频功率；同时，将所述腔室压力调节至所述第二腔室压力；以及，使所述射频源输出所述第二射频功率，并使所述腔室压力保持在所述第二腔室压力本发明在调节工艺条件期间，射频源维持输出射频功率，使得鞘层可维持在工作件(如晶圆)的上方，并借此改善工艺结果及提升良率。
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公开(公告)号：CN113539776B
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202110760450.0
申请日：2021-07-06
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供一种射频电源的校准方法、半导体工艺方法及设备，该方法包括：对于一个工艺步骤，获取该工艺步骤中上射频电源与下射频电源的共同激励锁相角度的设定值；根据预设的共同激励锁相角度的校准值对设定值进行校准，以确定共同激励锁相角度的实际值，校准值为在预设工艺条件下晶圆表面的偏压值最小时对应的共同激励锁相角度的值。本发明提供的半导体工艺设备中射频电源的校准方法、半导体工艺方法及半导体工艺设备，可以实现不同的工艺腔室之间的工艺结果一致性。
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公开(公告)号：CN113113282A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110356810.0
申请日：2021-04-01
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种半导体工艺设备的上电极电源功率调节方法，包括：获取基准工艺腔室和当前工艺腔室进行半导体工艺步骤时对应的上电极电源的工艺负载；根据当前工艺腔室对应的工艺负载和基准工艺腔室对应的工艺负载，确定当前工艺腔室进行对应半导体工艺步骤时的补偿系数；在进行半导体工艺步骤时，控制当前工艺腔室的上电极电源输出补偿功率。本发明提供的功率调节方法根据不同工艺腔室的工艺负载对各当前工艺腔室的上电极电源功率进行调整，使当前工艺腔室中加载至等离子体的功率与基准工艺腔室保持一致，从而提高了不同工艺腔室中等离子体的参数一致性，进而提高了工艺结果的一致性。本发明还提供一种半导体工艺设备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109273341B
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN201811218801.X
申请日：2018-10-18
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本公开提供了一种等离子体工艺方法，利用至少一对主电源与从电源激发等离子体；其中，所述等离子体工艺方法包括：至少一个工艺步骤；每个所述工艺步骤分为多个时段，每个所述时段将所述至少一对主电源与从电源的共同激励锁相角度维持在一预定值，以提高所述等离子体的角向分布均匀性。
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公开(公告)号：CN108878243B
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN201710329633.0
申请日：2017-05-11
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种表面波等离子体加工设备，其包括反应腔室、用于向该反应腔室提供微波能量的微波传输机构及用于实现微波能量的激发和调谐的谐振机构，其中，谐振机构包括设置在反应腔室顶部的谐振腔和设置于谐振腔内的多个金属调节件；谐振腔的底壁上设置有介质窗，谐振腔内充满介质材料，多个金属调节件内嵌于所述介质材料中。本发明提供的表面波等离子体加工设备，其可以在保证谐振腔的真空密封的前提下，减小介质窗的厚度，从而可以减少微波能量损失，而且有利于对称性谐振模式的形成，从而可以提高电磁场的分布均匀性。
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公开(公告)号：CN111048391A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201911089142.9
申请日：2019-11-08
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明公开了一种ICP刻蚀工艺中降低反射功率的方法及装置，方法包括：检测上射频电源的反射功率值，判断反射功率值是否大于第一预设阈值并持续第一预设时长；若是，则关闭上射频电源并持续第二预设时长；关闭上射频电源第二预设时长后，开启上射频电源。本发明中，上射频电源监测到反射功率值过大后，会通过关闭上射频电源输出功率并持续预设时长，以达到衰减反射功率的目的，有效防止了反射功率过大对硬件的损坏。
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公开(公告)号：CN110896019A
公开(公告)日：2020-03-20
申请号：CN201811061619.8
申请日：2018-09-12
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01J37/32 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种等离子体刻蚀设备，所述等离子体刻蚀设备包括等离子体发生装置、用于承载晶片基座和用于为基座供电的偏压电源，其中，所述偏压电源能够周期性地输出电压，所述偏压电源的每个输出周期都包括正偏压输出阶段和负偏压输出阶段，所述偏压电源能够在所述正偏压阶段输出电压值恒定的正偏压，所述偏压电源能够在所述负偏压阶段输出电压值恒定的负偏压。所示等离子体刻蚀设备可以提供刻蚀选择比较高的等离子体。
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公开(公告)号：CN110416047A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201810392841.X
申请日：2018-04-27
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明公开了射频阻抗匹配的方法、装置和设备。包括：S110、扫频匹配阶段；S120、扫频保持阶段；S110包括循环执行至少一次下述步骤：S111、获取当前脉冲周期在预定的至少一个脉冲阶段结束时射频电源的扫频结束参数；S112、分别判断当前脉冲周期的各预定的脉冲阶段的扫频结束参数是否与目标扫频参数匹配；当匹配时，执行S120，不匹配时，执行S113；S113、下一个脉冲周期的各预定的脉冲阶段，射频电源分别根据前一个脉冲周期的各预定的脉冲阶段的扫频结束参数进行扫频；S120包括：后续脉冲周期的各预定的脉冲阶段，射频电源停止扫频，并保持与目标扫频参数匹配的扫频结束参数。能够快速扫频至与目标扫频参数相匹配，有效保证脉冲等离子体顺利点火。
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